ESD電子保護元器件舒錄靜電放電標準器件的選型及其參數常用端口的EMC設計的測試標準以及方式?標準名稱：IEC61000-4-2/GB17626.2?放電方式：接觸放電和空氣放電?評判標準：A級：試驗中性能指標正常。B級：試驗中性降低，功能短暫性喪失，試驗后能自行恢復。C級：功能允許喪失，但能在操作者干預后能恢復。D級，產品在測試結束后，產品被損壞，無法通過人為操作恢復到原來的工作狀態。限壓型保護器件的種類?（瞬態抑制器）?高分子聚合物?壓敏電阻瞬態抑制二極管?有單向和雙向兩種，單向的有一個P-N節，雙向的有兩個P-N節，它們是利用現代半導體制作工藝在同一硅片的正反兩個面上制作出的兩個背對背的PN結。雙向單向保護器件的電性能參數?V——線路工作電壓，當這個反向電壓加在的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于其最大反向漏電流IR。?VBR的啟動電壓。流過電流為1mA(IT)時的電壓。保護器件的選型注意參數?鉗位電壓。當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過時，在其兩極間出現的最大峰值電壓為。、IPP反映了器件的浪涌抑制能力。?結電容Cj——是由雪崩結截面決定的，在特定的1MHz頻率下測得。Cj過大將使信號衰減。因此，Cj是數據接口電路選用的重要參數。TVS的伏安特性曲線工作區域I高阻區域U失效區域的工作原理?器件并聯于電路中，當電路正常工作時，它處于截止狀態（高阻態），不影響線路正常工作，當電路出現異常過壓并達到其擊穿電壓時，它迅速由高阻態變為低阻態，給瞬間電流提供低阻抗導通路徑，同時把異常高壓箝制在一個安全水平之內，從而保護被保護IC或線路；當異常過壓消失，其恢復至高阻態。高分子高分子ESD和TVS選型時的注意事項?了解所要保護電路的正常工作電壓，器件的工作電壓（要大于或等于保護電路的工作電壓。?了解保護電路的傳輸速率，傳輸速率越快所要求的的器件的結電容要低，對于電源則沒有結電容的要求。?了解芯片的耐壓值，保護器件的鉗位電壓要小于芯片的耐壓值。?要根據PCB板預留空間來選擇合適的封裝磁珠?磁珠的主要原料為鐵氧體。鐵氧體是一種立方晶格結構的亞鐵磁性材料。鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。?鐵氧體材料的特點是高頻損耗非常大，具有很高的導磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產生的電容最小。ASIM磁珠的型號?磁珠的單位是歐姆，而不是亨特，這一點要特別注意。因為磁珠的單位是按照它在某一頻率產生的阻抗來標稱的，阻抗的單位也是歐姆。磁珠上一般會提供頻率和阻抗的特性曲線圖，一般以100MHz為標準，比如CVB1608E601T，意思就是在100MHz頻率的時候磁珠的阻抗相當于600歐姆。磁珠型號規則CVB1005E601T公制英制系列特性06030201C系列高頻系列10050402E系列大電流系列1608060320120805P系列超大電流32161206共模電感共模電感又稱共模扼流圈，由兩條纏繞在一個磁環上的

線圈組成，線圈的圈數相同，纏繞的方向相同CMF2F（5045）系列，2G（5050）系列，2I（7060）系列，2J（7660）系列，2K（9070）系列電源專用2L（1211）系列，2N（1513）系列，322632254532CMF0605系列，0806系列，1210系列，2010系列信號專用共模電感的工作原理?當差模信號流經共模電感的時候，會在共模電感上產生兩個方向相反的磁場，這兩個磁場相互抵消，此時，信號主要受線圈電阻的影響。?當共模信號流經共模電感的時候，會在共模電感上產生兩個方向相同的磁場，這時兩個磁場相互疊加，從而增大線圈的感抗，使線圈表現出高阻抗，產生較強的渦流現象。USB2.0端口的EMC設計USB2.0CVB1608E601T·共模濾波器型號：CMF1210DH900MFR

D+·D-IDGND··CVB1608E601T型號：CV0402VT6201T或型號：CV0402VT6030T或CMF1210DH900MFR封裝：1210共模阻抗：90ΩCV0402VT6201T封裝：0402電路電壓：6V結電容：200PF封裝：0402電路電壓：5V結電容：15PFCV0402VT6030T封裝：0402電路電壓：6V結電容：3PF封裝：0402電路電壓：5V結電容：3PF、共模、封裝大小可以根據PCB板子的具體情況選用USB3.0端口的EMC設計CVB1608E601TVBUS·型號：CMF1210UD900MFRD+·D-·型號：CV0402VT6201T或TX+TX-RX+RX-····｝型號：CV0402VT6001TGNDCMF1210UD900MFR封裝：1210共模阻抗：：90ΩCV0402VT6201T封裝：0402電路電壓：6V節電容:200PF封裝：0402電路電壓：5V節電容：15PFCV0402VT6001T封裝：0402電路電壓：6V結電容：0.1PFCVB1608E601T封裝：0603阻抗（@100M）：600Ω封裝大小可以根據PCB板子的具體情況選用HDMI的EMC設計CMF2010DH101MFR(4路）封裝：2010

共模阻抗：100ΩCMF1210UD900MFR封裝：1210

共模阻抗：90Ω封裝:DFN-10

結電容：0.3-0.5PFCV0402VT6001T封裝：0402

工作電壓：6V結電容：0.1-0.5PF封裝大小可以根據PCB板子的具體情況選用RJ45端口的EMC設計金屬端口T1CMF2012WD900MQTT2CMF2012WD900MQTT3CMF2012WD900MQTT4CMF2012WD900MQTR=75ΩP4200BCRP4200BCR102PGND

GNDGND與PGND之間利用橋接相連，可以是電容

（0.1NF-100NF)以太網口EMC設計TX+PGND與GND之間要完全隔離防止串擾·TX-端RX+RX-·金屬外殼GND共模型號：RCPGNDPGND型號：PGND型號：SMD3216-200NGND封裝大小可以根據PCB板子的具體情況選用GND與PGND之間利用橋接相連，可以是電容（0.1NF-100NF)端口的EMC設計RDET型號：CVB1005E102TL型號：CV0402VT6201T或CVB1005E102T封裝：0402阻抗（@100M）：1000ΩIr：500mACV0402VT6201T封裝：0402電路電壓：6V結電容：200PF封裝大小可以根據PCB的具體情況進行選用TF卡的EMC設計·CMD··型號：CV0402VT6030TCV0402VT6030T封裝：0402電路工作電壓：6V結電容：3PFVDDCLKGND·····型號：CV0402VT6201T型號：CVB1608C121T型號：CVB1608E121TCV0402VT6201T封裝：0402電路工作電壓：6V結電容：200PFCVB1608C121T封裝：1608（0603）阻抗120@100M：600ΩIr:600mACVB1608E121T封裝：1608（0603）阻抗120@100MIr:1000mA型號：C