1、泓域咨詢/撫順MOSFET功率器件項目實施方案目錄第一章 項目基本情況7一、 項目名稱及項目單位7二、 項目建設地點7三、 可行性研究范圍7四、 編制依據和技術原則8五、 建設背景、規模9六、 項目建設進度9七、 環境影響10八、 建設投資估算10九、 項目主要技術經濟指標10主要經濟指標一覽表11十、 主要結論及建議12第二章 項目承辦單位基本情況14一、 公司基本信息14二、 公司簡介14三、 公司競爭優勢15四、 公司主要財務數據17公司合并資產負債表主要數據17公司合并利潤表主要數據17五、 核心人員介紹18六、 經營宗旨19七、 公司發展規劃20第三章 背景及必要性22一、 全球半導

2、體行業發展概況22二、 MOSFET器件概述22三、 功率器件應用發展機遇27四、 狠抓招商引資31五、 釋放民營經濟新活力32六、 項目實施的必要性32第四章 行業、市場分析34一、 功率半導體市場規模與競爭格局34二、 功率半導體行業概述34三、 功率MOSFET的行業發展趨勢36第五章 建筑技術方案說明39一、 項目工程設計總體要求39二、 建設方案40三、 建筑工程建設指標41建筑工程投資一覽表42第六章 建設內容與產品方案44一、 建設規模及主要建設內容44二、 產品規劃方案及生產綱領44產品規劃方案一覽表44第七章 運營管理46一、 公司經營宗旨46二、 公司的目標、主要職責46三

3、、 各部門職責及權限47四、 財務會計制度50第八章 SWOT分析56一、 優勢分析（S）56二、 劣勢分析（W）58三、 機會分析（O）58四、 威脅分析（T）59第九章 節能說明63一、 項目節能概述63二、 能源消費種類和數量分析64能耗分析一覽表64三、 項目節能措施65四、 節能綜合評價66第十章 人力資源配置68一、 人力資源配置68勞動定員一覽表68二、 員工技能培訓68第十一章 項目實施進度計劃70一、 項目進度安排70項目實施進度計劃一覽表70二、 項目實施保障措施71第十二章 原輔材料分析72一、 項目建設期原輔材料供應情況72二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理72第十

4、三章 項目投資計劃73一、 投資估算的依據和說明73二、 建設投資估算74建設投資估算表78三、 建設期利息78建設期利息估算表78固定資產投資估算表80四、 流動資金80流動資金估算表81五、 項目總投資82總投資及構成一覽表82六、 資金籌措與投資計劃83項目投資計劃與資金籌措一覽表83第十四章 項目經濟效益85一、 經濟評價財務測算85營業收入、稅金及附加和增值稅估算表85綜合總成本費用估算表86固定資產折舊費估算表87無形資產和其他資產攤銷估算表88利潤及利潤分配表90二、 項目盈利能力分析90項目投資現金流量表92三、 償債能力分析93借款還本付息計劃表94第十五章 風險分析96一、

5、 項目風險分析96二、 項目風險對策98第十六章 總結評價說明101第十七章 附表附錄102主要經濟指標一覽表102建設投資估算表103建設期利息估算表104固定資產投資估算表105流動資金估算表106總投資及構成一覽表107項目投資計劃與資金籌措一覽表108營業收入、稅金及附加和增值稅估算表109綜合總成本費用估算表109固定資產折舊費估算表110無形資產和其他資產攤銷估算表111利潤及利潤分配表112項目投資現金流量表113借款還本付息計劃表114建筑工程投資一覽表115項目實施進度計劃一覽表116主要設備購置一覽表117能耗分析一覽表117本期項目是基于公開的產業信息、市場分析、技術方案

