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靜電場(chǎng)
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[A]1、下列哪一種說法對(duì)的?
A、電荷在電場(chǎng)中某點(diǎn)受到電場(chǎng)力很大,該點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度一定很大。
B、一點(diǎn)電荷附近任一點(diǎn),如果沒有把檢查電荷放進(jìn)去,則這點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度為零。
C、把質(zhì)量m點(diǎn)電荷q放在一電場(chǎng)中,由靜止?fàn)顟B(tài)釋放,電荷一定沿電力線運(yùn)動(dòng)。
D、電力線上任意一點(diǎn)切線方向,代表點(diǎn)電荷q在該點(diǎn)處獲得加速度方向。
[C]2、圖示為一軸對(duì)稱性靜電場(chǎng)E?/?關(guān)系曲線,請(qǐng)指出該電
場(chǎng)是由哪種帶電體產(chǎn)生(E表達(dá)電場(chǎng)強(qiáng)度大小,r表達(dá)離
對(duì)稱軸距離)卜又^^
A、“無限長(zhǎng)”均勻帶電直線°1~i-------------4
B、半徑為R“無限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱體
C、半徑為R“無限長(zhǎng)'’均勻帶電圓柱面
D、半徑為R有限長(zhǎng)均勻帶電圓柱面
[A]3、在點(diǎn)電荷激發(fā)電場(chǎng)中,如以點(diǎn)電荷為心作一種球面,關(guān)于球面上電場(chǎng),如
下說法對(duì)的是
A、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E處處不等;
B、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E處處相等,故球面上電場(chǎng)是勻強(qiáng)電場(chǎng);
C、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E方向一定指向球心;
D、球面上電場(chǎng)強(qiáng)度矢量E方向一定沿半徑垂直球面向外.
[
[D]4、如圖所示,在C點(diǎn)放置電荷%,A點(diǎn)放置電荷%,S是包圍小封閉曲面,P
點(diǎn)是曲面上任意一點(diǎn),今把%從A點(diǎn)移到B點(diǎn),則:
A、通過S面電通量變化,但P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度不變
B、通過S面電通量和P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都變化(\
C、通過S面電通量P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都不變k°JP
D、通過S面電通量不變,但P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度變化一
[D]5、如果對(duì)某一閉合曲面電通量為,、ETS=O,如下說法對(duì)的是
A、S面上E必然為零B、S面內(nèi)電荷必然為零
C、空間電荷代數(shù)和為零D、S面內(nèi)電荷代數(shù)和為零
[D]6、一孤立點(diǎn)電荷q位于一立方體中心,則通過立方體每個(gè)表面電通量為:A、
qB、C、qD、
16444
[C]7、靜電場(chǎng)中高斯面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度是由決定。
A、分布在高斯面上電荷B、分布在高斯面外電荷
C、空間所有電荷D、高斯面內(nèi)電荷代數(shù)和
二、填空題
1、均勻帶電球面半徑為帶電量為。。則在球面內(nèi)距球心為/■任一場(chǎng)點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小
為。,球面外距球心為r任一場(chǎng)點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小為一
4兀£°R-
2、兩個(gè)平行“無限大”均勻帶電平面,其電荷面密度分別為+cr和-2。,
