1、泓域咨詢/三門峽MOSFET功率器件項目實施方案報告說明功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。近年來，隨著國民經濟的快速發展，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。根據謹慎財務估算，項目總投資15412.94萬元，其中：建設投資11289.94萬元，占項目總投資的73.25%；建設期利息325.49萬元，占項目總投資的2.11%；流動資金3797.51萬元，占項目總投資的24.64%。項目正常運營每年營業收入32800.00萬元，綜合總成本費用2545

2、6.29萬元，凈利潤5380.43萬元，財務內部收益率26.89%，財務凈現值8456.01萬元，全部投資回收期5.51年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現值良好，投資回收期合理。項目建設符合國家產業政策，具有前瞻性；項目產品技術及工藝成熟，達到大批量生產的條件，且項目產品性能優越，是推廣型產品；項目產品采用了目前國內最先進的工藝技術方案；項目設施對環境的影響經評價分析是可行的；根據項目財務評價分析，經濟效益好，在財務方面是充分可行的。本期項目是基于公開的產業信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業分析模型而進行的模板化設計，其數據參數符合行業基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學

3、習參考模板用途。目錄第一章 項目概況8一、 項目名稱及建設性質8二、 項目承辦單位8三、 項目定位及建設理由9四、 報告編制說明11五、 項目建設選址13六、 項目生產規模13七、 建筑物建設規模13八、 環境影響13九、 項目總投資及資金構成14十、 資金籌措方案14十一、 項目預期經濟效益規劃目標15十二、 項目建設進度規劃15主要經濟指標一覽表15第二章 項目背景分析18一、 功率MOSFET的行業發展趨勢18二、 全球半導體行業發展概況19三、 MOSFET器件概述20四、 堅持深化改革開放，建設更高水平開放型經濟新體制25第三章 市場分析28一、 中國半導體行業發展概況28二、 功率

4、半導體行業概述28三、 功率器件應用發展機遇30第四章 項目承辦單位基本情況36一、 公司基本信息36二、 公司簡介36三、 公司競爭優勢37四、 公司主要財務數據39公司合并資產負債表主要數據39公司合并利潤表主要數據39五、 核心人員介紹40六、 經營宗旨41七、 公司發展規劃42第五章 建筑工程方案分析44一、 項目工程設計總體要求44二、 建設方案44三、 建筑工程建設指標45建筑工程投資一覽表45第六章 產品規劃方案47一、 建設規模及主要建設內容47二、 產品規劃方案及生產綱領47產品規劃方案一覽表47第七章 運營管理49一、 公司經營宗旨49二、 公司的目標、主要職責49三、 各

5、部門職責及權限50四、 財務會計制度54第八章 SWOT分析57一、 優勢分析（S）57二、 劣勢分析（W）59三、 機會分析（O）59四、 威脅分析（T）60第九章 法人治理結構68一、 股東權利及義務68二、 董事70三、 高級管理人員74四、 監事77第十章 工藝技術設計及設備選型方案79一、 企業技術研發分析79二、 項目技術工藝分析82三、 質量管理83四、 設備選型方案84主要設備購置一覽表85第十一章 原輔材料及成品分析86一、 項目建設期原輔材料供應情況86二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理86第十二章 項目環保分析88一、 編制依據88二、 建設期大氣環境影響分析89三、

6、 建設期水環境影響分析93四、 建設期固體廢棄物環境影響分析93五、 建設期聲環境影響分析94六、 環境管理分析95七、 結論97八、 建議97第十三章 勞動安全生產99一、 編制依據99二、 防范措施102三、 預期效果評價104第十四章 項目投資分析106一、 投資估算的編制說明106二、 建設投資估算106建設投資估算表108三、 建設期利息108建設期利息估算表109四、 流動資金110流動資金估算表110五、 項目總投資111總投資及構成一覽表111六、 資金籌措與投資計劃112項目投資計劃與資金籌措一覽表113第十五章 經濟效益評價115一、 基本假設及基礎參數選取115二、 經濟

