ICS71.120.99CCSG92團 體 標 準T/WHQASA12—202410.5G化學氣相沉積設備用下部加熱基座lowerheatingsusceptorproductsof10.5Gchemicalvapordepositionequipment2024-12-30發布 2024-12-30實施蕪市質與標化協會 發布T/WHQASA12T/WHQASA12—2024II前 言本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則 第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定起草。本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件由蕪湖通潮精密機械股份有限公司提出。本文件由蕪湖市質量與標準化協會歸口。T/WHQASA12T/WHQASA12—2024PAGEPAGE110.5G化學氣相沉積設備用下部加熱基座范圍本文件規定了10.5G化學氣相沉積設備用下部加熱基座產品（以下簡稱“下部加熱基座”）的技術要求、檢測方法、檢驗規則以及包裝、運輸和貯存。本文件適用于10.5G化學氣相沉積設備用下部加熱基座產品的研制、生產、檢驗和交付。規范性引用文件（包括所有的修改單適用于本文件。GB/T4957-2003非磁性基礎金屬上非導電覆蓋層覆蓋層厚度測量渦流法GB/T18719-2002熱噴涂術語、分類GB/T36176-2018真空技術氦質譜真空檢漏方法術語和定義GB/T18719-2002界定的以及下列術語和定義適用于本文件。下部加熱基座 lowerheatingsusceptor化學氣相沉積（CVD）工藝設備的下部加熱電極，用于化學氣相沉積時對玻璃基板進行承載和均勻加熱。Bush孔徑 Bushaperture化學氣相沉積設備用下部加熱基座背面的安裝陶瓷孔直徑。要求產品結構下部加熱基座的結構說明如下：a）結構：產品表面陽極氧化膜、鋁基板、內圈加熱絲、外圈加熱絲、熱電偶、加熱絲引出桿；b）加熱方式：內圈和外圈電阻絲加熱；c）電源連接方式：加熱絲加電；d）產品結構見圖1。圖1 下部加熱基座結構外觀質量下部加熱基座陽極膜表面應平整光潔，不應有劃傷、膜層開裂、毛刺等缺陷。主要技術指標下部加熱基座的技術指標見表1。表1 下部加熱基座技術指標序號指標名稱單位要求規定測量點數1平面度amm0.5~1.07×7=492膜厚aμm20±37×7=493粗糙度aμm20±27×7=494溫度均勻性℃±10（220℃非真空條件下）—5Bush孔徑mm27.0±0.134孔全檢6氦漏率Pa·m3/s≤1.0·10-9—7內圈加熱絲電阻Ω30±348外圈加熱絲電阻Ω26±249加熱絲與基體間絕緣阻抗MΩ≥28a平面度、膜厚和粗糙度指標均按圖1所示測量產品正面指標。試驗方法一般試驗條件環境溫度：15℃～35℃；相對濕度：25%~75%；氣壓：試驗場所的大氣壓。外觀質量在照度（1000±200）lx的條件下目測檢查。平面度用平面度測量儀進行測量并記錄數據，取其算數平均值作為測量結果。平面度測量規定點數見圖2所示。 圖2 平面度、膜厚和粗糙度測量規定點數膜厚按照GB/T4957-2003粗糙度5mm。粗糙度測量規定點數見圖2所示。溫度均勻性加熱絲加380V工作電壓，并通電保持1h以上，待產品溫度穩定后，測量8個點位溫度并記錄數據，所測溫度最大值與最小值的差值即為溫度均勻性。溫度測量規定點數見圖3所示。圖3 溫度測量規定點位Bush孔徑用內徑千分尺進行測量并記錄數據。Bush孔徑測量規定點數見圖4所示。圖4Bush孔徑測量規定點數氦漏率按GB/T36176-2018要求，用氦質譜檢漏儀進行測量并記錄數據。內圈加熱絲電阻用萬用表對4個內圈加熱絲電阻進行測量并記錄數據。外圈加熱絲電阻用萬用表對4個外圈加熱絲電阻進行測量并記錄數據。加熱絲與基板間絕緣阻抗用電性測量儀對加熱絲與基板間施加2kV的電壓，測量其絕緣阻抗并記錄數據。檢驗規則檢驗分類本文件規定的檢驗分為：a）見b）見6.型式檢驗抽樣41套，允許不合格數為0。有下列情況之一的，還應進行型式檢驗：a）產品的結構、原料或工藝有較大變化，可能影響產品性能時；b）產品生產發生產轉、停產后恢復生產時；c）出廠檢驗結果與上次型式檢驗有較大差異時；d）國家有關法律、法規要求時；e）合同規定時。出廠檢驗4.24.3標志和隨行文件標志包裝膜上應有“怕雨”、“向上”、“合格產品”等標志。隨行文件每個產品應