如圖所示,設(shè)向右為正,則三個(gè)區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度分別為:
_CT3b_O
EcA=至’EB=5—,Ecc=一『
3、均勻帶電球面,半徑為R,帶電量為q,球面P]和球面夕|—\點(diǎn)、P2處
電場(chǎng)強(qiáng)度大小,EeQ,E=—J。
24乃
4、在場(chǎng)強(qiáng)為E均勻電場(chǎng)中取一半球面,其半徑為R,電
場(chǎng)強(qiáng)度方向與半球面對(duì)稱軸平行。則通過這個(gè)半球面電通
?%
量為石成2,若用半徑為R圓面將半球面封閉,則通過這個(gè)封閉半球面電通量為0_。
5、點(diǎn)電荷彷、q2、私和火在真空中分布如圖所示。圖中S為閉合曲面,則通過該閉合
曲面電通量,左?而=9+9,式中E是點(diǎn)電荷小應(yīng)2,%闖4在閉合曲面上任一點(diǎn)產(chǎn)生場(chǎng)
矢量和。
靜電場(chǎng)中電勢(shì)
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[C]1、電荷。均勻分布在半徑為R、長(zhǎng)為L(zhǎng)圓弧上,圓弧兩端間留一小空隙,空隙
長(zhǎng)為△£(△£<</?),設(shè):為從圓心指向空隙單位矢量,則圓弧中心。點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度
和電勢(shì)分別為
A-QW7-QD-QkL7-Q
47r%R2L4%、8T&R,44
QAL-Q&L
c1QD-i
、,、4/KL,4吟RL
[C]2、下列說法對(duì)的是
A、場(chǎng)強(qiáng)大地方,電勢(shì)一定高,場(chǎng)強(qiáng)小地方,電勢(shì)一定低
B、等勢(shì)面上各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小一定相等
C、場(chǎng)強(qiáng)相等地方,電勢(shì)梯度一定相等
D、場(chǎng)強(qiáng)為零處,電勢(shì)一定為零,電勢(shì)為零處,場(chǎng)強(qiáng)也一定為零直線移
[C]3、電荷q在靜電場(chǎng)中沿任意閉合曲線移動(dòng)一周,關(guān)于電場(chǎng)力所作功,對(duì)的論
述是
A、若q>0,則電場(chǎng)力所作功為正。
B、若4<0,則電場(chǎng)力所作功為負(fù)。
C>無論q>0或q<0,電場(chǎng)力所作功均為零。
D、電場(chǎng)力所作功應(yīng)依照詳細(xì)條件來擬定。
[A]4、在點(diǎn)電荷+q和產(chǎn)生電場(chǎng)中,a、b、c、d為同始終線上等間距四個(gè)點(diǎn),
若將一點(diǎn)電荷+%由b點(diǎn)移到d點(diǎn),則電場(chǎng)力
A、做正功B、做負(fù)功Z--2---三----*
C、不做功D、不能擬定
[A]5、一半徑為R均勻帶電球面,帶電量為q,球面內(nèi)距中心為r處電勢(shì)為
A、—^―B、—^―C、D、
兀九
4萬47?4^0r2£0R2
二、填空題
1、把一種均勻帶有電荷+Q球面由半徑々增大到丫2,則半徑為RSVRO2)球面上任一
點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小E由一J■變?yōu)?_;電勢(shì)U由一^—變?yōu)楱D―(選無窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零
4TT£0R4乃47?4萬4G
點(diǎn)).
2、兩點(diǎn)電荷等量同號(hào),相距為。,電量為q,兩點(diǎn)電荷連線中點(diǎn)。處場(chǎng)強(qiáng)E=0,電
勢(shì)U=-^—a
7ts^a
3、在電荷為一。點(diǎn)電荷A靜電場(chǎng)中,將另一電荷為q點(diǎn)八.a
電荷8從a點(diǎn)移到萬點(diǎn).a、人兩點(diǎn)距離點(diǎn)電荷A距離分別為-7
ri和r2,如圖所示.則移動(dòng)過程中電場(chǎng)力做功W=-^(1—工]。
4grJ
4、如圖所示.實(shí)驗(yàn)電荷q,在點(diǎn)電荷+。產(chǎn)生電場(chǎng)中,沿半徑
為R整個(gè)圓弧3/4圓弧軌道由a點(diǎn)移到d點(diǎn)過程中電場(chǎng)力作功為,!》
Qn、?勺
0______;從d點(diǎn)移到無窮遠(yuǎn)處過程中,電場(chǎng)力作功為一上一。。
4乃生/?
