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第第頁IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導通現象有哪些？（IGBT）短路性能：

IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT（驅動電路）及短路回路阻抗。IGBT短路特性可用下面測試電路描述。一個IGBT短接集電極及發射極，另一個IGBT施加單個驅動脈沖。對應的電壓（電流）典型波形如圖所示，導通IGBT的電流以一定的斜率迅速上升，速度取決于（DC）-Link電壓及回路雜散電感。

IGBT進入退飽和狀態，短路電流被限制在額定電流的若干倍（取決于IGBT的結構特性），集電極-發射極電壓保持在高位，（芯片）的溫度由于短路大電流造成的功耗而上升，溫度上升短路電流會略微下降。在一個規定的短路維持時間tsc內，IGBT必須被關斷以避免損壞。

IGBT寄生導通現象：

IGBT半橋電路運作時的一個常見問題是因米勒（電容）引起的寄生導通問題，如下圖所示。S2處于關斷狀態，S1開通時，S2兩端會產生電壓變化（dv/dt），將會形成因自身寄生米勒電容CCG所引發的電流，這個電流流過柵極（電阻）RG與驅動內部電阻，造成IGBT柵極到射極上的壓降，如果這個電壓超過IGBT的柵極臨界電壓，那么就可能造成S2的寄生導通，形成短路，引起電流擊穿問題，進而可能導致IGBT損壞。

寄生導通的根本原因是集電極和柵極之間固有的米勒電容造成的，如果集電極與發射極之間存在高電壓瞬變，由于驅動回路寄生電感，米勒電容分壓器反應速度遠遠快于外圍驅動電路。因此即使IGBT關斷在0V柵極電壓，dvce/dt將會造成柵極電壓的上升，柵極電路的影響將被忽略。柵極發射極電壓可由下式計算：

由上式可知，Cres/Cies的比例應該越小越好。為了避免（柵極驅動）的損耗，輸入電容的值也應該越小越好。

因為米勒電容隨著VCE的增大而減小，所以，隨著集電極-發射極電壓的增

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