1、研究生課程小論文課程名稱：新型電子器件封裝論文題目：功率型 LED 封裝技術論文評語:成績：任課教師：評閱日期：摘要 1Abstract1 結論 21.1LED片結構 21.1 水平結構 21.1 垂直結構 31.1 倒裝結構 31.2LE 購封裝材料 31.2 基板材料 31.2 粘接材料 41.2.3 封裝膠2LED 封裝方式和工藝 52.1 LED 封裝方式 52.1.引腳式封裝 52.1 妻面貼裝式(SMT52.1.板上芯片直裝式(COB52.1.系統封裝式(SiP62.2 LED 封裝工藝.3LED 封裝的關鍵技術 71提高芯片的發光效率 73.2 光通道的設計與材料選擇 83.2.

2、光的萃取 83.22 的導出 93.3 光粉的使用 93 讖熱設計 103.5結錯論修考文獻 12功率型 LED 封裝技術摘要：隨著 LED 在各方面應用的不斷發展，對 LED 封裝要求也隨之提高。通過閱讀這方面的相關文獻，從芯片結構、封裝材料、封裝方式、封裝工藝以及封裝關鍵技術等方面對 LED 封裝技術作了介紹。 闡述了引腳式封裝、 表面貼裝式 （SMT、 板上芯片直裝式（COB和系統封裝式（SIP 封裝結構和封裝所需的基板材料、粘接材料及封裝膠。同時對封裝要考慮的四個關鍵技術：1 芯片的發光效率；2 出光通道的設計與材料選擇；3 熒光粉的使用；4 散熱設計進行了討論。最后對功率型 LED

3、封裝技術的發展進行了展望。關鍵字:LED 封裝、封裝方式、LED 工藝、封裝材料、關鍵技術Abstract:WiththedevelopmentofLEDapplicationinallaspects,therequirementofLEDpackagingincreases.ThePackagingtechnologiesofLEDisintroducedinthepaper,includingLEDchipconfiguration,packagingmaterials,packagestructure,packagingprocessandkeytechnologyoftheLEDpac

4、kaging.ThelampLED,surfacemountedtechnology(SMT,chiponboard(COBandsysteminpackage(SiPpackagestructure,andsustratematerials,adhesivematerialsandpackagingadhesiveusedinpowerwhiteLEDareintroduced.Atthesametime,combiningwiththeliteraturetodiscussfourkeytechniques:1chiplight-emittingefficiency;2designofop

5、ticalchannelandmaterialselection;3theuseofthephosphorpowder;4thermaldesign.Finally,thefutureofLEDpackagingtechnologyislookedto.Keywords:LEDencapsulationspackagestructureLEDprocess、packagingmaterials、keytechnology1 緒論LED 具有節能、結構牢固、壽命長、發光響應速度快等特點1,已成為一種發展潛力巨大的新型照明光源。功率型 LED 的研發和產業化是未來 LED 產業發展的重要方向之一。

6、目前，已實現商業化應用的白光 LED 光效可達到 120lm/Wo1.1LED 芯片結構芯片作為 LED 器件的大腦，具光學特性決定了最終整個封裝模型的性能，為提高發光效率并解決散熱等問題，LED 芯片結構的發展可主要概括為水平結構、倒裝結構、垂直結構等幾個階段，包含各種尺寸，大功率和小功率芯片在尺寸方面差別較大2。1.1.1 水平結構F結構是芯片傳統結構，如圖1.1(a)所示山。這種P型接觸匚作功率,同時這種結構PN結的熱量通過藍寶石襯底自而且藍寶石的熱導系數較低，因此這種LED芯片熱阻(a)Horizontalstructure(b)VertLED(cflip-chipstructureF

7、ig.1.1ThreekindsoftypicalstructureofLEDchip3.極均位于芯片頂部，由于頂部是芯片的出光面，所以水平電極的存在會阻礙光的出射，出光效果較低。1垂直結構垂直結構即頂部與底部各為一電極，頂部只有一個電極(負極，出光效果也要較水平電極好，而且芯片中的垂直電極使內部電子在垂直方向運動，大大提高電子空穴對的復合速率及有源層的利用率。當前，在保證一定的發光效率的情況下，向單個垂直結構的芯片內注入較大的電流以提高光通量已經逐漸成為 LED 芯片發展的方向4。2007 年，Lumileds 公司上市了三維垂直結構的藍光 LED 芯片封裝(Rebel。1倒裝結構倒裝芯片結