靜電場(chǎng)中導(dǎo)體與電介質(zhì)
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[C]1、在接地金屬殼內(nèi)置一中性導(dǎo)體b和帶正電導(dǎo)體a,如圖所
示,則兩導(dǎo)體電勢(shì)
A、Ua=UbB、Ua<Ub
C、Ua>UbD、不能擬定
[D]2、當(dāng)一種帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)
A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高
B、表面曲率較大處電勢(shì)較高
C、導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面電勢(shì)高
D、導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)電勢(shì)差等于零
[B]3、當(dāng)一種帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí):
A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高
B、導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)電勢(shì)差等于零
C、導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面電勢(shì)高
D、表面曲率較大處電勢(shì)較高
]4、如圖,真空中有一點(diǎn)電荷Q及空心金屬球殼A,A處在靜電
平衡,球內(nèi)有一點(diǎn)M,球殼中有一點(diǎn)N,如下說法對(duì)的是
A、EM/0,EN=0,。在M處產(chǎn)生電場(chǎng),而在N處不產(chǎn)生電場(chǎng)
B、屈=0,EN和,。在M處不產(chǎn)生電場(chǎng),而在N處產(chǎn)生電場(chǎng)
C、EM=EN=O,。在M、N處都產(chǎn)生電場(chǎng)
D、為川,EN/O,。在M、N處都產(chǎn)生電場(chǎng)
[D]5、下列哪種力不能使正電荷在電源內(nèi)部從負(fù)極移動(dòng)到正極
A、機(jī)械力B、某種化學(xué)力C、磁力D、靜電力
[D]6、半徑分別為R和r兩個(gè)金屬球,相距很遠(yuǎn).用一根細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)線將兩球連接在一
起并使它們帶電.在忽視導(dǎo)線影響下,兩球表面電荷面密度之比也,為
巴
A、R/rB、R2/r2C、r2/R2D、r/R
二、填空題
1、一半徑為與導(dǎo)體球,外罩一半徑為6同心薄導(dǎo)體球殼構(gòu)成一球形電容器,則此電容
器電容為4’丐肉勺;若使導(dǎo)體球帶電+Q,導(dǎo)體球殼帶電—Q,則兩導(dǎo)體間電勢(shì)差為
R「&
旦」
4兀%&R?
2、有兩塊面積均為S金屬板平行放置,兩板間距離為dCd2?S),其中一塊金屬板
帶電量為q,另一塊金屬板帶電量為2q,則兩板間電勢(shì)差為
2ss0
3、在一種孤立導(dǎo)體球殼球心放一種點(diǎn)電荷,則導(dǎo)體球殼內(nèi)表面感應(yīng)電荷
呈均勻分布,外表面感應(yīng)電荷呈均勻:如果將點(diǎn)電荷移動(dòng)到殼內(nèi)任意點(diǎn),則導(dǎo)體
球殼內(nèi)表面感應(yīng)電荷呈非均勻分布,外表面感應(yīng)電荷呈非均勻分布。(填均勻或
不均勻)
電流磁場(chǎng)
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
選取題
]1、如圖5所示,一根無限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線在0處折成直角,點(diǎn)P位于折線延長(zhǎng)線
上,點(diǎn)P到折線距離為a=2.0cm,導(dǎo)線通有電流1=20^,則P點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度B為
lx1(T3T
A、IxlO^TB、
?—a—
lxICT3T
C、2x1077D、P
[A]2、四條互相平行載流長(zhǎng)直導(dǎo)線電流均為/,如圖放置,設(shè)正方形邊長(zhǎng)為2a,則正方
形中心O磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為
軟
氏1
A、B、
7Ty[a2mlO
/(2)------------(j)/
C、D、0
4如
[B]3>如圖,在一圓形電流I平面內(nèi),選用一種同心圓形閉
合回路L,則由安培環(huán)路定律可知
A、?di=o,且環(huán)路上任意點(diǎn)B=0
B、B?dl=0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B#0
C、.?dfr0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B#)
D、,方?/,0,且環(huán)路上任意點(diǎn)B=0
[C]4、兩個(gè)載有相等電流I半徑為R圓線圈一種處在水平位置,一種處在豎直位置,
兩個(gè)線圈圓心重疊,則在圓心o處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為多少?