6、等信息，并依托行業分析模型而進行的模板化設計，其數據參數符合行業基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。第一章 項目基本情況一、 項目名稱及項目單位項目名稱：撫順MOSFET功率器件項目項目單位：xxx（集團）有限公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xxx（待定），占地面積約75.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍1、項目背景及市場預測分析；2、建設規模的確定；3、建設場地及建設條件；4、工程設計方案；5、節能；6、環境保護、勞動安全、衛生與消防；7、組織機構與人力資源配置；8、項

7、目招標方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務分析。四、 編制依據和技術原則（一）編制依據1、一般工業項目可行性研究報告編制大綱;2、建設項目經濟評價方法與參數(第三版);3、建設項目用地預審管理辦法;4、投資項目可行性研究指南;5、產業結構調整指導目錄。（二）技術原則1、嚴格遵守國家和地方的有關政策、法規，認真執行國家、行業和地方的有關規范、標準規定；2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術路線，提高項目的競爭力和市場適應性；3、設備的布置根據現場實際情況，合理用地；4、嚴格執行“三同時”原則，積極推進“安全文明清潔”生產工藝，做到環境保護、勞動安全衛生、消防設施和工程建設同步規劃、同步實施

8、、同步運行，注意可持續發展要求，具有可操作彈性；5、形成以人為本、美觀的生產環境，體現企業文化和企業形象；6、滿足項目業主對項目功能、盈利性等投資方面的要求；7、充分估計工程各類風險，采取規避措施，滿足工程可靠性要求。五、 建設背景、規模（一）項目背景2019年全球MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業中，聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。（二）建設規模及產品方案該項目總占地面積50000.00（折合約75.00畝），預計場區規劃總建筑

9、面積90251.52。其中：生產工程67260.00，倉儲工程9996.00，行政辦公及生活服務設施8747.52，公共工程4248.00。項目建成后，形成年產xx件MOSFET功率器件的生產能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xxx（集團）有限公司將項目工程的建設周期確定為12個月，其工作內容包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投產等。七、 環境影響本項目的建設符合國家的產業政策，該項目建成后落實本評價要求的污染防治措施，認真履行“三同時”制度后，各項污染物均可實現達標排放，且不會降低評價區域原有環境質量功能級別。因而從環境影響的角

10、度而言，該項目是可行的。八、 建設投資估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資36863.28萬元，其中：建設投資27493.31萬元，占項目總投資的74.58%；建設期利息316.72萬元，占項目總投資的0.86%；流動資金9053.25萬元，占項目總投資的24.56%。（二）建設投資構成本期項目建設投資27493.31萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用23855.59萬元，工程建設其他費用2966.46萬元，預備費671.26萬元。九、 項目主要技術經濟指標（一）財務效益分析根據謹慎財務測算，項目達

11、產后每年營業收入76800.00萬元，綜合總成本費用63119.08萬元，納稅總額6514.23萬元，凈利潤10005.22萬元，財務內部收益率20.18%，財務凈現值9097.92萬元，全部投資回收期5.78年。（二）主要數據及技術指標表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積50000.00約75.00畝1.1總建筑面積90251.521.2基底面積30000.001.3投資強度萬元/畝352.062總投資萬元36863.282.1建設投資萬元27493.312.1.1工程費用萬元23855.592.1.2其他費用萬元2966.462.1.3預備費萬元671.262.2建設期利息萬

12、元316.722.3流動資金萬元9053.253資金籌措萬元36863.283.1自籌資金萬元23936.023.2銀行貸款萬元12927.264營業收入萬元76800.00正常運營年份5總成本費用萬元63119.08""6利潤總額萬元13340.29""7凈利潤萬元10005.22""8所得稅萬元3335.07""9增值稅萬元2838.53""10稅金及附加萬元340.63""11納稅總額萬元6514.23""12工業增加值萬元22071.87"