7、評價財務測算115營業收入、稅金及附加和增值稅估算表115綜合總成本費用估算表117利潤及利潤分配表119三、 項目盈利能力分析120項目投資現金流量表121四、 財務生存能力分析123五、 償債能力分析123借款還本付息計劃表124六、 經濟評價結論125第十六章 招標、投標126一、 項目招標依據126二、 項目招標范圍126三、 招標要求127四、 招標組織方式127五、 招標信息發布131第十七章 項目綜合評價132第十八章 補充表格134主要經濟指標一覽表134建設投資估算表135建設期利息估算表136固定資產投資估算表137流動資金估算表138總投資及構成一覽表139項目投資計劃與

8、資金籌措一覽表140營業收入、稅金及附加和增值稅估算表141綜合總成本費用估算表141利潤及利潤分配表142項目投資現金流量表143借款還本付息計劃表145第一章 項目概況一、 項目名稱及建設性質（一）項目名稱三門峽MOSFET功率器件項目（二）項目建設性質本項目屬于新建項目二、 項目承辦單位（一）項目承辦單位名稱xx（集團）有限公司（二）項目聯系人許xx（三）項目建設單位概況本公司秉承“顧客至上，銳意進取”的經營理念，堅持“客戶第一”的原則為廣大客戶提供優質的服務。公司堅持“責任+愛心”的服務理念，將誠信經營、誠信服務作為企業立世之本，在服務社會、方便大眾中贏得信譽、贏得市場。“滿足社會和業

9、主的需要，是我們不懈的追求”的企業觀念，面對經濟發展步入快車道的良好機遇，正以高昂的熱情投身于建設宏偉大業。經過多年的發展，公司擁有雄厚的技術實力，豐富的生產經營管理經驗和可靠的產品質量保證體系，綜合實力進一步增強。公司將繼續提升供應鏈構建與管理、新技術新工藝新材料應用研發。集團成立至今，始終堅持以人為本、質量第一、自主創新、持續改進，以技術領先求發展的方針。公司在發展中始終堅持以創新為源動力，不斷投入巨資引入先進研發設備，更新思想觀念，依托優秀的人才、完善的信息、現代科技技術等優勢，不斷加大新產品的研發力度，以實現公司的永續經營和品牌發展。未來，在保持健康、穩定、快速、持續發展的同時，公司以

10、“和諧發展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業責任，服務全國。三、 項目定位及建設理由目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛，對應的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。當今世界正經歷百年未有之大變局

11、，和平與發展仍然是時代主題，但國際環境日趨復雜，世界進入動蕩變革期。我國經濟穩中向好、長期向好的趨勢沒有改變，但發展不平衡不充分問題仍然突出，區域經濟發展分化態勢日益明顯，發展動力極化現象日益突出，前進道路上依然面臨很多困難。必須統籌中華民族偉大復興戰略全局和世界百年未有之大變局，科學研判三門峽市發展的“時”與“勢”，辯證把握前進道路上的“危”和“機”。從機遇和條件看，黃河流域生態保護和高質量發展、中部地區崛起、鄭洛西高質量發展合作帶和晉陜豫黃河金三角承接產業轉移示范區建設等政策優勢疊加，省委“十四五”規劃建議明確提出支持三門峽建設省際區域中心城市；三門峽市工業基礎雄厚，制造業體系較為完備，樞

12、紐和腹地支撐處于強勢地位，特色農業識別度高，生態屏障作用更加凸顯，白天鵝等城市品牌已經形成，干部隊伍士氣高漲，有利于三門峽市找準定位、精準發力，搶占發展制高點，更好地服務新發展格局。從困難和挑戰看，各地都在搶抓機遇、加快發展，三門峽市經濟總量不夠大、產業層次不夠高、人口規模和結構不夠合理、開放意識不夠強等問題仍然存在，創新鏈、產業鏈、供應鏈存在薄弱環節，供給側結構性改革任務還比較繁重，資源配置效率和治理效能還需不斷提升。綜合研判，三門峽市正處于發展位勢鞏固強化、動能轉換加速突破、治理能力系統加速提升的重要階段，矛盾風險挑戰加速演變，但經濟長期向好的基本面沒有改變，內在向上的基本趨勢沒有改變。我