8、構如 1.1(c 所示。倒裝芯片即將水平電極結構芯片倒轉，將其電極面作為反射面(電極圖形往往涂滿整個面提高反射效果，襯底作為出光面，此時沒有電極等因素阻礙光的輸出，出光效果較水平結構好。另一方面，此時由于電極的覆蓋使得電流的擴散較均勻，提高了有源層的利用率。與正裝結構的 LED 相比，倒裝焊芯片結構使產生熱量由焊接層傳導至硅襯底， 再經硅襯底和粘結材料傳導至金屬底座5。 由于其有源發熱區更接近于散熱體，可降低內部熱沉熱阻。但是目前的襯底材料、工藝以及焊接材料、技術等因素，制約了其傳熱性能的進一步提高。1.2LED 的封裝材料通過選取適當的封裝材料可以有效地提高發光效率，降低系統的熱阻，以利于散

9、熱。主要的封裝材料包括基板材料、粘結材料及封裝膠等。基板材料在 LED 器件中，封裝基板是承載芯片的重要組成部分，因此，作為基板材料,其必須有高穩定性和高熱導率，其熱膨脹系數要與芯片相匹配；材料要有足夠的強度和剛度，對芯片起到支撐和保護的作用；材料的成本要盡可能低，以滿足大規模商業化應用的要求6。目前常用的 LED 封裝基板可分為：金屬芯印制電路板(MCPCB、金屬基復合材料基板和陶瓷基板。(1金屬芯印制電路板:MCPCB應用的基本原理是將早期的PCB板粘接到熱導率更高的金屬上，利用金屬的高導熱性能將 LED 芯片所產生的熱量導出。典型 MCPCB 的金屬材料為鋁、銅、鑰、鴇或合。(2 金屬基

10、復合材料基板：金屬基復合材料基板主要是在金屬基體中加入功能相， 在保持金屬材料高導熱的基礎上， 調節金屬的熱膨脹系數與 LED 芯片匹配，克服了單一金屬的缺點，提高封裝的可靠性。因此，近年來得到快速發展。目前具有代表性的有 Al 基和 Cu 基復合基板70(3 陶瓷基板:與金屬相比，陶瓷材料有很多優點：耐蝕性好、 機械強度高、熱導率高，其塊體的加工工藝簡單，化學穩定性好，絕緣性能高，與芯片熱膨脹系數一致，封裝穩定性好、可靠性高8。作為 LED 封裝基板，陶瓷表面需要金屬化，根據金屬化工藝的區別，陶瓷基板9可分為直接敷銅(directbondcopper,DBC 陶瓷基板、厚膜陶瓷基板、薄膜陶瓷

11、基板以及低溫多層共燒基板(lowtemperatureco-firedceramic,LTCC 或高溫多層共燒基板(hightemperatureco-firedceramic,HTCC。這些材料各具優勢，但出于經濟的考慮，金屬基復合基板選用了鋁板和銅板這些最佳的熱沉材料，它們將是未來功率型 LED 封裝發展的主力軍。粘接材料粘接材料的導熱系數較小，也會對器件的散熱性能產生較大影響，通常有導熱膠、銀膠、絕緣膠和合金焊料等。其中導熱膠、導電銀漿適合于小功率 LED 封裝，合金焊料具有較高的熱導率和粘接強度，適合于大功率 LED 封裝。銀膠跟絕緣膠相比來說，其熱阻低。熱阻的大小，決定了 LED 的