13、;"13盈虧平衡點萬元28794.80產值14回收期年5.7815內部收益率20.18%所得稅后16財務凈現值萬元9097.92所得稅后十、 主要結論及建議由上可見，無論是從產品還是市場來看，本項目設備較先進，其產品技術含量較高、企業利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強，具有良好的社會效益及一定的抗風險能力，因而項目是可行的。第二章 項目承辦單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx（集團）有限公司2、法定代表人：何xx3、注冊資本：990萬元4、統一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監督管理局6、成立日期：2010-8-247、營業期限：2010

14、-8-24至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區xx9、經營范圍：從事MOSFET功率器件相關業務（企業依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動；不得從事本市產業政策禁止和限制類項目的經營活動。）二、 公司簡介未來，在保持健康、穩定、快速、持續發展的同時，公司以“和諧發展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業責任，服務全國。公司堅持提升企業素質，即“企業管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經營水平進一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素質企業員工，

15、企業品牌影響力不斷提升。三、 公司競爭優勢（一）自主研發優勢公司在各個細分領域深入研究的同時，通過整合各平臺優勢，構建全產品系列，并不斷進行產品結構升級，順應行業一體化、集成創新的發展趨勢。通過多年積累，公司產品性能處于國內領先水平。公司多年來堅持技術創新，不斷改進和優化產品性能，實現產品結構升級。公司結合國內市場客戶的個性化需求，不斷升級技術，充分體現了公司的持續創新能力。在不斷開發新產品的過程中，公司已有多項產品均為國內領先水平。在注重新產品、新技術研發的同時，公司還十分重視自主知識產權的保護。（二）工藝和質量控制優勢公司進口大量設備和檢測設備，有效提高了精度、生產效率，為產品研發與確保產

16、品質量奠定了堅實的基礎。此外，公司是行業內較早通過ISO9001質量體系認證的企業之一，公司產品根據市場及客戶需要通過了產品認證，表明公司產品不僅滿足國內高端客戶的要求，而且部分產品能夠與國際標準接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產中，公司嚴格按照質量體系管理要求，不斷完善產品的研發、生產、檢驗、客戶服務等流程，保證公司產品質量的穩定性。（三）產品種類齊全優勢公司不僅能滿足客戶對標準化產品的需求，而且能根據客戶的個性化要求，定制生產規格、型號不同的產品。公司齊全的產品系列，完備的產品結構，能夠為客戶提供一站式服務。對公司來說，實現了對具有多種產品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了

17、客戶粘性。公司產品價格與國外同類產品相比有較強性價比優勢，在國內市場起到了逐步替代進口產品的作用。（四）營銷網絡及服務優勢根據公司產品服務的特點、客戶分布的地域特點，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區初步建立經銷商網絡，及時了解客戶需求，為客戶提供貼身服務，達到快速響應的效果。公司擁有一支行業經驗豐富的銷售團隊，在各區域配備銷售人員，建立從市場調研、產品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務的多維度銷售網絡體系。公司的服務覆蓋產品服務整個生命周期，公司多名銷售人員具有研發背景，可引導客戶的技術需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時、深入

18、的專業技術服務與支持。公司與經銷商互利共贏，結成了長期戰略合作伙伴關系，公司經銷網絡較為穩定，有利于深耕行業和區域市場，帶動經銷商共同成長。四、 公司主要財務數據公司合并資產負債表主要數據項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額12241.459793.169181.09負債總額6475.985180.784856.98股東權益合計5765.474612.384324.10公司合并利潤表主要數據項目2020年度2019年度2018年度營業收入58768.7047014.9644076.52營業利潤13805.3711044.3010354.03利潤總額11503.25920

19、2.608627.44凈利潤8627.446729.406211.76歸屬于母公司所有者的凈利潤8627.446729.406211.76五、 核心人員介紹1、何xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。2、戴xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監事會主席。3、周xx，中國國

20、籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執行董事、總經理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執行董事、總經理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執行董事、總經理。2018年3月起至今任公司董事長、總經理。4、肖xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監事。5、趙xx，中國國籍，無永久境外居留權，1971年出生，本科學歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務經理。201