13、們要深刻認識新發展階段帶來的新方位新機遇，深刻認識社會主要矛盾變化帶來的新特征新要求，深刻認識錯綜復雜的國際環境帶來的新矛盾新挑戰，善于打破常規、創新突破，努力在危機中育先機、于變局中開新局。四、 報告編制說明（一）報告編制依據1、國家建設方針，政策和長遠規劃；2、項目建議書或項目建設單位規劃方案；3、可靠的自然，地理，氣候，社會，經濟等基礎資料；4、其他必要資料。（二）報告編制原則1、政策符合性原則：報告的內容應符合國家產業政策、技術政策和行業規劃。2、循環經濟原則：樹立和落實科學發展觀、構建節約型社會。以當地的資源優勢為基礎，通過對本項目的工藝技術方案、產品方案、建設規模進行合理規劃，提高

14、資源利用率，減少生產過程的資源和能源消耗延長生產技術鏈，減少生產過程的污染排放，走出一條有市場、科技含量高、經濟效益好、資源消耗低、環境污染少、資源優勢得到充分發揮的新型工業化路子，實現可持續發展。3、工藝先進性原則：按照“工藝先進、技術成熟、裝置可靠、經濟運行合理”的原則，積極應用當今的各項先進工藝技術、環境技術和安全技術，能耗低、三廢排放少、產品質量好、經濟效益明顯。4、提高勞動生產率原則：近一步提高信息化水平，切實達到提高產品的質量、降低成本、減輕工人勞動強度、降低工廠定員、保證安全生產、提高勞動生產率的目的。5、產品差異化原則：認真分析市場需求、了解市場的區域性差別、針對產品的差異化要

15、求、區異化的特點，來設計不同品種、不同的規格、不同質量的產品以滿足不同用戶的不同要求，以此來擴大市場占有率，尋求經濟效益最大化，提高企業在國內外的知名度。（二） 報告主要內容1、項目背景及市場預測分析；2、建設規模的確定；3、建設場地及建設條件；4、工程設計方案；5、節能；6、環境保護、勞動安全、衛生與消防；7、組織機構與人力資源配置；8、項目招標方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務分析。五、 項目建設選址本期項目選址位于xx（以選址意見書為準），占地面積約39.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。六、 項目生產規

16、模項目建成后，形成年產xxx件MOSFET功率器件的生產能力。七、 建筑物建設規模本期項目建筑面積40230.49，其中：生產工程25465.44，倉儲工程4397.12，行政辦公及生活服務設施4864.25，公共工程5503.68。八、 環境影響本項目符合國家產業政策，符合宜規劃要求，項目所在區域環境質量良好，項目在運營過程應嚴格遵守國家和地方的有關環保法規，采取切實可行的環境保護措施，各項污染物都能達標排放，將環境管理納入日常生產管理渠道，項目正常運營對周圍環境產生的影響較小，不會引起區域環境質量的改變，從環境影響角度考慮，本評價認為該項目建設是可行的。九、 項目總投資及資金構成（一）項目

17、總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資15412.94萬元，其中：建設投資11289.94萬元，占項目總投資的73.25%；建設期利息325.49萬元，占項目總投資的2.11%；流動資金3797.51萬元，占項目總投資的24.64%。（二）建設投資構成本期項目建設投資11289.94萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用10132.15萬元，工程建設其他費用920.35萬元，預備費237.44萬元。十、 資金籌措方案本期項目總投資15412.94萬元，其中申請銀行長期貸款6642.69萬元，其余部分由企業自籌。十一、

18、項目預期經濟效益規劃目標（一）經濟效益目標值（正常經營年份）1、營業收入（SP）：32800.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：25456.29萬元。3、凈利潤（NP）：5380.43萬元。（二）經濟效益評價目標1、全部投資回收期（Pt）：5.51年。2、財務內部收益率：26.89%。3、財務凈現值：8456.01萬元。十二、 項目建設進度規劃本期項目按照國家基本建設程序的有關法規和實施指南要求進行建設，本期項目建設期限規劃24個月。十四、項目綜合評價項目產品應用領域廣泛，市場發展空間大。本項目的建立投資合理，回收快，市場銷售好，無環境污染，經濟效益和社會效益良好，這也奠定了公司可持續發展