12、出光效率。同樣，銀膠還具有另外一種特色，那就是導熱性能好。一般 LED 的連接材料為銀膠，但因于 Ag 導熱系數在 1025W/(mK,其熱阻較高,若邊接材料直接采用 Ag,就相當于在熱沉與芯片之間加上了一層熱阻。在這種卜#況下， 引入共晶焊接技術這種新的固晶工藝， 連接熱沉與晶粒之間的材料使用 Sn 片焊接，其中 Sn 的導熱系數為 67W/(mK，具物理特性與散熱效果比 Ag 膠具有更多的優勢，并且導熱效果比較理想。Au-Sn 共晶溫度較低，只有 280C,比較適合作為功率型 LED 的粘接材料。封裝膠環氧樹脂作為低功率 LED 的封裝材料，它具有優良的電絕緣性、介電性能、機械性能、透明性

13、好、與基材的粘接力強、配方靈活等特點10。但是在功率型LED 封裝上，它很容易產生黃變現象，由于環氧樹脂中存在可以吸收紫外線的芳香環結構，它們在吸收紫外線或受熱時很容易被氧化產生跋基而形成發色基團使樹脂變色，進而導致環氧樹脂在近紫外波長范圍內的透光率下降，影響出光效率。為了解決以上諸多問題，眾多研究者從多方面對其改性。比如引入硫元素來提高折射率，添加紫外光吸收劑來提高抗紫外老化能力11,加入無機粒子來提高耐熱性。由于硅樹脂材料抗熱和抗紫外線能力較強，耐冷熱沖擊，具備高透光性、低吸濕性和絕緣性。目前，已用有機硅樹脂代替環氧樹脂作為大功率 LED 理想的封裝材料，以進一步提高 LED 壽命。2LE

14、D 封裝方式和工藝LED 封裝方式LED 的封裝結構經歷了引腳式封裝、表面貼裝式(SMT、板上芯片直裝式(COB 以及系統封裝式(SIP 四個階段120引腳式封裝引腳式封裝方式是早期應用的封裝結構。采用引線框架作為封裝外型的引腳，品種繁多，并且內部結構也在不斷改變。普通的發光二極管基本都是采用引腳式封裝。主要針對 0.5W 以下的小功率芯片封裝，最初用在儀表指示等。引腳式 LED 封裝熱量是由負極的引腳架散發至 PCB 板上，散熱問題也比較好的解決13。但是也存在著一定的缺點，那就是熱阻較大，LED 的使用壽命短，達到 250K/W 以上，不能用于大功率 LED 的封裝14。表面貼裝式（SMT

15、表面組裝貼片式封裝（SMT 是當今電子行業中最流行的一種貼片式封裝工藝，是將已經封裝好的 LED 器件焊接到 PCB 板上的一種封裝方式。SMT 封裝技術的優點是可靠性強、易于自動化實現、高頻特性好15-17o板上芯片直裝式（COB板上芯片直裝式（COBLED 封裝技術是一種直接貼裝技術，如圖 2.1 所示18,技術傳統做法是將 LED 芯片裝配于引線框架進行封裝成分立的器件，再將 LED 器件焊接于印刷電路板（PCB 上,然后進行引線的縫合，最后使用有機膠將芯片和引線包裝保護的工藝。這種做法的缺點主要有三方面：一是 LED 芯片 PN 結發出的熱在流經引線框架后，還需經過焊接層（如錫層或導熱

16、膠層等、PCB 層，才能到達散熱器，而錫層或導熱膠層以及普通 FR4PCB 或鋁基板絕緣層的導熱系數相對較低，導致整個模組的熱阻非常高，無法及時將 PN 結的熱散出去。第二是還需經過組裝焊接這道工序，增加了工藝難度及成本。另外一個缺點是這種形式的光源集成度無法做得很高19-21。目前，COBLED 是直接將單顆或多顆 LED 芯片裝配于基板上的集成封裝產品，它可以較好的解決上述傳統做法的幾個缺點。COB 工藝主要應用于大功率 LED 陣列。具有較高的集成度。Fig.2.1LEDWLPprocessflowwithintegratedphosphorprintingforcolortuninga

