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文檔簡介
1、電子封裝電阻外形尺寸注:1mil = 1/1000英寸,1 英寸 = 2.539999918厘米電容電阻外形尺寸與電子封裝的對應關系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 注:ABCD四類型的封裝形式則為其具體尺寸,標注形式為L X S X H1210具體尺寸與電解電容B類3528類型相同0805具體尺寸:2.0 X 1.25 X 0.51206具體尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5電解電容:可分為無極性和有極性兩類,無極性電容下述兩類封裝最為
2、常見,即0805、0603;而有極性電容也就是我們平時所稱的電解電容,一般我們平時用的最多的為鋁電解電容,由于其電解質為鋁,所以其溫度穩定性以及精度都不是很高,而貼片元件由于其緊貼電路版,所以要求溫度穩定性要高,所以貼片電容以鉭電容為多,根據其耐壓不同,貼片電容又可分為A、B、C、D四個系列,具體分類如下:類型 封裝形式 耐壓 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V無極性電容的封裝模型為RAD系列,例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等,其后綴的數字表示封裝模型中兩個焊盤間的距離,單位為“英寸”。電解電容的
3、封裝模型為RB系列,例如從“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”,其后綴的第一個數字表示封裝模型中兩個焊盤間的距離,第二個數字表示電容外形的尺寸,單位為“英寸”。PROTEL 99SE元件的封裝問題2009-04-12 14:34元件封裝是元件在電路板是存在的形勢,Footprint那欄是元件封裝欄,要自己輸入,比如電阻可以用AXIAL0.3等等 protel99常用元件的電氣圖形符號和封裝形式 1. 標準電阻:RES1、RES2;封裝:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 兩端口可變電阻:RES3、RES4;封裝:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可變電阻:RESISTO
4、R TAPPED,POT1,POT2;封裝:VR1-VR5 2.電容:CAP(無極性電容)、ELECTRO1或ELECTRO2(極性電容)、可變電容CAPVAR 封裝:無極性電容為RAD-0.1到RAD-0.4,有極性電容為RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二極管:DIODE(普通二極管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二極管)、DUIDE TUNNEL(隧道二極管)DIODE VARCTOR(變容二極管)ZENER13(穩壓二極管) 封裝:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已經說了,注意做PCB時別忘了將封裝DIODE的端口改為A、K) 4.三極管:NPN,NPN1和P
5、NP,PNP1;引腳封裝:TO18、TO92A(普通三極管)TO220H(大功率三極管)TO3(大功率達林頓管) 以上的封裝為三角形結構。T0-226為直線形,我們常用的9013、9014管腳排列是直線型的,所以一般三極管都采用TO-126啦! 5、效應管:JFETN(N溝道結型場效應管),JFETP(P溝道結型場效應管)MOSFETN(N溝道增強型管)MOSFETP(P溝道增強型管) 引腳封裝形式與三極管同。 6、電感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通電感),INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可變電感) 8.整流橋原理圖中常用的名
6、稱為BRIDGE1和BRIDGE2,引腳封裝形式為D系列,如D-44,D-37,D-46等。 9.單排多針插座原理圖中常用的名稱為CON系列,從CON1到CON60,引腳封裝形式為SIP系列,從SIP-2到SIP-20。 10.雙列直插元件原理圖中常用的名稱為根據功能的不同而不同,引腳封裝形式DIP系列, 不如40管腳的單片機封裝為DIP40。 11.串并口類原理圖中常用的名稱為DB系列,引腳封裝形式為DB和MD系列。 12、晶體振蕩器:CRYSTAL;封裝:XTAL1 13、發光二極管:LED;封裝可以才用電容的封裝。(RAD0.1-0.4) 14、發光數碼管:DPY;至于封裝嘛,建議自己做
7、! 15、撥動開關:SW DIP;封裝就需要自己量一下管腳距離來做! 16、按鍵開關:SW-PB:封裝同上,也需要自己做。 17、變壓器:TRANS1TRANS5;封裝不用說了吧?自己量,然后加兩個螺絲上去。 最后在說說PROTEL 99 的原理圖庫吧! 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外還有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A轉換元件) protel DOS schematic Comparator (