19、的基礎。主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積26000.00約39.00畝1.1總建筑面積40230.491.2基底面積14560.001.3投資強度萬元/畝287.662總投資萬元15412.942.1建設投資萬元11289.942.1.1工程費用萬元10132.152.1.2其他費用萬元920.352.1.3預備費萬元237.442.2建設期利息萬元325.492.3流動資金萬元3797.513資金籌措萬元15412.943.1自籌資金萬元8770.253.2銀行貸款萬元6642.694營業收入萬元32800.00正常運營年份5總成本費用萬元25456.29"&quo

20、t;6利潤總額萬元7173.90""7凈利潤萬元5380.43""8所得稅萬元1793.47""9增值稅萬元1415.14""10稅金及附加萬元169.81""11納稅總額萬元3378.42""12工業增加值萬元11196.33""13盈虧平衡點萬元10542.67產值14回收期年5.5115內部收益率26.89%所得稅后16財務凈現值萬元8456.01所得稅后第二章 項目背景分析一、 功率MOSFET的行業發展趨勢1、工藝進步、器件結構改進所帶來的變化采

21、用新型器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現更好的性能，從而導致采用傳統技術的功率器件的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產工藝不斷進行技術演進，當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產工藝演進到成熟穩定的階段時，就會對現有的功率MOSFET進行替代。同時，隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升，也需要采用更高性能的功率器件以實現產品升級。因此，高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍，實現市場的普及。未來的5年中會出現新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOS

22、FET；超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統的VDMOS。第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產業化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據Yole的數據，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產業化起步階段，國內已發布多個

23、政策積極推進第三代半導體行業的發展，例如2019年國務院發布長江三角洲區域一體化發展規劃綱要，提出要加快培育一批第三代半導體企業。2、功率器件集成化趨勢除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優化外，終端領域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結構更復雜；在小功率應用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業領域仍是功率模塊的主要應用領域。隨著新能源汽車、5G技術的興起，功率器件模塊化趨勢將愈發顯著。根據Omd

24、ia預測，2020-2024年分立器件市場增速為2.8%，而功率模塊市場增速為9.2%，高于分立器件市場增速。二、 全球半導體行業發展概況半導體是電子產品的核心，信息產業的基石。半導體行業具有下游應用廣泛、生產技術工序復雜、產品種類多、技術更新換代快、投資高、風險大等特點，全球半導體行業具有一定的周期性，景氣周期與宏觀經濟、下游應用需求以及自身產能庫存等因素密切相關。根據全球半導體貿易組織統計，全球半導體行業2019年市場規模達到4,123億美元，較2018年下降約12.1%。過去五年，隨著智能手機、平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發展，以及汽車電子、工業控制、物聯網等科技產業的興起，帶

25、動了整個半導體行業規模增長。三、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，應用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業控制、計算機及外設設備、電源管理等多個領域。2019年全球MOSFET器件市場需求規模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預計市場規模下降至73.88億美元，但預計未來全球MOSFET器件市場將繼續保持平穩回增，2024年市場規模有望恢復至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.

26、79%，前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業中，聞泰收購的安世半導體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據Omdia的統計，2019年我國MOSFET器件市場規模為33.42億美元，2017年-2019年復合年均增長率為7.89%，高于功率半導體行業平均的增速。在下游的應用領域中，消費電子、通信、工業控制、汽車電子占據了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續滲透持續帶動MOSFET器件的市場需求，在汽車電子領域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅動

27、、電動助力轉向及電機驅動等動力控制系統，以及電池管理系統等功率變換模塊領域均發揮重要作用，有著廣闊的應用市場及發展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材料為基礎的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現。隨著功率器件在消費、醫藥、工業、運輸業中的廣

28、泛應用，能夠降低成本且提高系統效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要，多次注入的超級結和深槽的超級結MOSFET結構由此被提出。超級結MOSFET全稱超級結型MOSFET，是MOSFET結構設計的先進技術。該結構具備更好的導通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結構。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導致其導通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇增大，額定電流同步降低。超級結MOSFE

29、T的漂移區具有多個P柱，可以補償N區中的電荷。在器件關斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導通時，N摻雜區作為導通時的電流通路。由此，超級結結構兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環境下的高性能功率器件。隨著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應用領域的

