III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法 編制說明_第1頁
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1TestmethodfordislocationimaginginIII-nitridesemiconductormaTransmissionelectron2AlGaN,AlInGaN等。它們在微電子器件、光電子器件等方面有著重要的應用，是目前全球半位錯是表征III族氮化物半導體晶體質量的一個重要物理量。目前表征III族氮化物半導錯，同時也難以分辨位錯的種類；X-ray衍射搖擺曲線法表征位錯則需要較為復根據《國家標準委關于下達2021年第三批推薦性國家標準計劃及相關標準外文版計劃的人民政府，蘇州市人民政府和蘇州工業園區于2006年3月3公司。蘇州納維科技有限公司創立于2007年，以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技制定了本標準的相應工作計劃。2022年1月至6月，三制定標準的原則和編寫依據、確定標準主要內容試相關標準物質/標準樣品/儀器校準物質等，開展標個或幾個位錯進行觀察，不適合應用于產業上對位錯的成像觀察；其三是應用掃描透射4度，從而獲得更為清晰的位錯成像。因此推4樣品晶面方向和衍射矢量的選取擇{11-20}衍射斑進行雙束或者弱束成像，可以對刃型位錯和混合位錯進行成像；選擇{0002}對本標準所規定的技術內容進行對應的實驗分析和驗證，序號樣品名來源尺寸材料1MOCVD生長的GaN薄膜樣品蘇州納維科技有限公司2英寸，選取M方向2HVPE生長的AlN薄膜樣品蘇州納維科技有限公司2英寸，選取C方向5通過選取M方向樣品，進行驗證。三位工作人員采用標準中規定的方法對同一樣品進行{11-20}雙束暗場成像{11-20}雙束暗場成像{11-20}雙束暗場成像6由上可見，通過選擇標準方法中{11-20}雙束暗場成像，我們均可以得到刃型位錯和混合位錯的圖像。選取C方向樣品，進行驗證{11-20}雙束暗場成像7采用相同樣品，在中科院蘇州納米所測試分析中心、北京大學物理學院電鏡室、國家納89五與國內、外同類標準水平對比情況對于III族氮化物半導體材料，由于透射電子顯微鏡具有高的空間分辨率的優點，因此將III族氮化物半導體材料材料進行位錯成像的相關標準。本標準作為方法類標準，在半導體行六與有關的現行法律、法規和強制性國家標準的關系本標準與我國現行的法律、

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