17、ndmoldlessdispensingforencapsulation18.系統封裝式（SiP系統封裝式 （SIPLED 封裝技術是近年在系統芯片的基礎上發展起來的新型集成封裝方式。跟其他 LED 封裝相比，SIP 封裝的集成度最高，成本相對較低。可以在一個封裝內組裝多個 LED 芯片。它主要是符合了系統便攜式以及系統小型化的要求220其最大的優勢和特點是適應整機系統封裝（包括電源、控制電路、光學微結構、傳感器等與器件小型化便攜式發展，集成化程度高，系統更為完整，是未來大功率 LED 封裝的方向。LED 封裝工藝LED 的封裝是一門多學科的工藝技術。涉及到光學、熱學、電學、機械學、材料、半導

18、體等研究內容。所以大功率 LED 的封裝技術是一門比較復雜的綜合性學科23o良好的 LED 封裝需要把各個學科的因素考慮進去。下面就 LED封裝工藝流程作一個簡單的介紹。其流程如圖 2.2 所示24oLED 的發光體是晶片，不同的晶片價格不一，形態大小也不一。晶片形態大小都不相同，這對 LED 封裝帶來了一定的困難。在對支架的選擇方面也提出了考驗。支架與外形塑料模具的選擇決定了 LED 封裝成品的外形尺寸。支架承載著 LED 芯片，所以在支架的選擇方面要根據實際的 LED 晶片邊長的大小。周晶膠的選擇主要是考慮其粘結力，具顆粒大小。同樣所涂覆的固晶膠的薄厚程度決定了封裝的 LED 的熱阻25-

19、26。焊線過程可以采用機械焊線和人工焊線，在高倍顯微鏡下，將芯片的正負極使用金線焊接到支架的兩個引腳角上。焊接過程要耐心小心。圖 2.2 大功率 LED 封裝工藝流程24Fig.2.2packagingprocessofHighpowerLED.3LED 封裝的關鍵技術 LED 封裝技術直接影響著 LED 的使用壽命。所以在功率型 LED 封裝過程中，要考慮到光、熱、電、機械等諸多因素。光學方面要考慮到大功率 LED 芯片的發光和光衰問題、熱學方面要考慮到 LED 的散熱問題、電學方面要考慮到大功率 LED 的驅動電源的設計、機械方面要考慮到封裝過程中 LED 的封裝形式及結構等27-29。對

20、于 LED 封裝來說，其關鍵技術歸根結底在于如何在有限的成本范圍內盡可能高的提取芯片發出的光，同時降低封裝熱阻，提高封裝可靠性30o提高芯片的發光效率LED 的發光效率是由芯片的發光效率和封裝結構的出光效率共同決定的。而芯片作為 LED 器件的大腦，其光學特性決定了最終整個封裝模型的性能，芯片的結構有水平、倒裝和垂直結構，包含各種尺寸，大功率和小功率芯片在尺寸方面差別較大。目前發光效率高的芯片主要有 HP 公司的 TS類芯片、CREE 公司的 XB 類芯片、WB(waferbonding 類芯片、ITO 類芯片、表面粗化芯片和倒裝焊類芯片等等。如圖 3.1 所示31,兩種不同的 LED 封裝設

21、計。其中，(a中芯片是水平結構，且磷光和硅樹脂的混合物充滿整個反光杯。(b 中選取垂直結構的芯片，磷光只是涂抹在 led 芯片上方。由圖 3.2 可知，設計 B 的性能要好于 A 的。Schematicof(aDesignAand(bDesignBLEDcomponents31.PhosphorSisubstratePhosphorSisubstrate(a),Phosphorr4JkLED(b)substrate1001-OpticalspectrumofDesignAandDesignB31.芯片結構的不同，采用的制造工藝和封裝設計方法也不同，特定的效果有時需要特定的芯片進行封裝，否則，再

22、怎么改進封裝方式，也不能達到所預期的目標，芯片是封裝模型的開始。可以根據不同的應用需求和 LED 封裝結構特點，選擇合適的高發光效率的芯片進行封裝。出光通道的設計與材料選擇芯片選定之后，要提高 LED 的發光效率，能否將芯片發出的光高效地萃取和導出,就顯得非常關鍵了。光的萃取由于芯片發光層的折射率較高(GaNn=2.4,GaPn=3.3 如果出光通道與芯片表面接合的物質的折射率與之相差較大(如環氧樹脂為 n=1.5o則會導致芯片表面的全反射臨界角較小，芯片發出的光只有一部分能通過界面逸出被有效利用，相當一部分的光因全反射而被困在芯片內部，造成萃光效率偏低，直接影響 LED 的發光效率320為了