30、發展，高壓超級結MOSFET將擁有更快的市場增速。根據Omdia和Yole的統計及預測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復合增長為4.3%。其中，超級結MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態壓降。IGBT被廣泛應用于逆變器、變頻器

31、、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續擴大。根據Omdia的統計，2019年市場規模為16.03億美元，2017-2019年復合年均增長率為11.73%，2024年市場規模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據Omdia的統計，2017年我國IGBT分立器件市場規模為4.26億美元，2019年為6.05億美元，對應復合

32、年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業里的“CPU”。在中低電壓領域，IGBT廣泛應用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領域，IGBT廣泛應用于軌道交通、清潔發電、智能電網等重要領域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產業起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領域已經實現了技術突破和國產化。此外，在新能源汽車領域，IGBT是電控系統和直流充電樁的核心

33、器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發展，IGBT產業將迎來黃金發展期。四、 堅持深化改革開放，建設更高水平開放型經濟新體制堅持對標先進找差距、解放思想找出路，推進更深層次改革，實行更高水平開放，推動有效市場和有為政府更好結合，加快質量變革、效率變革、動力變革，為構建新發展格局提供強大支撐。加快破除體制機制障礙。持續深入推進開發區（產業集聚區）體制機制改革，推動開發區（產業集聚區）“二次創業”。從產業規劃、國資公司、功能園區、產業基金、合作院所、服務機構、龍頭企業、公共平臺、品牌盛會等多個方面，全面構建完善特色產業、新興產業培育機制。通過開展增量配電業務改革、探索黃河金三角次區域合作等多種

34、途徑，破解企業用電成本高等難題。深化預算管理制度改革、市縣政府事權與支出責任劃分改革、收入征管制度改革，健全政府債務管理制度，增強重大戰略任務財力保障和基層公共服務保障，強化預算約束和績效管理。加快推進教育、醫療衛生、社會保障、文化、體育等領域體制改革。持續激發市場活力。引導土地、勞動力、資本、技術、數據等各類要素協同向先進生產力集聚，實現要素價格市場決定、流動自主有序、配置高效靈活。實施國企改革三年行動計劃，促進國有資產保值增值，充分發揮不同類別國資國企的功能作用。優化民營經濟發展環境，構建親清政商關系，持續開展民營經濟“兩個健康”提升行動暨“一聯三幫”專項行動，探索建立有效征集企業意見、推

35、動政策落實的機制平臺，依法平等保護民營企業產權和企業家權益。大力弘揚新時代企業家精神。積極構建國際化、市場化、法治化營商環境。深化“放管服”改革，實施審批流程深度再造，完善“一窗受理”機制，推進“不見面”審批方式，全面提高審批質效。完善承諾制和跟蹤服務制，全面推行“雙隨機一公開”，加強事中事后監管。加強社會信用體系和企業誠信體系建設，完善信用信息共享平臺，健全失信行為認定、失信聯合懲戒等機制，營造公開、公平、公正、可預期的法治環境。實行營商環境“一票否決”制，嚴格落實“四掛鉤”制度。打造高能級開放平臺體系。建設中國（河南）自由貿易試驗區三門峽開放創新聯動區。申建三門峽市保稅物流中心（B型），力

36、爭升級為三門峽綜合保稅區。申建跨境電商綜合實驗區，建設國家電子商務示范基地。創建國家級銅箔產品質量檢驗認證及研發中心。完善綜合性通關平臺服務體系，加強與港口、航空、鐵路等口岸全方位合作。圍繞暢通外貿產業鏈、供應鏈、穩定國際市場份額，持續引進、培育外貿綜合服務平臺龍頭企業。積極融入全省空中、陸上、網上、海上絲綢之路“四路協同”建設和全省陸港“一核多極”聯動發展體系，申建離岸港口。支持本專科院校設立對外開放相關專業。加快培育開放型經濟體制。強化互聯網思維，做大基金招商、做實園區招商、做優以商招商、做精專業招商，通過企業并購、發展飛地經濟等方式，積極承接產業轉移。針對重點產業分類制定精準招商、基金招