21、7年3月至今任公司董事、副總經理、財務總監。6、沈xx，中國國籍，無永久境外居留權，1958年出生，本科學歷，高級經濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經理；2019年3月至今任公司董事。7、史xx，中國國籍，無永久境外居留權，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經理、總工程師。8、萬xx，中國國籍，197

22、8年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。六、 經營宗旨根據國家法律、行政法規的規定，依照誠實信用、勤勉盡責的原則，以專業經營的方式管理和經營公司資產，為全體股東創造滿意的投資回報。七、 公司發展規劃根據公司的發展規劃，未來幾年內公司的資產規模、業務規模、人員規模、資金運用規模都將有較大幅度的增長。隨著業務和規模的快速發展，公司的管理水平將面臨較大的考驗，尤其在公司迅速擴大經營規模后，公司的組織結構和管理體系將進一步復雜化，在戰略規劃、組織設計、資源配置、營銷策略、資金管理和內部控制等問

23、題上都將面對新的挑戰。另外，公司未來的迅速擴張將對高級管理人才、營銷人才、服務人才的引進和培養提出更高要求，公司需進一步提高管理應對能力，才能保持持續發展，實現業務發展目標。公司將采取多元化的融資方式，來滿足各項發展規劃的資金需求。在未來融資方面，公司將根據資金、市場的具體情況，擇時通過銀行貸款、配股、增發和發行可轉換債券等方式合理安排制定融資方案，進一步優化資本結構，籌集推動公司發展所需資金。公司將加快對各方面優秀人才的引進和培養，同時加大對人才的資金投入并建立有效的激勵機制，確保公司發展規劃和目標的實現。一方面，公司將繼續加強員工培訓，加快培育一批素質高、業務強的營銷人才、服務人才、管理人

24、才；對營銷人員進行溝通與營銷技巧方面的培訓，對管理人員進行現代企業管理方法的教育。另一方面，不斷引進外部人才。對于行業管理經驗杰出的高端人才，要加大引進力度，保持核心人才的競爭力。其三，逐步建立、完善包括直接物質獎勵、職業生涯規劃、長期股權激勵等多層次的激勵機制，充分調動員工的積極性、創造性，提升員工對企業的忠誠度。公司將嚴格按照公司法等法律法規對公司的要求規范運作，持續完善公司的法人治理結構，建立適應現代企業制度要求的決策和用人機制，充分發揮董事會在重大決策、選擇經理人員等方面的作用。公司將進一步完善內部決策程序和內部控制制度，強化各項決策的科學性和透明度，保證財務運作合理、合法、有效。公司

25、將根據客觀條件和自身業務的變化，及時調整組織結構和促進公司的機制創新。第三章 背景及必要性一、 全球半導體行業發展概況半導體是電子產品的核心，信息產業的基石。半導體行業具有下游應用廣泛、生產技術工序復雜、產品種類多、技術更新換代快、投資高、風險大等特點，全球半導體行業具有一定的周期性，景氣周期與宏觀經濟、下游應用需求以及自身產能庫存等因素密切相關。根據全球半導體貿易組織統計，全球半導體行業2019年市場規模達到4,123億美元，較2018年下降約12.1%。過去五年，隨著智能手機、平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發展，以及汽車電子、工業控制、物聯網等科技產業的興起，帶動了整個半導體行業規

26、模增長。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，應用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業控制、計算機及外設設備、電源管理等多個領域。2019年全球MOSFET器件市場需求規模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預計市場規模下降至73.88億美元，但預計未來全球MOSFET器件市場將繼續保持平穩回增，2024年市場規模有望恢復至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市

27、場占有率達到74.42%。中國本土企業中，聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據Omdia的統計，2019年我國MOSFET器件市場規模為33.42億美元，2017年-2019年復合年均增長率為7.89%，高于功率半導體行業平均的增速。在下游的應用領域中，消費電子、通信、工業控制、汽車電子占據了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續滲透持續帶動MOSFET器件的市場需求，在汽車電子領域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電機