8、比較器,如LM139之類) protel DOS schematic intel (Intel 的處理器和接口芯片之類) 電阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封裝屬性為axial系列無極性電容:cap;封裝屬性為RAD-0.1到rad-0.4電解電容:electroi;封裝屬性為rb.2/.4到rb.5/1.0電位器:pot1,pot2;封裝屬性為vr-1到vr-5二極管:封裝屬性為diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三極管:常見的封裝屬性為to-18(普通三極管)to-22(大功率三極管)to-3(大功率達林頓管)電源穩壓塊有78和79系列;78系列正電壓如78
9、05,7812,7820等79負電壓系列有7905,7912,7920等常見的封裝屬性有to126h和to126v整流橋:BRIDGE1,BRIDGE2: 封裝屬性為D系列(D-44,D-37,D-46)電阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指電阻的長度,一般用AXIAL0.4瓷片電容:RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指電容大小,一般用RAD0.1電解電容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指電容大小。一般470uF用RB.3/.6二極管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二極管長短,一般用DIODE0.4發光二極
10、管:RB.1/.2集成塊:DIP8-DIP40, 其中指有多少腳,腳的就是DIP8 貼片電阻 0603表示的是封裝尺寸 與具體阻值沒有關系,但封裝尺寸與功率有關通常來說如下:0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W電容電阻外形尺寸與封裝的對應關系是:零件封裝是指實際零件焊接到電路板時所指示的外觀和焊點的位置。是純粹的空間概念因此不同的元件可共用同一零件封裝,同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻,有傳統的針插式,這種元件體積較大,電路板必須鉆孔才能安置元件,完成鉆孔后,插入元件,再過錫爐或噴錫(也可手焊),成本較高,較新的設計都是采用體積小
11、的表面貼片式元件(SMD)這種元件不必鉆孔,用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板,再把SMD元件放上,即可焊接在電路板上了。關于零件封裝我們在前面說過,除了DEVICE。LIB庫中的元件外,其它庫的元件都已經有了固定的元件封裝,這是因為這個庫中的元件都有多種形式:以晶體管為例說明一下:晶體管是我們常用的的元件之一,在DEVICE。LIB庫中,簡簡單單的只有NPN與PNP之分,但實際上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO3,如果它是NPN的2N3054,則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5,而學用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,還有TO-5,TO-46,TO-52等等,千
12、變萬化。還有一個就是電阻,在DEVICE庫中,它也是簡單地把它們稱為RES1和RES2,不管它是100還是470K都一樣,對電路板而言,它與歐姆數根本不相關,完全是按該電阻的功率數來決定的我們選用的1/4W和甚至1/2W的電阻,都可以用AXIAL0.3元件封裝,而功率數大一點的話,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現將常用的元件封裝整理如下:有極性電容RB.2/.4-RB.5/1.0二極管DIODE0.4及 DIODE0.7石英晶體振蕩器XTAL1晶體管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻(POT1、POT2)VR1-VR5當然,我們也可以打開C:Client
13、98PCB98libraryadvpcb.lib庫來查找所用零件的對應封裝。這些常用的元件封裝,大家最好能把它背下來,這些元件封裝,大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3,AXIAL翻譯成中文就是軸狀的,0.3則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil(因為在電機領域里,是以英制單位為主的。同樣的,對于無極性的電容,RAD0.1-RAD0.4也是一樣;對有極性的電容如電解電容,其封裝為RB.2/.4,RB.3/.6等,其中“.2”為焊盤間距,“.4”為電容圓筒的外徑。對于晶體管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶體管,就用TO3,中功率的晶體
