濰坊市高考模擬考試

物理2022.3注意事項(xiàng)：1.本試卷分為選擇題和非選擇題兩部分，考試時(shí)間90分鐘，滿分100分。2?答前，考生務(wù)必將自己的姓名、考生號、座號等填寫在答題卡指定位置。3?回答選擇題時(shí)，選出每小題答案后，用鉛筆把答題卡上對應(yīng)題目的答案標(biāo)號涂黑。如需改動(dòng)，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案標(biāo)號。回答非選擇題時(shí)，請按照題號在答題卡上各題目的答題區(qū)域內(nèi)作答，超出答題區(qū)域書寫的答案無效。一、單項(xiàng)選擇題：本題共8小題，每小題3分，共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1?已知I?「?半衰期為1.2min,其衰變方程為'!'■''.i■\是某種粒子,AE為釋放的核能。真空中光速為c,用質(zhì)譜儀測得【「原子核質(zhì)量為m.下列說法正確的是「，「發(fā)生的是a衰變原子核質(zhì)量大于m100個(gè)】「原子核經(jīng)過2.4min,—定有75個(gè)發(fā)生了衰變?nèi)糁凶淤|(zhì)量為mn,質(zhì)子質(zhì)量為叫，則核的比結(jié)合能為'"2?如圖甲所示為被稱作“雪游龍”的國家雪車雪橇中心，2022年北京冬奧會(huì)期間，該場館承擔(dān)雪車、鋼架雪車、雪橇三個(gè)項(xiàng)目的全部比賽。圖乙為運(yùn)動(dòng)員從側(cè)壁冰面過“雪游龍”獨(dú)具特色的360°回旋彎道的場景，在某段滑行中運(yùn)動(dòng)員沿傾斜側(cè)壁在水平面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，則此段運(yùn)動(dòng)過程中甲乙雪車和運(yùn)動(dòng)員所受合外力為零雪車受到冰面斜向上的摩擦力雪車受到冰面的摩擦力方向與其運(yùn)動(dòng)方向相反運(yùn)動(dòng)員所受雪車的支持力小于自身重力3?如圖所示，分別用a、b兩束單色光照射陰極K均可產(chǎn)生光電流。調(diào)節(jié)滑片P,當(dāng)光電流恰好減小到零時(shí)，a、b對應(yīng)的電壓表示數(shù)分別為U『Ub,已知UavUb,下列說法正確的是a光束比b光束弱a光子動(dòng)量小于b光子動(dòng)量

經(jīng)過同一單縫，b光產(chǎn)生的衍射現(xiàn)象更明顯經(jīng)過同一雙縫干涉裝置得到的圖樣，a光條紋間距小4?如圖所示，圓柱形氣缸水平放置，活塞將氣缸分為左右兩個(gè)氣室，兩側(cè)氣室內(nèi)密封等質(zhì)量的氮?dú)狻，F(xiàn)通過接口K向左側(cè)氣室內(nèi)再充入一定質(zhì)量的氮?dú)猓钊俅戊o止時(shí)左右兩側(cè)氣室體積之比為3:1.氣缸導(dǎo)熱良好，外界溫度不變，活塞與氣缸間無摩擦，則從接口充入的氮?dú)馀c左側(cè)氣室內(nèi)原有氮?dú)獾馁|(zhì)量之比為A.2:1B.1:1C.1:2D.3:15?在水平面上固定一粗糙斜面，先讓一滑塊從斜面頂端由靜止下滑到底端，再讓滑塊以某一速度從底端上滑剛好能滑到頂端，用照相機(jī)記錄滑塊下滑和上滑的頻閃照片如圖所示。已知照片上相鄰位置的時(shí)間間隔相等，下列說法正確的是圖甲是滑塊上滑的頻閃照片滑塊下滑時(shí)的速度變化快滑塊下滑到底端時(shí)的速度大于其沿斜面上滑時(shí)的初速度滑塊下滑過程中重力的沖量大于上滑過程中重力的沖量TOC\o"1-5"\h\z6?如圖所示，正六邊形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場。