〃。/6氏1
A、0B、C、D、
2R2RR
[C]5、無限長(zhǎng)直圓柱體,半徑為R,沿軸向均勻流有電流.設(shè)圓柱體內(nèi)(r<R)磁感強(qiáng)
度為Bi,圓柱體外(r>R)磁感強(qiáng)度為B2,則有
A、Bi>B2均與r成正比.
B、Bi、B2均與i?成反比.
C>Bi與r成正比,B2與r成反比.
D、B]與r成反比,B2與r成正比.
二、填空題
1、如圖所示無限長(zhǎng)載流導(dǎo)線,在半圓圓心0處產(chǎn)生磁感應(yīng)強(qiáng)度〃。/(康-*)。
2、通有電流強(qiáng)度I無限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線在距其垂直距離為aP點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為";
2如
半徑為R圓形電流I在其圓心0點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為短;單位長(zhǎng)度匝數(shù)為n、通有電
2R
流I無限長(zhǎng)載流直螺線管,其內(nèi)部一點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為〃()〃/。
3、一半徑為R薄塑料圓盤,在盤面均勻分布著電荷/若圓盤繞通過盤心且與盤面垂
直軸以角速度O做勻角速轉(zhuǎn)動(dòng),則在盤心處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=0
4,設(shè)一無限長(zhǎng)載流直螺線管,單位長(zhǎng)度匝數(shù)為〃,通有電流/,則在螺線管內(nèi)部一點(diǎn)磁
感應(yīng)強(qiáng)度大小為O
5、對(duì)于如圖(a)、(b)所示電流和回路,月環(huán)流分別為
(分)
6、如圖(c),在無限長(zhǎng)直載流導(dǎo)線右側(cè)為面積為S1和S2兩個(gè)矩形回路,兩個(gè)回路與
長(zhǎng)直載流導(dǎo)線在同一平面,且矩形回路一邊與長(zhǎng)直載流導(dǎo)線平行,則通過面積為S1矩
形回路磁通量與通過面積為S2矩形回路磁通量之比為1:1。.
磁場(chǎng)對(duì)電流作用
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[A]k帶電粒子,垂直射入均勻磁場(chǎng),如果粒子入射速度增大到2倍,磁場(chǎng)磁感應(yīng)
強(qiáng)度增大到2倍,則通過粒子運(yùn)動(dòng)軌道所包圍范疇內(nèi)磁通量增大到本來
A、2倍B、4倍C、1/2倍D、1/4倍
[C]2、把輕正方形線圈用細(xì)線掛在載流直導(dǎo)線AB
附近,兩者在同一平面內(nèi),直導(dǎo)線AB固定,線
圈可以活動(dòng)。當(dāng)正方形線圈通過如圖所示電流
時(shí)線圈將
A、不動(dòng);
B、發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng),同步接近導(dǎo)線AB;
C、接近導(dǎo)線AB;
D、離開導(dǎo)線AB。
[C]3、在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,有兩個(gè)平面線圈,其面積A]=2A2,通有電流11=212,她們所受
最大磁力矩之比M/M2等于
A、1B、2C、4D、1/4
[A]4、有一半徑為a,流有穩(wěn)恒電流為11/4圓弧形載流導(dǎo)線be,如圖所示方向置于
均勻外磁場(chǎng)月中,則該載流導(dǎo)線所受安培力大小和方向?yàn)?/p>
A、/a8,垂直紙面向里
B、〃虎,垂直紙面向外
C、㈣,垂直紙面向里
2
D、㈣,垂直紙面向外
2
[B]5、載有電流/線圈,置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為月均勻磁場(chǎng)中,若線圈磁矩大小為£,,
方向與月方向相似,則通過線圈磁通量落與線圈所受磁力矩大小M分別為
A、網(wǎng)“=1BP,“,M=()B、想=華,M=()
C、耙=/牝,M=BPmD、耙=華,M=B£“
[C]6、用細(xì)導(dǎo)線均勻密繞成長(zhǎng)為/、半徑為//>>0、總匝數(shù)為N螺線管,通以穩(wěn)恒
電流/,當(dāng)管內(nèi)布滿相對(duì)磁導(dǎo)率為〃,均勻介質(zhì)后,管中任意一點(diǎn)