14、管,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金屬殼的,就用TO-66,小功率的晶體管,就用TO-5,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管腳也長,彎一下也可以。對于常用的集成IC電路,有DIPxx,就是雙列直插的元件封裝,DIP8就是雙排,每排有4個引腳,兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻,它們的包裝才是最令人頭痛的,同樣的包裝,其管腳可不一定一樣。例如,對于TO-92B之類的包裝,通常是1腳為E(發射極),而2腳有可能是B極(基極),也可能是C(集電極);同樣的,3腳有可能是C,也有可能是B,具體是那個,
15、只有拿到了元件才能確定。因此,電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱(管腳名稱),同樣的,場效應管,MOS管也可以用跟晶體管一樣的封裝,它可以通用于三個引腳的元件。Q1-B,在PCB里,加載這種網絡表的時候,就會找不到節點(對不上)。在可變電阻上也同樣會出現類似的問題;在原理圖中,可變電阻的管腳分別為1、W、及2,所產生的網絡表,就是1、2和W,在PCB電路板中,焊盤就是1,2,3。當電路中有這兩種元件時,就要修改PCB與SCH之間的差異最快的方法是在產生網絡表后,直接在網絡表中,將晶體管管腳改為1,2,3;將可變電阻的改成與電路板元件外形一樣的1,2,3即可。 塑料封裝技術 摘要 塑料封裝是指對半導體
16、器件或電路芯片采用樹脂等材料的一類封裝,塑料封裝一般被認為是非氣密性封裝。它的主要特點是工藝簡單、成本低廉、便于自動化大生產。塑料產品約占IC封裝市場的95%,并且可靠性不斷提高,在3GHz以下的工程中大量使用。標準塑料材料主要有約70%的填充料、18%環氧樹脂、外加固化劑、耦合劑、脫模劑等。各種配料成分主要取決于應用中的膨脹系數、介電常數、密封性、吸濕性、強韌性等參數的要求和提高強度、降低價格等因素。 Plastic packaging is a means of semiconductor devices or circuit chips such as resin used for a
17、class of packaging materials, plastic packaging generally found to be non-hermetic package. Its main feature is a simple process, low-cost and easy to automate large-scale production. IC packaging plastic products account for about 95% of the market, and continuously improve the reliability, and 3GH
18、z in the following widely used in the project. Standard plastic materials, about 70% of the principal filler, epoxy resin and 18%, plus curing agent, coupling agent, such as release agent. The main components of a variety of ingredients depending on the application of expansion coefficient, dielectr
19、ic constant, tightness, moisture absorption, strength and toughness, and other parameters of the requirements and increase the intensity, lower prices and other factors.關鍵字 塑料封裝技術 發展引言電子封裝技術是微電子工藝中的重要一環,通過封裝技術不僅可以在運輸與取置過程中保護器件還可以與電容、電阻等無緣器件組合成一個系統發揮特定的功能。按照密封材料區分電子封裝技術可以分為塑料和陶瓷兩種主要的種類。陶瓷封裝熱傳導性質優良,可靠
20、度佳,塑料的熱性質與可靠度雖遜于陶瓷封裝,但它具有工藝自動化自動化、低成本、薄型化等優點,而且隨著工藝技術與材料的進步,其可靠度已有相當大的改善,塑料封裝為目前市場的主流。封裝技術的方法與原理 塑料封裝的流程圖如圖所示,現將IC芯片粘接于用腳架的芯片承載座上,然后將其移入鑄模機中灌入樹脂原料將整個IC芯片密封,經烘烤硬化與引腳截斷后即可得到所需的成品。塑料封裝的化學原理可以通過了解他的主要材料的性能與結構了解。常用塑料封裝材料有環氧樹脂、硅氧型高聚物、聚酰亞胺等 環氧樹脂是在其分子結構中兩個活兩個以上環氧乙烷換的化合物。它是穩定的線性聚合物,儲存較長時間不會固化變質,在加入固化劑后才能交聯固化