28、驅動等動力控制系統，以及電池管理系統等功率變換模塊領域均發揮重要作用，有著廣闊的應用市場及發展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材料為基礎的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現。隨著功率器件在消費、醫藥、工業、運輸業中的廣泛應用，能夠降低成本

29、且提高系統效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要，多次注入的超級結和深槽的超級結MOSFET結構由此被提出。超級結MOSFET全稱超級結型MOSFET，是MOSFET結構設計的先進技術。該結構具備更好的導通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結構。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導致其導通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇增大，額定電流同步降低。超級結MOSFET的漂移區具有多個P

30、柱，可以補償N區中的電荷。在器件關斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導通時，N摻雜區作為導通時的電流通路。由此，超級結結構兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環境下的高性能功率器件。隨著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應用領域的發展，高壓超級結MO

31、SFET將擁有更快的市場增速。根據Omdia和Yole的統計及預測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復合增長為4.3%。其中，超級結MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態壓降。IGBT被廣泛應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路

32、、牽引傳動等領域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續擴大。根據Omdia的統計，2019年市場規模為16.03億美元，2017-2019年復合年均增長率為11.73%，2024年市場規模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據Omdia的統計，2017年我國IGBT分立器件市場規模為4.26億美元，2019年為6.05億美元，對應復合年均增長率為19.1

33、7%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業里的“CPU”。在中低電壓領域，IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領域，IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發電、智能電網等重要領域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產業起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領域已經實現了技術突破和國產化。此外，在新能源汽車領域，IGBT是電控系統和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源

34、汽車等新興市場的快速發展，IGBT產業將迎來黃金發展期。三、 功率器件應用發展機遇受益于新能源汽車和5G產業的高速發展，充電樁、5G通訊基站及車規級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結MOSFET為代表的高性能產品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發展機遇2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間，政府工作報告中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發新消費需求、助力產業升級”。公安部交通管理局公布數據顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛，與2019年年底相比增加36萬輛，增長率達到9.45%。伴隨新能源

35、汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現了快速增長，截止2019年12月，全國充電基礎設施累計數量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設數量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關等具有公共服務性質的機構置辦，服務對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共充電樁的數量由5.8萬個增長至51.6萬個，復合年增長率達到了72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善。“新基建

36、”對充電樁的建設驅動主要在以下幾方面：驅動公共樁建設提質且區域均衡發展，直流樁占比將持續提升，省份間差異有望縮小。推動優質場站建設，完善配套設施申報流程辦理。推動小區、商場等停車位充電樁建設。促進對運營商的建設與充電運營流程支持。（2）超級結MOSFET功率器件迎來快速發展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網連接，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共

37、交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛，對應的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據2016-2019年新增公共直流樁平均功率數據，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大，從6

38、9.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品，具體應用于充電樁的功率因數校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分

39、受益于充電樁的快速建設。據英飛凌統計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預計隨著充電樁的不斷建設，功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發展機遇。 2、5G基站（1）5G建設規模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業和信息化部發言人指出，中國已累計建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網絡建設及應用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動功率半導體需求5G建設將從四個

40、方面拉動功率半導體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設更為密集，帶來更大的電源供應需求；2）射頻端功率半導體用量提升；3）霧計算為功率半導體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導體用量。MIMO即多進多出，指在發送端和接收端都使用多根天線、在收發之間構成多個信道的天線系統，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發送功率的情況下，提升系統信道容量和信號覆蓋范圍。數量上，傳統網絡天線的通道數為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直

41、方向移動，類似與平面發射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。5G網絡主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發射功率又受到限制，所以5G網絡部署需要增加發射天線和接收天線的數量，使用MassiveMIMO技術。根據英飛凌的統計，傳統MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構呈分布式，更接近網絡邊緣。霧計算將數據、數據處理和應用程序集中在網絡邊緣的設備