A、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為〃B、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為此”
C、磁場(chǎng)強(qiáng)度大小為女牛”D、磁場(chǎng)強(qiáng)度大小為,
二、填空題
1、一種帶電粒子以某一速度射入均勻磁場(chǎng)中,當(dāng)粒子速度方向與磁場(chǎng)方向間有一角度
a(0<a<兀且a#兀/2)時(shí),該粒子運(yùn)動(dòng)軌道是等速螺旋線。
2、三根長(zhǎng)直載流導(dǎo)線1、2、3平行且共面,分別載有穩(wěn)恒電流/、21、31,
方向如圖所示,導(dǎo)線1與3距離為d,欲使導(dǎo)線2受力為0,則導(dǎo)線2與1
之間距離應(yīng)為4。
4
4、將一種通有電流強(qiáng)度為/閉合回路置于均勻磁場(chǎng)中,回路所圍面積法線方向與磁場(chǎng)
方向夾角為a,若均勻磁場(chǎng)通過此回路磁通量為耙,則回路所受磁力矩大小為1冊(cè)sina。
?5、將一導(dǎo)體板放在垂直于板面磁場(chǎng)B中,當(dāng)有電流/沿著垂直于5方向通過導(dǎo)體時(shí)
(如圖所示),則導(dǎo)體板上a、b兩端之間將會(huì)浮現(xiàn)橫向電勢(shì)差UH,這種現(xiàn)象稱為霍
爾效應(yīng)。如果a端電勢(shì)比b端低,則此導(dǎo)體載流子為o
6、磁介質(zhì)處在磁場(chǎng)中將產(chǎn)生磁化現(xiàn)象,按磁化電流產(chǎn)生附加磁場(chǎng)方向不同和大
小不同,磁介質(zhì)可分為抗磁質(zhì)、順磁質(zhì)和鐵磁質(zhì)三大類。
電磁感應(yīng)
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[D]1、尺寸相似鐵環(huán)與銅環(huán)所包圍面積中,通以相似變化率
磁通量,則兩環(huán)中
A、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不同
B、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相似,感應(yīng)電流相似
C、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不同,感應(yīng)電流相似
D、感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相似,感應(yīng)電流不同
[B]2、兩根無限長(zhǎng)平行直導(dǎo)線載有大小相等方向相反電流I,I以dl/dt變化率增長(zhǎng),
一矩形線圈位于導(dǎo)線平面內(nèi)(如圖),則
A、線圈中無感應(yīng)電流
B、線圈中感應(yīng)電流為順時(shí)針方向
C、線圈中感應(yīng)電流為逆時(shí)針方向
D、線圈中感應(yīng)電流方向不擬定
[C]3、將一根導(dǎo)線彎折成半徑為R3/4圓弧abed,置于均勻
磁場(chǎng)B中,B垂直于導(dǎo)線平面,如圖所示,當(dāng)導(dǎo)線沿角aod角平分線方向以速
度v向右運(yùn)動(dòng)時(shí),導(dǎo)線中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與為
B、vRB
[D]4、在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B均勻磁場(chǎng),如圖所示。B大小以速率dB/dt
變化,在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn),其間可放直導(dǎo)線AB和彎曲,一、
XX
導(dǎo)線AB,則
X*X
A、電動(dòng)勢(shì)只在AB導(dǎo)線中產(chǎn)生--------7B
B、電動(dòng)勢(shì)只在AB導(dǎo)線中產(chǎn)生。
c、電動(dòng)勢(shì)在AB和AB中都產(chǎn)生,且兩者大
小相等。
D、AB導(dǎo)線中電動(dòng)勢(shì)不大于AB導(dǎo)線電動(dòng)勢(shì)。
二、填空題
1、如圖,在一長(zhǎng)直導(dǎo)線L中通有電流I,ABCD為一矩形線圈,
它與L皆在紙面內(nèi),且AB邊與L平行,