21、成熱固性塑料。硅氧型高聚物的基本結構是硅氧交替的共價鍵和諒解在硅原子上的羥基。因此硅氧型高聚物既具有一般有機高聚物的可塑性、彈性及可溶性等性質,又具有類似于無極高聚物石英的耐熱性與絕緣性等優點。聚酰亞胺又被稱為高溫下的“萬能”塑料。它具有耐高溫、低溫,耐高劑量的輻射,且強度高的特點。塑料封裝技術的發展 塑封料作為IC封裝業主要支撐材料,它的發展,是緊跟整機與封裝技術的發展而發展。 整機的發展趨勢:輕、小(可攜帶性);高速化;增加功能;提高可靠性;降低成本;對環境污染少。封裝技術的發展趨勢:封裝外形上向小、薄、輕、高密度方向發展;規模上由單芯片向多芯片發展;結構上由兩維向三維組裝發展;封裝材料由
22、陶封向塑封發展;價格上成本呈下降趨勢。 隨著高新技術日新月異不斷發展對半導體應用技術不斷促進,所以對其環氧封裝材料提出了更加苛刻的要求,今后環氧塑封料主要向以下五個方面發展: 1 向適宜表面封裝的高性化和低價格化方向發展。為了滿足塑封料高性化和低價格,適宜這種要求的新型環氧樹脂不斷出現,結晶性樹脂,因分子量低,熔融粘度低,但熔點高具有優良的操作性,適用于高流動性的封裝材料。目前已經有的結晶性環氧樹脂,為了得到適用于封裝材料的熔點范圍,多數接枝了柔軟的分子鏈段,但是成型性和耐熱性難以滿足封裝材料的要求,所以必須開發新的結晶性的環氧樹脂。 2 向適宜倒裝型的封裝材料方向發展 。最近隨著電子工業的發
23、展,作為提高高密度安裝方法,即所謂裸管芯安裝引起人們的高度重視。在裸管芯倒裝法安裝中,為了保護芯片防止外界環境的污染,利用液體封裝材料。在液體封裝料中,要求對芯片和基板間隙的浸潤和充填,因這種浸潤和充填最終是通過毛細管原理進行的,因此要求樹脂具有非常高的流動性,同時無機填充率要降低。但液體封裝料與芯片之間的應力會增大,因此要求塑封料必須具有低的線膨脹系數,現在國外采用具有萘環結構的新型環氧樹脂制備塑封料。 3 BGA、CSP等新型封裝方式要求開發新型材料。裸管芯安裝方法,雖然是實現高密度化封裝的理想方法,但目前仍有一些問題,如安裝裝置和芯片質量保證等,出現了一種新的封裝方式即 BGA或CSP,
24、這是一種格子接頭方式的封裝,不僅可以實現小型化、輕量化而且可達到高速傳遞化,目前這種封裝形式正處于快速增長期。但這種工藝成型后在冷卻工藝出現翹曲現象,這是因為基板與封裝材料收縮率不同引起的。克服方法是盡量使封裝料與基板線膨脹系數接近,從封裝材料和基板粘合劑兩方面均需開發新型塑封料的同時提高保護膜與材料的密著性。 4 高散熱性的塑封料。隨著電子儀器的發展,封裝材料散熱性的課題已提出,因為塑封料基體材料 環氧樹脂屬于有機高分子材料,基于分子結構的不同,熱傳導性的改善受到局限,因此從引線框架的金屬材料著手,采用42#銅合金,因為有比較高的熱傳導率,銅合金引線框架表面有一層氧化膜,因此要求塑封料與之有
25、良好的粘接密著性。國外有些廠家正在研究開發,通過引入鏈段,提高范德瓦爾引力,以提高塑封料與銅框架的引力。 5 綠色環保型塑封料:隨著全球環保呼聲日益高漲,綠色環保封裝是市場發展的要求,上海常祥實業采用不含阻燃劑的環氧樹脂體系或更高填充量不含阻燃劑的綠色環保塑封料已經全面上市。也有一些國外公司正在試用含磷化合物,包括紅磷和瞵。 總之,隨著集成電路向高超大規模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能方向的迅速發展及電子封裝技術由通孔插裝(PHT)向表面貼裝技術發展,封裝形式由雙列直插(DIP)向(薄型)四邊引線扁平封裝(TQFP/QFP)和球柵陣列塑裝(PBGA)以及芯片尺寸封裝(CSP)方向發展
26、,塑封料專家劉志認為:塑封料的發展方向正在朝著無后固化、高純度、高可靠性、高導熱、高耐焊性、高耐濕性、高粘接強度、低應力、低膨脹、低粘度、易加工、低環境污染等方向發展。二封裝技術發展八大趨勢1 IC封裝正從引線封裝向球柵陣列封裝發展。2 BGA封裝正向增強型BGA、倒裝片積層多層基板BGA、帶載BGA等方向進展,以適應多端子、大芯片、薄型封裝及高頻信號的要求。3 CSP的球柵節距正由1.0mm向0.8mm、0.5mm,封裝厚度正向0.5mm以下的方向發展,以適應超小型封裝的要求。4 晶圓級的封裝工藝(wafer level package,WLP)則采用將半導體技術與高密度封裝技術有機結合在一
27、起,其工藝特點是:在硅圓片狀態下,在芯片表面再布線,并由樹脂作絕緣保護,構成球形凸點后再切片。由此可以獲得真正與芯片尺寸大小一致的CSP封裝,以降低單位芯片的生產成本。5 為適應市場快速增長的以手機、筆記本電腦、平板顯示等為代表的便攜式電子產品的需求,IC封裝正在向著微型化、薄型化、不對稱化、低成本化方向發展。6 為了適應綠色環保的需要,IC封裝正向無鉛化、無溴阻燃化、無毒低毒化方向快速發展。7 為了適應多功能化需要,多芯片封裝成為發展潮流,采用兩芯片重疊,三芯片重疊或多芯片疊裝構成存儲器模塊等方式,以滿足系統功能的需要。8 三維封裝可實現超大容量存儲,有利于高速信號傳播,最大限度地提高封裝密度,并有可能降低價格,因此,它將成為發展高密度封裝的一大亮點。其它封裝技術1 多芯片(MCP)封裝。多芯片封裝(MCP,Multichip Package),許多FLASH就是采用這種封裝,通常把ROM和RAM封裝在一塊兒。多芯封裝(MCP)技術是在高密度多層互連基板上,采用微焊接、封裝工藝將構成電子電路的各種微型元器件(裸芯片及片式元器件)組裝起來,形成高密度、高性能、高可靠性的微電子產品(包括組件、部件、子系統、系統)。它是為適應現代電子系統短、
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