42、中，數據的存儲及處理更依賴本地設備，本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。四、 狠抓招商引資招商引資是當前經濟工作的“生命線”和“牛鼻子”，是決定能否實現預期目標的關鍵。新撫區圍繞綠色循環產業和服務業升級，望花區圍繞冶金新材料和新能源，東洲區圍繞精細化工及化工新材料，順城區圍繞裝備制造和現代服務業，撫順縣、清原縣和新賓縣圍繞木材加工、生態環保、清潔能源、文化旅游、有機農業，有針對性地赴京津冀、長三角、珠三角精準招商。緊扣建鏈強鏈補鏈，發揮“鏈主”企業作用，開展以商招商、產業鏈招商。完善招商引資獎勵辦法，激發全域全員招商引資積極性，形成“天天在路上、人人都招商”的濃厚氛圍。五、 釋放民營經

43、濟新活力要更大力度支持本土企業發展，與企業家交朋友，要“親”而有度、“清”而有為，依法保護企業家合法權益，壯大企業家隊伍，讓他們在撫盡顯身手、發財發展。主動幫助企業新上項目、技術改造、融資引智，促進大中小企業協作配套、抱團發展、互惠共贏。深入貫徹落實撫順市促進民營經濟發展條例，持續解決民營企業歷史遺留問題，全面取消企業醫保調劑金。全年實現“個轉企”“小升規”“規升巨”分別為600戶、25戶和3戶。六、 項目實施的必要性（一）現有產能已無法滿足公司業務發展需求作為行業的領先企業，公司已建立良好的品牌形象和較高的市場知名度，產品銷售形勢良好，產銷率超過 100%。預計未來幾年公司的銷售規模仍將保持

44、快速增長。隨著業務發展，公司現有廠房、設備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優化生產流程、強化管理等手段，不斷挖掘產能潛力，但仍難以從根本上緩解產能不足問題。通過本次項目的建設，公司將有效克服產能不足對公司發展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎。（二）公司產品結構升級的需要隨著制造業智能化、自動化產業升級，公司產品的性能也需要不斷優化升級。公司只有以技術創新和市場開發為驅動，不斷研發新產品，提升產品精密化程度，將產品質量水平提升到同類產品的領先水準，提高生產的靈活性和適應性，契合關鍵零部件國產化的需求，才能在與國外企業的競爭中獲得優勢，保持公司在領域的國內領先地位。第四章 行業、市場分

45、析一、 功率半導體市場規模與競爭格局根據Omdia預測，2019年全球功率半導體市場規模約為464億美元，預計至2024年市場規模將增長至522億美元，2019-2024的年化復合增長率為2.4%。在功率半導體領域，國際廠商優勢明顯，全球前十大功率半導體公司均為海外廠商，包括英飛凌（Infineon）、德州儀器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半導體（STMicroelectronics）等。行業整體集中度較低，2019年以銷售額計的全球功率半導體龍頭企業英飛凌市場份額為13.49%，前十大企業市場份額合計為51.93%。目前國內功率半導體產業

46、鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導體消費國，2019年市場規模達到177億美元，增速為-3.3%，占全球市場比例高達38%。預計未來中國功率半導體將繼續保持平穩增長，2024年市場規模有望達到206億美元，2019-2024年的年化復合增長率達3.1%。二、 功率半導體行業概述1、功率半導體介紹功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。近年來，隨著國民經濟的快速發展，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。功率半導體可以分為

47、功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT等產品。在功率半導體發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20世紀90年代，超級結MOSFET逐步出現，打破了傳統硅基產品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應用需求。對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化

48、，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的技術發展情況隨著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對于功率MOSFET而言，技術驅動的性能提升主要包括三個方面：更高的開關頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現更高的性能指標，功率器件主要經歷了工藝進步、器件結構改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質因數（FOM）以及開關效率。在器件結構改進方面，功率器

