光纖通信用半導體激光器芯片技術規范第2部分：光源用垂直腔面發射型半導體激Part2:VerticalcavitI前言 引言 1范圍 1 1 77.4型式檢驗 7 98.1包裝 9 9 9 99其他 9SJ/T11856旨在規范光纖通信用 第2部分：光源用垂直腔面發射型半導體激光器芯片GB/T15650.4合2017半導體器件分立器件第5-4部分：光電子器件，半導體激光器GB/T3h359+2015半導體激光器測試方GBT2i2008和GBa32016界定以及取術語和定義適用于本件激光器的頻應從直流點到3dB頻率點的寬度。葉2AQL——接收質量限(AcceptanceQualityLimit)ESDS——靜電放電敏感度(ElectrostaticDischargeSensitivity)V—5—℃0℃3閥值電流P1一η一一中心波長λ均方根譜寬(RMS)一V帶寬(NRZ)9825GbaudVCSEL芯片光電技術指標特性見表3。閾值電流一—P17—一中心波長均方根譜寬(RMS)V一帶寬——45.3表面質量芯片表面應無明顯劃痕，無沾污，無裂紋，邊角完整。5.4芯片尺寸芯片尺寸應根據具體應用在產品設計文件中進行規定。其長度公差應不超過20μm,寬度公差應不5.5剪切力和金絲鍵合強度剪切力應符合GB/T33768—2017中5.4.5的規定，金絲鍵合強度應符合GB/T33768-2017中5.4.7的規定。ESDS電壓不低于100V。5.7高溫貯存5.8低溫貯存按6.5.2進行驗前后2C下的輸出功率變化的絕對值不超過1dn5.9溫度循環按6.5.5,武驗前25℃下的輸出功率變化的絕對值不相過1dB。5.10恒定濕熱按6.54行，試驗前后25℃下的輸出功率變化的絕對值木過1dB。按6.5.5進行，試驗前后25℃下的閱值電流的變化率不超50%,見公式(2Ihe——試驗前彥的閥值電流的變化率；In——試驗后的商值電流；5.12恒定濕熱(工作)按6.5.6進行，試驗前后的25℃下的輸出功率變化的絕對值不超過IdB。6檢驗方法6.1測試環境條件測試環境條件如下：——溫度：15℃~35℃;——相對濕度：45%～75%;當不能在上述條件下進行測試時，應在測試報告上寫明測試環境條件。6.2測試儀器要求測試所用的儀器儀表應在規定的有效校準期內，如無特殊說明，其精度應優于所測參數精度至少一個數量級。5按GB/T31359—2015的5.10進行測量。按GB/T31359—2015的5.15進行測量。按SJ/T2749—2016的5.11進行測量。光衰減器接收機光衰減器接收機按照SJ/T2749—2016的5.16進行測量。按GB/T31359—2015的5.1進行測量。66.4物理特性6.4.1表面質量在100倍顯微鏡下目視觀察。6.4.2芯片尺寸按GB/T33768—2017中5.1.2的規定進行。6.4.3金絲鍵合強度按GB/T33768—2017中5.4.7的規定進行。6.4.4芯片剪切力按GB/T33768-2017中5.4.5的規定進按GB/T33768-2017&436.5環境適應性6.5.1高溫儲存按GBTp3768-217中53.1的規定進行6.5.2低溫儲存按GBT368f2017中5.32的規定進行。6.5.3溫度循環按GBT568-2017中5.3.3的規定進位按GB352017中5.3.4的規定進行。6.5.5高溫壽命按GB/T3376820N中5.3.6的規定進行。6.5.6恒定濕熱(工作)7檢驗規則7.1檢驗分類檢驗分為篩選、出廠檢驗和型式檢驗。7.2篩選在提交抽樣檢驗和型式檢驗前，全部芯片應100%按表5列出的項目、順序和要求進行篩選。不符合要求的產品應剔除。當篩選后合格的樣品少于90%時，可進行再次篩選，當二次篩選后合格的樣品仍少于90%時，該批芯片進行報廢處理。7篩選項目6.5.5,最高工作溫度，最大工作電流，不少在5.2.2規定的25℃和高溫條件下按5.2.2測試除試驗項目芯片尺寸剪切力8型式檢驗應符合表6規定。組別試驗項目AB芯片尺寸金絲鍵合強度6.4.3,基于鍵合類型剪切力56.45人體放電模型，100不個正脈沖，3個負的脈沖。C高溫貯存0極限溫度下的許省時間：≥15min循環次數：500次6.5.4,溫度：85C,相對濕度：85時間：1D高溫壽命25.5,最高作溫度，最大工作電流下，時間：≥5Q00hE恒定濕(工作)6.5.6,溫度。85℃p相對濕度85,工作電流取滾值電流的7.4.3抽樣方案樣母體數應是表6規定的2倍抽樣的樣品均應經受A組檢驗，然后接表6規定的數量進行B,C,D,一個或多個樣品有一項或多頂來畫過表規是的檢驗則式檢驗不合格。b)查明失效原因，在材料、工藝或其他方面提出糾正措施，對采用基本相同的材料和工藝進行