37、商、產業鏈招商、以商招商相關政策。制定完善簽約項目跟蹤落地機制和招商后續考核監管制度。積極對接鄭州都市圈、洛陽都市圈、關中平原城市群建設，加強與港澳臺、東部沿海地區、“一帶一路”沿線、晉陜豫黃河金三角區域城市合作交流，通過融入國家大戰略、建設省際大樞紐、構筑開放大平臺，打造內陸特色化開放新高地。第三章 市場分析一、 中國半導體行業發展概況我國本土半導體行業起步較晚。但在政策支持、市場拉動及資本推動等因素合力下，中國半導體行業不斷發展。步入21世紀以來，我國半導體產業市場規模得到快速增長。2020年，中國半導體產業市場規模達8,848億元，比上年增長17.01%。2013-2020年中國半導體市

38、場規模的復合增長率達19.73%，顯著高于同期世界半導體市場的增速。隨著近年國家集成電路產業發展推進綱要中國制造2025國家信息化發展戰略綱要等重要文件的出臺，以及社會各界對半導體行業的發展、產業鏈重構的日益重視，我國半導體行業正站在國產化的起跑線上。隨著5G、AI、物聯網、自動駕駛、VR/AR等新一輪科技逐漸走向產業化，未來十年中國半導體行業有望迎來進口替代與成長的黃金時期，逐步在全球半導體市場的結構性調整中占據舉足輕重的地位。在貿易摩擦等宏觀環境不確定性增加的背景下，加速進口替代、實現半導體產業自主可控已上升到國家戰略高度，中國半導體行業發展迎來了歷史性的機遇。二、 功率半導體行業概述1、

39、功率半導體介紹功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。近年來，隨著國民經濟的快速發展，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT等產品。在功率半導體發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發展起來。

40、20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20世紀90年代，超級結MOSFET逐步出現，打破了傳統硅基產品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應用需求。對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的技術發展情況隨著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對于功率MOSFET而言，技術驅動的性能提升主要包括三個方面：更

41、高的開關頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現更高的性能指標，功率器件主要經歷了工藝進步、器件結構改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質因數（FOM）以及開關效率。在器件結構改進方面，功率器件經歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結（SuperJunction）等器件結構的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第三代半導體功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關特性、降低了功耗，也改善了其高溫特性。三、 功率器件應用發展機遇受

42、益于新能源汽車和5G產業的高速發展，充電樁、5G通訊基站及車規級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結MOSFET為代表的高性能產品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發展機遇2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間，政府工作報告中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發新消費需求、助力產業升級”。公安部交通管理局公布數據顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛，與2019年年底相比增加36萬輛，增長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現了快速增長，截止2019年1

43、2月，全國充電基礎設施累計數量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設數量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關等具有公共服務性質的機構置辦，服務對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共充電樁的數量由5.8萬個增長至51.6萬個，復合年增長率達到了72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善。“新基建”對充電樁的建設驅動主要在以下幾方面：驅動公共樁建設提質且區域均衡發展，直流樁占比將

44、持續提升，省份間差異有望縮小。推動優質場站建設，完善配套設施申報流程辦理。推動小區、商場等停車位充電樁建設。促進對運營商的建設與充電運營流程支持。（2）超級結MOSFET功率器件迎來快速發展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網連接，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設更廣泛，對應的充電功率分為3.

45、5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據2016-2019年新增公共直流樁平均功率數據，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大，從69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的

46、公共直流樁充電功率已經基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品，具體應用于充電樁的功率因數校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設。據英飛凌統計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-

47、300美元，預計隨著充電樁的不斷建設，功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發展機遇。 2、5G基站（1）5G建設規模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業和信息化部發言人指出，中國已累計建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網絡建設及應用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動功率半導體需求5G建設將從四個方面拉動功率半導體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設更為密集，帶來更大的電源供應

48、需求；2）射頻端功率半導體用量提升；3）霧計算為功率半導體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導體用量。MIMO即多進多出，指在發送端和接收端都使用多根天線、在收發之間構成多個信道的天線系統，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發送功率的情況下，提升系統信道容量和信號覆蓋范圍。數量上，傳統網絡天線的通道數為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂

49、直維度空域。5G網絡主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發射功率又受到限制，所以5G網絡部署需要增加發射天線和接收天線的數量，使用MassiveMIMO技術。根據英飛凌的統計，傳統MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構呈分布式，更接近網絡邊緣。霧計算將數據、數據處理和應用程序集中在網絡邊緣的設備中，數據的存儲及處理更依賴本地設備，本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。第四

50、章 項目承辦單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xx（集團）有限公司2、法定代表人：許xx3、注冊資本：1100萬元4、統一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監督管理局6、成立日期：2013-2-277、營業期限：2013-2-27至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區xx9、經營范圍：從事MOSFET功率器件相關業務（企業依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動；不得從事本市產業政策禁止和限制類項目的經營活動。）二、 公司簡介公司在發展中始終堅持以創新為源動力，不斷投入巨資引入先進研發設備，更新思想

51、觀念，依托優秀的人才、完善的信息、現代科技技術等優勢，不斷加大新產品的研發力度，以實現公司的永續經營和品牌發展。未來，在保持健康、穩定、快速、持續發展的同時，公司以“和諧發展”為目標，踐行社會責任，秉承“責任、公平、開放、求實”的企業責任，服務全國。三、 公司競爭優勢（一）自主研發優勢公司在各個細分領域深入研究的同時，通過整合各平臺優勢，構建全產品系列，并不斷進行產品結構升級，順應行業一體化、集成創新的發展趨勢。通過多年積累，公司產品性能處于國內領先水平。公司多年來堅持技術創新，不斷改進和優化產品性能，實現產品結構升級。公司結合國內市場客戶的個性化需求，不斷升級技術，充分體現了公司的持續創新能

52、力。在不斷開發新產品的過程中，公司已有多項產品均為國內領先水平。在注重新產品、新技術研發的同時，公司還十分重視自主知識產權的保護。（二）工藝和質量控制優勢公司進口大量設備和檢測設備，有效提高了精度、生產效率，為產品研發與確保產品質量奠定了堅實的基礎。此外，公司是行業內較早通過ISO9001質量體系認證的企業之一，公司產品根據市場及客戶需要通過了產品認證，表明公司產品不僅滿足國內高端客戶的要求，而且部分產品能夠與國際標準接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產中，公司嚴格按照質量體系管理要求，不斷完善產品的研發、生產、檢驗、客戶服務等流程，保證公司產品質量的穩定性。（三）產品種類齊全優勢公司不

53、僅能滿足客戶對標準化產品的需求，而且能根據客戶的個性化要求，定制生產規格、型號不同的產品。公司齊全的產品系列，完備的產品結構，能夠為客戶提供一站式服務。對公司來說，實現了對具有多種產品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了客戶粘性。公司產品價格與國外同類產品相比有較強性價比優勢，在國內市場起到了逐步替代進口產品的作用。（四）營銷網絡及服務優勢根據公司產品服務的特點、客戶分布的地域特點，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區初步建立經銷商網絡，及時了解客戶需求，為客戶提供貼身服務，達到快速響應的效果。公司擁有一支行業經驗豐富的銷售團隊

54、，在各區域配備銷售人員，建立從市場調研、產品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務的多維度銷售網絡體系。公司的服務覆蓋產品服務整個生命周期，公司多名銷售人員具有研發背景，可引導客戶的技術需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時、深入的專業技術服務與支持。公司與經銷商互利共贏，結成了長期戰略合作伙伴關系，公司經銷網絡較為穩定，有利于深耕行業和區域市場，帶動經銷商共同成長。四、 公司主要財務數據公司合并資產負債表主要數據項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額4586.133668.903439.60負債總額1843.211474.571382.41股東權益合計2742.922194

55、.342057.19公司合并利潤表主要數據項目2020年度2019年度2018年度營業收入18274.1014619.2813705.57營業利潤3778.933023.142834.20利潤總額3081.032464.822310.77凈利潤2310.771802.401663.75歸屬于母公司所有者的凈利潤2310.771802.401663.75五、 核心人員介紹1、許xx，中國國籍，無永久境外居留權，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公

56、司董事、副總經理、總工程師。2、戴xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監事。3、高xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、邱xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監事會主席。5、沈xx，中國國籍，無永久境外居留權，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監事。2018年8月至今任公司獨立董事。6、梁xx，中國