49、件經歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結（SuperJunction）等器件結構的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第三代半導體功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關特性、降低了功耗，也改善了其高溫特性。三、 功率MOSFET的行業發展趨勢1、工藝進步、器件結構改進所帶來的變化采用新型器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現更好的性能，從而導致采用傳統技術的功率器件的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產工藝不斷進行技術演進，當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產工藝演進到成

50、熟穩定的階段時，就會對現有的功率MOSFET進行替代。同時，隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升，也需要采用更高性能的功率器件以實現產品升級。因此，高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍，實現市場的普及。未來的5年中會出現新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOSFET；超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統的VDMOS。第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術

51、的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產業化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據Yole的數據，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產業化起步階段，國內已發布多個政策積極推進第三代半導體行業的發展，例如2019年國務院發布長江三角洲區域一體化發展規劃綱要，提出要加快培育一批第三代半導體企業。2、功率器件集成化趨勢除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優化外，終端領域的高功率密度需求也帶動了功

52、率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結構更復雜；在小功率應用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業領域仍是功率模塊的主要應用領域。隨著新能源汽車、5G技術的興起，功率器件模塊化趨勢將愈發顯著。根據Omdia預測，2020-2024年分立器件市場增速為2.8%，而功率模塊市場增速為9.2%，高于分立器件市場增速。第五章 建筑技術方案說明一、 項目工程設計總體要求（一）總圖布置原則1、強調“以人為本”的設計思想，處理好人與建筑、人與環境、

53、人與交通、人與空間以及人與人之間的關系。從總體上統籌考慮建筑、道路、綠化空間之間的和諧，創造一個宜于生產的環境空間。2、合理配置自然資源，優化用地結構，配套建設各項目設施。3、工程內容、建筑面積和建筑結構應適應工藝布置要求，滿足生產使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地質條件，合理改造利用地形，減少土石方工程量，重視保護生態環境，增強景觀效果。5、工程方案在滿足使用功能、確保質量的前提下，力求降低造價，節約建設資金。6、建筑風格與區域建筑風格吻合，與周邊各建筑色彩協調一致。7、貫徹環保、安全、衛生、綠化、消防、節能、節約用地的設計原則。（二）總體規劃原則1、總平面布置的指導原則是合理布局，

54、節約用地，適當預留發展余地。廠區布置工藝物料流向順暢，道路、管網連接順暢。建筑物布局按建筑設計防火規范進行，滿足生產、交通、防火的各種要求。2、本項目總圖布置按功能分區，分為生產區、動力區和辦公生活區。既滿足生產工藝要求，又能美化環境。3、按照廠區整體規劃，廠區圍墻采用鐵藝圍墻。全廠設計兩個出入口，廠區道路為環形，主干道寬度為9m，次干道寬度為6m，聯系各出入口形成順暢的運輸和消防通道。4、本項目在廠區內道路兩旁，建（構）筑物周圍充分進行綠化，并在廠區空地及入口處重點綠化，種植適宜生長的樹木和花卉，創造文明生產環境。二、 建設方案（一）混凝土要求根據混凝土結構耐久性設計規范（GB/T50476

55、）之規定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。3、埋件鋼板采用Q235鋼、Q345鋼，吊鉤用HPB235。4、鋼材連接所用焊條及方式按相應標準及規范要求。（三）隔墻、圍護墻材料本工程框架結構的填充墻采用符合環境保護和節能要求的砌體材料（多孔磚），材料強度均應符合GB50003規范要求：多孔磚強度MU10.00，砂漿強度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保護層1、水泥選用標準：水泥品種一般采用普通硅酸鹽水泥，并根據建（構）筑物的特點和所處的環境條件合理選用添加劑。2、混凝土保護層：結構構件受力鋼筋的混凝土保護層厚度