1、0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000

2、0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0

3、010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1

4、110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111第第6 6章章 半導體存儲器與可編程邏輯器件半導體存儲器與可編程邏輯器件習題與思考題習題與思考題練習題：練習題：1, 3, 4, 5, 6, 71, 3,

5、4, 5, 6, 76.1 6.1 概述概述6.2 6.2 隨機存儲器隨機存儲器RAMRAM6.3 6.3 只讀存儲器只讀存儲器ROMROM6.4 6.4 可編程邏輯器件可編程邏輯器件PLDPLD6.5 6.5 高密度可編程邏輯器件高密度可編程邏輯器件6.66.6* * 硬件描述語言簡介硬件描述語言簡介0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 010

6、0 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 001

7、0 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110

8、 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111

9、0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁2半導體存儲器是半導體存儲器是固態固態存儲器存儲器SSD (Solid State Drives) ，具有存儲，具有存儲密度高、體積小、密度高、體積小、容量大、容量大、讀寫速度快、功耗低和抗震等優點讀寫速度快、功耗低和抗震等優點!硬磁盤硬磁盤固態硬盤固態硬盤SSD光盤光盤6.1 6.1 概述概述 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110

10、 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001

11、 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011

12、0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011

13、0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁3存儲器：存儲大量二值信息（或稱為二值數據）的半導體器件。存儲器：存儲大量二值信息（或稱為二值數據）的半導體器件。用途：在計算機或數字系統中存儲數據。用途：在計算機或數字系統中存儲數據。 與寄存器的區別：以與寄存器的區別：以字字為單位存取，每字包含若干為單位存取，每字包含若干位

14、位。各個字。各個字的相同位通過的相同位通過同一引腳同一引腳與外界聯系。每個字分配一個與外界聯系。每個字分配一個地址地址，因此內，因此內部有地址譯碼器。部有地址譯碼器。作業作業:【6.1】【】【6.2】【】【6.3】【】【6.4】【】【6.5】【】【6.6】 【6.7】 【6.8】 【6.9】存儲器分類：存儲器分類：存存儲儲特特點點揮發性存儲器揮發性存儲器VM非揮發性存儲器非揮發性存儲器NVM原原理理和和介介質質半導體存儲器半導體存儲器磁存儲器磁存儲器光存儲器光存儲器讀讀寫寫特特性性只讀存儲器只讀存儲器ROM隨機存儲器隨機存儲器RAM1.半導體存儲器半導體存儲器0100 1000 0111 01

15、01 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 01

16、00 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 011

17、0 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 011

18、0 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁40100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0

19、001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0

20、111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 00

21、11 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 00

22、11 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁5硬磁盤硬磁盤固態硬盤固態硬盤SSD容容 量量TB量級量級TB量級量級價格價格(元元/GB)0.5110以上以上壽壽 命命(小時小時)無限無限100萬以上萬以上速度速度(延遲時間延遲時間,ms)101量級量級10-2量級量級功功 耗耗(W)101量級量級1以下以下噪噪 聲聲有有無無震動敏感性震動敏感性敏感敏感不

23、敏感不敏感硬磁盤與固態硬盤比較硬磁盤與固態硬盤比較0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011

24、0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0

25、110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0

26、111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁6隨機存儲器隨機存儲器RAM(Random Access Memory)靜態存儲器靜態存儲

27、器SRAM (Static RAM) 主要用于高速緩存等主要用于高速緩存等動態存儲器動態存儲器DRAM (Dynamic RAM)按按功功能能特特點點SDRAM, DDR-SDRAM等等非揮發存儲器（非揮發存儲器（Non-Volatile Memory-NVM）揮發存儲器（揮發存儲器（Volatile Memory-VM）或者稱易失存儲器）或者稱易失存儲器半導體存儲器分類半導體存儲器分類主要指標：存儲容量、存取速度。存儲容量：用字數主要指標：存儲容量、存取速度。存儲容量：用字數位數表示位數表示固定固定ROM (掩模掩模ROM)可編程可編程ROM (PROM-Programmable ROM)可