23、提高萃光效率，在選擇與芯片表面接合的物質時，必須考慮其折射率要與芯片表面材料的折射率盡可能相匹配。采用高折射率的柔性硅膠作與芯片表面接合的材料， 既可以提高萃光效率， 又可以使芯片和鍵合引線得到良好的應力保護光的導出LED 封裝時要設計良好的出光通道，使光能夠高效地導出到 LED 管體外。主要包括四個方面：反射腔體的設計；透鏡的設計33;出光通道中各種不同材料的接合界面設計和折射率的匹配；盡可能減少出光通道中不必要的光吸收和泄漏現象。同時，出光通道材料應具有高的透光率、匹配良好的折射率、抗 UV、防黃變特及高的溫度耐受能力和良好的應力特性34o 如圖 3.3 所示35,作者為了得到更高質量的白

24、光，將傳統的半球型的 led 經過一系列的數值模擬36,得到了具有 3.3(b所示的不規則外形的 led，通過對各自的相關色溫和光譜的測量發現具有不規則外形的LED 的效率更好。Figure.3.3Schematicofthelightoutputsof(athetraditionalLEDpackagingand(bthenovelLEDpackaging.(cdetailedencapsulationstructureofthenovelLEDpackaging35.熒光粉的使用就白光 LED 而言，熒光粉的使用是否合理，對其發光效率影響較大37-38O傳統上將熒光膠全部注滿反射杯的做法不

25、但涂布均勻性得不到保障，而且會在反射腔體中形成熒光粉的漫射分布，造成不必要的光泄漏損失，既影響光色的品質，又會使 LED 光效降低。為了解決這一問題，首先要選用與芯片波長相匹配的高受激轉換效率的熒光粉；其次是選用合適的載體膠調配熒光粉，并使其以良好的涂布方式均勻而有效地覆蓋在芯片的表面及四周，以達到最佳的激發效果。Kwak 等人39在對 LED 進行封裝時，設計了兩種結構，一種直接將紅色量子點、磷光劑和硅樹脂混亂混合填充于凹槽中，。另一種是將量子點和磷光劑分層放置，在 LED 芯片上方先加一層磷光物質，再在其上添加量子點。最終得出的結果是分層結構的 LED 性能好。散熱設計LED 自身的發熱使

26、芯片的結溫升高，導致芯片發光效率的下降。因此，功率型 LED必須要有良好的散熱結構， 使 LED 內部的熱量能盡快盡量地被導出和消散， 以降低芯片的結溫，提高其發光效率40oLED 散熱主要從三個方面著手：第一，從芯片到基板的連接材料的選取；第二，基板材料的選取；第三，基板外部冷卻裝置的選取和基板與外部冷卻設備連接材料的選取。普通用來連接芯片和基板采用的是銀膠。但是銀膠的熱阻很高，而且銀膠固化后的內部結構是：環氧樹脂骨架和銀粉填充式導熱導電結構，這樣的結構熱阻極高，對器件的散熱與物理特性穩定極為不利，因此選擇的粘接的物質是錫膏。而對于基板材料，由之前的討論可知，銀、純銅、黃金的導熱系數相對其他

27、較高但銀、純銅、黃金價格高，為了取得很好的性價比，因此基板大多采用的是銅或鋁材料。采用優良的散熱技術降低封裝結構的熱阻， 可提高 LED 發光效率。 最常用的是將功率器件裝在散熱器上，利用散熱器將熱量散到周圍空間，它的主要熱流方向是由芯片傳到器件的底下，經散熱器將熱量散到周圍空間41。傳統制冷方法有：空氣制冷、水冷、熱管制冷、帕爾貼效應元件制冷（半導體制冷等。現在有些新方法也被陸續提出來，比如超聲制冷、超導制冷、以及將多種制冷方法有效集成在一個器件之中。小結LED 的封裝主要是為了保護芯片， 完成電氣互連提高發光效率， 它的封裝必須要實現可輸入電信號，保護芯片正常工作，輸出可見光。為了提高 L