一帶正電粒子以速度V］從a點(diǎn)沿ad方向射入磁場，從c點(diǎn)離開磁場；若該粒子以速亠、叫度v2從a點(diǎn)沿ae方向射入磁場，則從d點(diǎn)離開磁場。不計(jì)粒子重力，的2坯值為A.：B.：'C.'D.；2237“祝融”火星車由著陸平臺(tái)搭載著陸火星,如圖所示為著陸后火星車與著陸平臺(tái)分離后的“自拍”合影。著陸火星的最后一段過程為豎直方向的減速運(yùn)動(dòng)，且已知火星質(zhì)量約為地球質(zhì)量的打「火星直徑約為地球直徑的…則該減速過程火星車處于失重狀態(tài)該減速過程火星車對平臺(tái)的壓力大于平臺(tái)對火星車的支持力一一一一2火星車在火星表面所受重力約為其在地球表面所受重力的火星的第一宇宙速度與地球第一宇宙速度之比約為；8?真空空間中有四個(gè)點(diǎn)o、a、b、c,任意兩點(diǎn)間距離均為L,點(diǎn)d（未畫出）到點(diǎn)o、a、b、c的距離均相等，如圖所示。在a、b兩點(diǎn)位置分別放置電荷量為q的正點(diǎn)電荷，在oc連線的某點(diǎn)處放置正點(diǎn)電荷Q,使得d點(diǎn)的電場強(qiáng)度為零。則Q的電荷量為

AlB導(dǎo)C.]D.二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題4分，共16分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有多項(xiàng)符合題目要求。全部選對的得4分，選對但不全的得2分，有選錯(cuò)的得0分。9?一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)甲變化到狀態(tài)乙，再從狀態(tài)乙變化到狀態(tài)丙，其p-V圖像如圖所示。則該理想氣體才i?咱甲、丙狀態(tài)下的分子平均動(dòng)能相同由甲到丙，內(nèi)能先增大后減小由乙到丙，吸收1000J的熱量由乙到丙，分子在單位時(shí)間內(nèi)撞擊容器壁上單位面積的平均次數(shù)逐漸減少10.一列簡諧橫波在t=0時(shí)刻的波形如圖甲所示，質(zhì)點(diǎn)P、Q在x軸上的位置為xp=1m和xQ=3m.從此時(shí)開始，P質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)圖像如圖乙所示，下列說法正確的是該波沿x軸正向傳播此后P、Q兩點(diǎn)速度大小始終相等C.t=0.125s時(shí)，Q質(zhì)點(diǎn)的位移為5匚cm該波沿x軸正向傳播此后P、Q兩點(diǎn)速度大小始終相等C.t=0.125s時(shí)，Q質(zhì)點(diǎn)的位移為5匚cmD.若此波遇到另一列簡諧橫波發(fā)生了干涉現(xiàn)象，則所遇到的波的頻率為5Hz11.如圖所示，理想變壓器的原、副線圈匝數(shù)分別為n.=800匝、片=100匝和n2=400線圈串聯(lián)一個(gè)電阻R0=8.OQ，并接入內(nèi)阻不計(jì)的正弦交流電源，其電動(dòng)勢為E且保持不變;兩個(gè)副線圈分別接電阻R]=1.0Q和R2=16.0Q.開關(guān)S斷開時(shí)，理想電流表讀數(shù)為I]=4.0A;開關(guān)S閉合時(shí)，理想電流表讀數(shù)為I2?不計(jì)線圈電阻，則A.E=32.0V匝，原B.E=36.0VI2=3.2AI2=3.6A12?如圖所示，兩導(dǎo)電性良好的光滑平行導(dǎo)軌傾斜放置，與水平面夾角為e,間距為L.導(dǎo)軌中段正方形區(qū)域內(nèi)存在垂直于軌道面向上的勻強(qiáng)磁場。