28、擦除可編程可擦除可編程ROM (EPROM-Erasable PROM)特指特指UVEPROMEEPROM (Electrically EPROM)/E2PROM 只讀存儲器只讀存儲器ROM(Read- Only Memory)Flash Memory (快閃存儲器，如快閃存儲器，如U盤盤)ROMROM斷電后數據仍能保留，斷電后數據仍能保留，而而RAMRAM內數據會丟失。內數據會丟失。0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0

29、010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1

30、110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01

31、11 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 00

32、11 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁70100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100

33、1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011

34、0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0

35、110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 00

36、01 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁86.2 6.2 隨機存儲器隨機存儲器RAMRAM6.2.1 RAM6.2.1 RAM存儲單元存儲單元(1) 片選控制信號片選控制信號CS: 控控制制I/O端是否處在端是否處在高阻高阻狀狀態。態。(Chip Select)(2) 讀寫控制信號讀寫控制信號R/W: 控制電路處于控制電路處于讀出讀出,還是還是寫入寫入狀態。狀態。(Read/Write)觸發器是存儲核心電路觸發器是存儲核心電路這也是這也是“靜態靜態”名稱由來名稱由來1SRAM存儲單元存儲單元6管管CMOS 0100 1000

37、 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110

38、 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110

39、0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110

40、0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁92DRAM存儲單元存儲單元-單管存儲單元單管存儲單元動態存儲單元電路結構簡單，可以提高存儲密度，降低成本。動態存儲單元電路結構簡單，可以提高存儲密度，降低成

41、本。極間電容極間電容DRAM利用電容存儲電荷實現信息存儲，但電容利用電容存儲電荷實現信息存儲，但電容漏電漏電屬性限制了屬性限制了其本身只能維持其本身只能維持毫秒量級的存儲時間毫秒量級的存儲時間，所以需要，所以需要刷新控制電路刷新控制電路配配合使用，才能長期保存數據，這也是合使用，才能長期保存數據，這也是“動態動態”名稱的由來。名稱的由來。0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000

42、0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001

43、0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1

44、110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0

45、110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁106.2.2 RAM6.2.2 RAM的結構的結構 m條地址線對應條地址線對應2m個字個字(字線字線)，每，每個字包含的個字包含的n位數據位數據(字長字長,位線位線)，則則:總存儲容量總存儲容量=字線數字線數位線數位線數 =2mn n 位位 m m地址數地址數 n n位線、數據線位線、數據線(I/O)數數 計算練習計算練習0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 11

46、10 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 01

47、10 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 001

48、1 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 011

49、1 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁11行地址行地址選擇多字，選擇多字，列地址列地址在從多字中在從多字中選擇出選擇出1個字進行個字進行讀寫讀寫(本質上行列本質上行列地址是不分先后的地址是不分先后的)0100 1000 0111 0101 0110 0

50、001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0

51、001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 00

52、11 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 01

53、10 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁12因為單個存儲器芯片容量因為單個存儲器芯片容量有限，所以在實際應用場有限，所以在實際應用場合，往往需要多顆合，往往需要多顆RAM芯芯片組成更大容量的存儲模片組成更大容量的存儲模塊，這就是塊，

54、這就是容量擴展容量擴展問題問題容量容量=字線數量字線數量位線數量位線數量位擴展位擴展方法和方法和字擴展字擴展方法方法0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 01

55、11 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 010

56、1 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 010

57、0 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111返回首頁返回首頁136.2.3 RAM6

58、.2.3 RAM的擴展的擴展1位擴展位擴展 用用256字字1位位RAM芯片構成芯片構成256字字4位位RAM存儲器存儲器N=(擴展后擴展后)芯片組容量芯片組容量（擴展前（擴展前)單片容量單片容量方法方法: :所有所有輸入信號都并聯輸入信號都并聯( (地址信號、片選信號和讀寫信號地址信號、片選信號和讀寫信號),),輸出各自獨立輸出各自獨立。所需片數：所需片數：芯片組芯片組0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011

59、 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111

60、 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 01110100 1000 0111 0101 0110 0001 0110 1110 0110 0111 0110 0001 0110 1110 0111 0010 0110 0001 0110 1110 0011 0010 0011 0000 0011 0000 0011 0110 0011 0100 0011 0001 0011 0110 0100 1000 0111 0101