(1)矩形線圈在紙面內(nèi)向右移動(dòng)時(shí),線圈中感應(yīng)電動(dòng)
勢(shì)方向?yàn)轫槙r(shí)針。
(2)矩形線圈繞AD邊旋轉(zhuǎn),當(dāng)BC邊已離開紙面正向外運(yùn)
動(dòng)時(shí),線圈中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)方向?yàn)轫槙r(shí)針
2、一導(dǎo)線被彎成如圖所示形狀,acb為半徑為R四分之三圓弧,直線段0a長(zhǎng)為R,若
此導(dǎo)線放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)B中,B方向垂直圖面向內(nèi),導(dǎo)線以角速度。在圖面內(nèi)繞0點(diǎn)勻
速轉(zhuǎn)動(dòng),則此導(dǎo)線中動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)弓
4、一圓形回路放在B=0.8T均勻磁場(chǎng)中,回路平面與B垂直。回路半徑以恒定速率上=80
(It
cm.J收縮,則當(dāng)半徑收縮屆時(shí)/*=10的回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為().128萬伏比o
5、長(zhǎng)度為L(zhǎng)金屬桿ab以速率v在導(dǎo)電軌道abed上平行移動(dòng)。
已知導(dǎo)軌處在均勻磁場(chǎng)B中,B方向與回路法線成。=600角
(如圖所示),B大小為B=kt(k為正常數(shù))。設(shè)t=0時(shí)桿位
于cd處,則任一時(shí)刻t導(dǎo)線回路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為
^L(kx+ktv),方向abeda
6、均勻磁場(chǎng)后被限制在半徑為1m無限長(zhǎng)圓柱形空間內(nèi),耳方向與圓柱軸線方向平行,
如圖示。若磁場(chǎng)以6X10-2T/S均勻增長(zhǎng),則和圓柱面相切
正三角形ABC中,AB邊感應(yīng)電動(dòng)中大小為0.02%,方向?yàn)?/p>
ABo
光干涉
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
[C]1、如圖所示,平行單色光垂直照射到薄膜上,經(jīng)上下兩表面反射兩束光發(fā)生干
涉,若薄膜厚度為e,并且〃|<〃2,〃2>"3,為入射光在
折射率為反媒質(zhì)中波長(zhǎng),則兩束反射光在相遇點(diǎn)位相差為
、2萬〃,e4乃n.e
A、-----B、-------+71
n2\
4萬47rti2e
C、-------+7tD、
%4
[B]2、如圖,用單色光垂直照射在觀測(cè)牛頓環(huán)裝置上。當(dāng)平凸透鏡垂直向上緩慢平
移而遠(yuǎn)離平面玻璃時(shí),可以觀測(cè)到這些環(huán)狀干涉條紋
A、向右平移B、向中心收縮
C、向外擴(kuò)張D、靜止不動(dòng)E、向左平移.
[C]3、如圖所示,兩個(gè)直徑有微小差別彼此平行滾柱之
距離為L(zhǎng),夾在兩塊平晶中間,形成空氣劈尖,當(dāng)單色光垂
入射時(shí),產(chǎn)生等厚干涉條紋。如果滾柱之間距離L變小,則在L范疇內(nèi)干涉條紋
A、數(shù)目減少,間距變大B、數(shù)目不變,間距變小
C、數(shù)目增長(zhǎng),間距變小D、數(shù)目減少,間距不變
[C]4、在折射率〃3=L60玻璃片表面鍍一層折射率
〃2=L38MgF2薄膜作為增透膜。為了使波長(zhǎng)為力=5000A光,從
折射率"1=1.00空氣垂直入射到玻璃片上反射盡量地減少,薄膜最小厚度emm應(yīng)是
A、2500A;B.1812A;C.1250A;D、906A
二、填空題
1、單色平行光垂直入射到雙縫上。觀測(cè)屏上P點(diǎn)到兩縫距離分別為n和r2o設(shè)雙縫
和屏之間布滿折射率為〃媒質(zhì),則P點(diǎn)處二相干光線光程差為“(G-4)。
2、如圖所示,假設(shè)有兩個(gè)同相相干點(diǎn)光源S|和S2,發(fā)出
波長(zhǎng)為力光。A是它們連線中垂線上一點(diǎn)。若在Si與A之間插入厚度為e、折射率為
〃薄玻璃片,則兩光源發(fā)出光在A點(diǎn)位相差△°=2a"-1)力。若已知力=5000A,/?=1.5,
?