28、ED 的整體效率，封裝時可以從芯片結構和封裝結構設計、使用的材料以及改善工藝流程三方面來考慮,以此得到我們想要的 LED。結論LED 的發展是以高功率、高亮度、小尺寸 LED 產品為其發展重點，良好的封裝結構與散熱性能是功率型 LED 封裝技術的關鍵。特別是大功率白光 LED 的出現和發展，封裝結構從最初的引腳式發展到系統式封裝。封裝時必須要充分考慮到光、電、熱、半導體、材料、機械等綜合因素。封裝過程當中，材料（散熱基板、熒光粉、封裝膠、粘接材料的選擇非常重要，要選擇合適的材料。隨著 LED 產業的發展，采用系統化的封裝方式，金屬基復合材料以及陶瓷作為大功率 LED 的基板材料，有著廣闊的市場

29、前景。要注重于芯片的選擇、熱處理工藝的改善，尋求更好的 LED散熱的方式，減少 LED 的熱阻。還要繼續研究開發新的封裝結構和新的封裝材料，以進一步提高功率型 LED 的封裝技術，推動 LED 光源向通用照明邁進。參考文獻SimJK,AshokK,RaYH,etal.CharacteristicenhancementofwhiteLEDlampusinglowtemperatureco-firedceramic-chiponboardpackageJ.CurrentAppliedPhysics,2012,12(2:494-498.WangJS,TsaiCC,LiouJS,etal.Mean-t

30、ime-to-failureevaluationsofencapsulationmaterialsforLEDpackageinacceleratedthermaltestsJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:813-817.LauJ,LeeR,YuenM,etal.3DLEDandICwaferlevelpackagingJ.MicroelectronicsInternational,2010,27(2:98-105.LinMT,YingSP,LinMY,etal.HighpowerLEDpackagewithverticalstructureJ.

31、MicroelectronicsReliability,2012,52(5:878-883.HorngRH,LinRC,ChiangYC,etal.Failuremodesandeffectsanalysisforhigh-powerGaN-basedlight-emittingdiodespackagetechnologyJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:818-821.KangM,KangS.InfluenceofAl2O3additionsonthecrystallizationmechanismandpropertiesofdiopside

32、/anorthitehybridglass-ceramicsforLEDpackagingmaterialsJ.JournalofCrystalGrowth,2011,326(1:124-127.SillickM,GregsonCM.SpraychillencapsulationofflavorswithinanhydrouserythritolcrystalsJ.LWT-FoodScienceandTechnology,2012,48(1:107-113.WangJS,TsaiCC,LiouJS,etal.Mean-time-to-failureevaluationsofencapsulat

33、ionmaterialsforLEDpackageinacceleratedthermaltestsJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:813-817.9方軍，花剛，傅仁利，等.大功率白光 LED 封裝結構和封裝基板J.半導體技術,2013,38(002:140-147.GaoN,LiuWQ,YanZL,etal.Synthesisandpropertiesoftransparentcycloaliphaticepoxy-siliconeresinsforopto-electronicdevicespackagingJ.OpticalMaterial

34、s,2013,35(3:567-575.LeiI,LaiDF,DonTM,etal.Siliconehybridmaterialsusefulfortheencapsulationoflight-emittingdiodesJ.MaterialsChemistryandPhysics,2014.OkunoA,MiyawakiY,TanakaO,etal.HighbrightwhiteLEDpackagingsystemsusinguniquevacuumprintingtechnology(VPESCCPMTSymposiumJapan,20122ndIEEE.IEEE,2012:1-4.Zh