電阻相等的金屬棒a和b靜止放在斜面上,a距磁場上邊界為L.某時(shí)刻同時(shí)由靜止釋放a和b,a進(jìn)入磁場后恰好做勻速運(yùn)動(dòng)；a到達(dá)磁場下邊界時(shí)，b正好進(jìn)入磁場，并勻速穿過磁場。運(yùn)動(dòng)過程中兩棒始終保持平行，兩金屬棒與導(dǎo)軌之間導(dǎo)電良好，不計(jì)其他電阻和摩擦阻力，導(dǎo)軌足夠長。則a、b通過磁場區(qū)域的時(shí)間之比為3:2a、b質(zhì)量之比為2:3a、b中產(chǎn)生的熱量之比為2:3a、b能發(fā)生碰撞三、非選擇題：本題共6小題，共60分。（6分）利用圖甲所示的裝置可測量滑塊在斜面上運(yùn)動(dòng)的加速度。斜面上安裝有兩個(gè)光電門，其中光電門乙固定在斜面上靠近底端處，光電門甲的位置可移動(dòng)。當(dāng)帶有遮光片的滑塊自斜面上滑下時(shí)，與兩個(gè)光電門都相連的計(jì)時(shí)器可以顯示出遮光片從光電門甲至乙所用的時(shí)間t.改變光電門甲的位置進(jìn)行多次測量，每次都使滑塊從同一點(diǎn)由靜止開始下滑，并用米尺測量甲、乙之間的距離x,記下相應(yīng)的t值；所得數(shù)據(jù)如表所示。0.5000,600(}.7000.8000,900①950292.9371,5452,3552,8673.8776,4—nt”}1.71L62L55L451.341.22完成下列填空和作圖：（1）若滑塊所受摩擦力為常量，滑塊加速度的大小a、滑塊經(jīng)過光電門乙時(shí)的瞬時(shí)速度V、測量值x和t四個(gè)物理量之間所滿足的關(guān)系式是.（2）根據(jù)表中給出的數(shù)據(jù)，在圖乙給出的坐標(biāo)紙上畫出】-?'圖線；（3）由所畫出的一圖線，得出滑塊加速度的大小為a=m/s2（保留2位有效數(shù)字）。

（8分）一實(shí)驗(yàn)小組利用圖甲所示電路測量一電池的電動(dòng)勢E和內(nèi)阻r.圖中電流表量程為50mA,內(nèi)阻Ra=10Q定值電阻R1=R2=20Q電阻箱R（最大阻值為999.9Q）S為開關(guān)。完成下列填空：SErSErf甲（1）按電路圖連接電路。閉合開關(guān)，多次調(diào)節(jié)電阻箱，記錄下阻值r和電流表的相應(yīng)讀數(shù)I,用R、R］、R2、R4、E和r表示J，得'.=.⑵利用測量數(shù)據(jù)，作;-；圖線，如圖乙所示，則E=V_;,r=Q（保留2位有效數(shù)字）IBIIOiaiEOIIIIIIjILL11Hjll乙IBIIOiaiEOIIIIIIjILL11Hjll乙（3）若將圖甲中的電流表當(dāng)成理想電表，得到的電源電動(dòng)勢為E',由此產(chǎn)生的誤差為-E~址100%=%。（8分）如圖所示，AOBD是半圓柱體透明型材的橫截面，圓心在O點(diǎn)，AB為直徑，半徑為R.—細(xì)束單色光從真空中AB面上無限接近A處斜射入該型材，入射角i=60°，在D點(diǎn)反射后反射光線與AB平行（反射光線圖中未畫出）。已知光在真空中的傳播速度為c,求:H7人位必（1）該型材對該單色光的折射率n;（2）該單色光從射入型材到射出型材所用的時(shí)間t.（10分）在2月8日舉行的北京2022年冬奧會(huì)自由式滑雪女子大跳臺(tái)的比賽中，18歲的中國選手谷愛凌頂住壓力，在關(guān)鍵的第三跳以超高難度動(dòng)作鎖定金牌，這也是中國女子雪上項(xiàng)目第一個(gè)冬奧會(huì)冠軍。滑雪大跳臺(tái)的賽道主要由助滑道、起跳臺(tái)、著陸坡、停止區(qū)組成,如圖所示。