晶體管基礎知識教學課件_第1頁
晶體管基礎知識教學課件_第2頁
晶體管基礎知識教學課件_第3頁
晶體管基礎知識教學課件_第4頁
晶體管基礎知識教學課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩127頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

第二節晶體管的基礎知識4二、半導體的基礎知遲二、晶體二極管三、晶體三極管半導體的基礎知識P倒四行物體根據導電能力的強弱可分為導體、半導體和絕緣體三大類。凡容易導電的物質(如金、銀、銅、鋁、鐵等金屬物質)稱為導體;不容易導電的物質(如玻璃、橡膠、塑料、陶瓷等)稱為絕絲體;導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅、鍺、硒等)稱為率導缽。半導體之所以得到廣泛的應用,是因為它具有熱敏性、光敏性、摻雜性等特殊性能。PN結1、P型、N型半導體本征半導體是一種純凈的半導體晶體。常用的半導體材料是單晶硅(Si)和單晶鍺(Ge)。半導體硅和鍺都是4價元素,其原子結構如圖1(a),(b)所示。價電子電子軌道慣性核價電子原子核圖1:半導體的原子結構示意圖(a)硅原子;(b)鍺原子;(c)簡化模型本征半導體晶體結構示意圖如圖2所示。由圖2可見,各原子間整齊而有規則地排列著,使每個原子的4個價電子不僅受所屬原子核的吸引,而且還受相鄰4個原子核的吸引,每一個價電子都為相鄰原子核所共用,形成了穩定的共價鍵結構。每個原予核最外層等效有8個價電子,由于價電子不易掙脫原子核束縛而成為自由電子,因此,本征半導體導電能力較差。共價鍵價電子圖2單晶硅的共價鍵結構但是,如果能叢外界獲得一定的能量(如光照、溫升等),有些價電子就會掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子,在共價鍵中留下一個空位,稱為“空穴”空穴的出現使相鄰原子的價電子離開它所在的共價鍵來填補這個空穴,同時,這個共價鍵又產生了一個新的空穴。這個空穴也會被相鄰的價電子填補而產生新的空穴,這種電子填補空穴的運動相當于帶正電荷的空穴在運動,并把空穴看成一種帶正電荷的載流子。空穴越多,半導體的載流子數目就越多,因此形成的電流就越大。在本征半導體中,空穴與電子是成對出視的,稱為電子一空穴對。其自由電子和空穴數目總是相等的。本征半導體在溫度升高時產生電子一空穴對的現象稱為本征激發。溫度越高,產生的電子一空穴對數目就越多,這就是半導體的熱敏性。在半導體中存在著自由電子和空穴兩種載流子,而導體中只有自由電子這一種載流子,這是半導體與導體的不同之處。在本征半導體中摻入微量的雜質元素,就會使半導體的導電性能發生顯著改變。根據摻入雜質元素的性質不同,雜質半導體可分為P型半導體和N型率導體兩大類①P型半導體P型半導體是在本征半導體硅(或鍺)中摻入微量的3價元素(如硼、銦等)而形成的。因雜質原子只有3個價電子,它與周圍硅原子組成共價鍵時,缺少1個電子,因此在晶體中便產生一個空穴,當相鄰共價鍵上的電子受熱激發獲得能量時,就有可能填補這個空穴,使硼原子成為不能移動的負離子,而原來硅原子的共價鍵因缺少了一個電子,便形成了穴,使得整個率導體仍呈中性,如圖3所示。綜上所述,在摻入雜質后,載流子的數目都有相當程度的增加。因而對半

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論