35、anX,ZhangJ,WangX,etal.ProgressonsiliconepackagingmaterialsforpowerLEDJ.ProcediaEngineering,2012,27:687-692.ParkJW,YoonYB,ShinSH,etal.Jointstructureinhighbrightnesslightemittingdiode(HBLEDpackagesJ.MaterialsScienceandEngineering:A,2006,441(1:357-361.15LongXM,LiaoRJ,ZhouJ,etal.Thermaluniformityofpacka

36、gingmultiplelight-emittingdiodesembeddedinaluminum-coreprintedcircuitboardsJ.MicroelectronicsReliability,2013,53(4:544-553.PardoB,GasseA,FargeixA,etal.Thermalresistanceinvestigationsonnewleadframe-basedLEDpackagesandboardsC/Thermal,MechanicalandMulti-PhysicsSimulationandExperimentsinMicroelectronics

37、andMicrosystems(EuroSimE,201213thInternationalConferenceon.IEEE,2012:1/9-9/9.ShinJH,ChoiHJ,HanKS,etal.Effectofanti-reflectivenano-patternsonLEDpackageJ.CurrentAppliedPhysics,2013,13:S93-S97.LeeSWR.AdvancedLEDwaferlevelpackagingtechnologiesC/Microsystems,Packaging,AssemblyandCircuitsTechnologyConfere

38、nce(IMPACT,20116thInternational.IEEE,2011:71-74.LinHD,ChiuSW.FlawdetectionofdomedsurfacesinLEDpackagesbymachinevisionsystemJ.ExpertSystemswithApplications,2011,38(12:15208-15216.HeoYJ,KimHT,KimKJ,etal.EnhancedheattransferbyroomtemperaturedepositionofAlNfilmonaluminumforalightemittingdiodepackageJ.Ap

39、pliedThermalEngineering,2013,50(1:799-804.KimY,KangS.Thethermalpropertiesofcordierite/diopsidecompositesfabricatedbyglass-ceramicsprocessforLEDpackagesJ.CeramicsInternational,2013,39:S619-S622.22NamSR,JungCW,ChoiCH,etal.CoolingperformanceenhancementofLED(lightemittingdiodepackageswithcarbonnanogreas

40、eJ.Energy,2013,60:195-203.MeneghiniM,DalLagoM,TrivellinN,etal.Chipandpackage-relateddegradationofhighpowerwhiteLEDsJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:804812.24吳運錠.大功率 LED 封裝工藝技術J.湖南農機：學術版，2013(1:61-62.TaoP,LiY,SiegelRW,etal.Transparentdispensiblehigh-refractiveindexZrO2/epoxynanocompositesforLE

41、DencapsulationJ.JournalofAppliedPolymerScience,2013,130(5:3785-3793.ChenZ,ZhangQ,WangK,etal.Fluid-solidcouplingthermo-mechanicalanalysisofhighpowerLEDpackageduringthermalshocktestingJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(8:1726-1734.ChungPT,YangCT,WangSH,etal.ZrO2/epoxynanocompositeforLEDencapsulatio

42、nJ.MaterialsChemistryandPhysics,2012,136(2:868-876.LuX,HuaTC,WangY.ThermalanalysisofhighpowerLEDpackagewithheatpipeheatsinkJ.MicroelectronicsJournal,2011,42(11:1257-1262.BlancoD,AlonsoMJ.Proteinencapsulationandreleasefrompoly(lactide-co-glycolidemicrospheres:effectoftheproteinandpolymerpropertiesand

43、ofthecoencapsulationofsurfactantsJ.EuropeanJournalofPharmaceuticsandBiopharmaceutics,1998,45(3:285-294.ZhangR,LeeSW.MoldlessencapsulationforLEDwaferlevelpackagingusingintegratedDRIEtrenchesJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:922-932.LinJR,NgTY,WangZ,etal.Wafer-levelLED-SiPbasedmobileflashmoduleandcharacterizationJ.MicroelectronicsReliability,2012,52(5:916-921.ZhangL,ChenH,WuJ.ConvenientfabricationofcompositeswithaqueoussynthesizedquantumdotsforLEDencapsulationC/ElectronicMaterialsandPackaging(EMAP,201214thInternationalConferenceon.IEEE,2012:1-5.H