A點(diǎn)恰為第四級(jí)明紋中心,則e=4000Ao
4、一平凸透鏡,凸面朝下放在一平玻璃板上。透鏡剛好與玻璃板接觸。波長(zhǎng)分別為
4i=600nm和42=500nm兩種單色光垂直入射,觀測(cè)反射光形成牛頓環(huán)。從中心向外數(shù)
兩種光第五個(gè)明環(huán)所相應(yīng)空氣膜厚度之差225nm。
5、光強(qiáng)均為/()兩束相干光相遇而發(fā)生干涉時(shí),在相遇區(qū)域內(nèi)有也許浮現(xiàn)最大光強(qiáng)是/
10。
光衍射
院別班級(jí)姓名學(xué)號(hào)
一、選取題
]1、一束波長(zhǎng)為2平行單色光垂直入射到一單縫AB上,裝置如圖,在屏幕D上
形成衍射圖樣,如果P是中央亮紋一側(cè)第一種
暗紋所在位置,則團(tuán)長(zhǎng)度為
A、九B、/
3/1/
C、/2D、2X
[B]2、單縫夫瑯和費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中,波長(zhǎng)為九單色光垂直入射在寬度為a=44單縫上,
相應(yīng)于衍射角為30°方向,單縫處波陣面可提成半波帶數(shù)目為
A、2個(gè)B、4個(gè)C、6個(gè)D、8個(gè)
[B]3、依照惠更斯一菲涅耳原理,若已知光在某時(shí)刻波陣面為S,則S前方某點(diǎn)P
光強(qiáng)度決定于波陣面S上所有面積元發(fā)出子波各自傳到P點(diǎn)
A、振動(dòng)振幅之和B、光強(qiáng)之和
C、振動(dòng)振幅之和平方D、振動(dòng)相干疊加
[D]4、在如圖所示單縫夫瑯和費(fèi)衍射裝置中,設(shè)中央
明紋衍射角范疇很小。若使單縫寬度a變?yōu)楸緛?/p>
3/2,同步使入射單色光波長(zhǎng)力變?yōu)楸緛?/4,則
屏幕C上單縫衍射條紋中央明紋寬度將變?yōu)?/p>
本來
A、3/4倍B、2/3倍
C、9/8倍D、1/2倍
E、2倍
]5、在如圖所示單縫夫瑯和費(fèi)衍射裝置中,將單縫
寬度。稍稍變寬,同步使單縫沿>>軸正方向作微
小位移,則屏幕C上中央衍射條紋將
A、變窄,同步向上移
B、變窄,同步向下移
C、變窄,不移動(dòng)
D、變寬,同步向上移
E、變寬,不移動(dòng)
二、填空題
1、在單縫夫瑯和費(fèi)衍射示意圖中,所畫出各條正入射光線間
距相等,那么光線1與3在屏幕上P點(diǎn)相遇時(shí)位相差為_把,
P點(diǎn)應(yīng)為暗點(diǎn)(填“亮”或"暗”)o
2、若光柵光柵常數(shù)乩縫寬a和入射光波長(zhǎng)之都保持不變,而使其縫數(shù)N增長(zhǎng),則光
柵光譜同級(jí)光譜線將變得亮。
3、在單縫夫瑯禾費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中,如果縫寬等于單色入射光波長(zhǎng)2倍,則中央明條紋邊
沿相應(yīng)衍射角0=arcsin0.5。
?4、一束平行單色光垂直入射在光柵上,若光柵透明縫寬度。與不透明某些寬度〃相
等,則也許看到衍射光譜級(jí)次為O
5、汽車兩盞前燈相距L,與觀測(cè)者相距S=
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