在某次訓(xùn)練中，運(yùn)動(dòng)員經(jīng)助滑道加速后自起跳點(diǎn)C以大小為v0=20m/s、與水平方向成a=37°的速度飛起，完成空中動(dòng)作后，落在著陸坡上，后沿半徑為R=40m的圓弧軌道EF自由滑行通過最低點(diǎn)F,進(jìn)入水平停止區(qū)后調(diào)整姿勢做勻減速滑行直到靜止。已知運(yùn)動(dòng)員著陸時(shí)的速度方向與豎直方向的夾角為a=37°，在F點(diǎn)運(yùn)動(dòng)員對地面的壓力為體重（含裝備）的2倍，運(yùn)動(dòng)員在水平停止區(qū)受到的阻力為體重（含裝備）的0.5倍，g取10m/s2,sin37°=0.6，忽略運(yùn)動(dòng)過程中的空氣阻力。求：（1）水平停止區(qū)FG的最小長度L;（2）運(yùn)動(dòng)員完成空中動(dòng)作的時(shí)間t.（12分）如圖為某試驗(yàn)裝置的示意圖，該裝置由三部分組成：其左邊是足夠長的光滑水平面，一輕質(zhì)彈簧左端固定，右端栓接小物塊A,A右側(cè)帶有鎖定裝置，A及鎖定裝置的總質(zhì)量m=1kg，彈簧原長時(shí)A處于P點(diǎn)；裝置的中間是長度l=4m的水平傳送帶，它與左右兩邊的臺(tái)面等高并平滑對接，傳送帶始終以v=2m/s的速率時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)；裝置的右邊是一半徑為R=1.25m的光滑［圓弧軌道，質(zhì)量M=2kg的小物塊B靜置于軌道最低點(diǎn)。現(xiàn)將質(zhì)量M=2kg的小物塊C從圓弧軌道最高點(diǎn)由靜止釋放，沿軌道下滑并與B發(fā)生彈性碰撞。小物塊B滑過傳送帶與A發(fā)生對心碰撞（碰撞時(shí)間極短），且碰撞瞬間兩者鎖定，以相同速度一起壓縮彈簧；返回到P點(diǎn)時(shí)鎖定裝置將B釋放、并使A停在P點(diǎn)，此后B與A發(fā)生多次碰撞，其過程均滿足以上所述。已知物塊B與傳送帶之間的動(dòng)摩擦因數(shù)卩=0.2,g=10m/s2,彈簧始終處于彈性限度內(nèi)。求：（1）B物塊被C碰撞后獲得的速度大小；（2）物塊B與A發(fā)生第一次碰撞后，彈簧具有的最大彈性勢能；（3）物塊A、B第n次碰撞后瞬時(shí)速度的大小。（16分）某離子實(shí)驗(yàn)裝置的基本原理如圖所示。I區(qū)寬度為d,右邊界為y軸，其內(nèi)充滿垂直于x0y平面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.II區(qū)左邊界為y軸，右邊界與x軸垂直交于C點(diǎn)，其內(nèi)y>0區(qū)域內(nèi)充滿與x軸正方向夾角為9=60°的勻強(qiáng)電場E（大小未知）；y<0區(qū)域內(nèi)充滿垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2B.III區(qū)左邊界與II區(qū)右邊界重合，其內(nèi)充滿勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)與II區(qū)場強(qiáng)的大小相等，方向相反。氙離子(Xe2+)束從離子源小孔S射出，沿x軸正方向經(jīng)電壓為U的加速電場加速后穿過I區(qū)，經(jīng)A點(diǎn)進(jìn)入II區(qū)電場區(qū)，再經(jīng)x軸上的P點(diǎn)(未畫出)進(jìn)入磁場，又經(jīng)C點(diǎn)進(jìn)入II區(qū)，后經(jīng)D點(diǎn)(未畫出)進(jìn)入II區(qū)。已知單個(gè)離子的質(zhì)量為m、電荷量為2e,剛進(jìn)入II區(qū)