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文檔簡介
連城數(shù)控專題報(bào)告-晶硅設(shè)備縱橫連城1
概況:單晶爐及硅片切割設(shè)備專家,產(chǎn)業(yè)延展力強(qiáng)連城數(shù)控于
2007
年成立,為一家領(lǐng)先的光伏行業(yè)設(shè)備制造商,當(dāng)前主要提供
硅片環(huán)節(jié)所需的單晶爐及切割加工主設(shè)備,具備整套產(chǎn)線交付能力,為隆基股
份的核心供應(yīng)商和長期戰(zhàn)略合作伙伴。公司是光伏領(lǐng)域最早從事專業(yè)切割設(shè)備研發(fā)制造的國內(nèi)公司,曾成功打破國外
壟斷,后又率先在業(yè)內(nèi)推廣金剛線切片技術(shù)和設(shè)備。另一方面,公司
2013
年
通過海外收購獲取了先進(jìn)的硅晶體生長和單晶爐技術(shù),通過自主研發(fā)創(chuàng)新,在
光伏領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)發(fā)展,取得極大成效。目前,公司正著力發(fā)揮技術(shù)能力和產(chǎn)業(yè)資源優(yōu)勢,對(duì)光伏下游環(huán)節(jié)、半導(dǎo)體和
其他晶體材料領(lǐng)域全面布局,逐步向設(shè)備及輔材解決方案綜合提供商發(fā)展。股權(quán)結(jié)構(gòu)及管理層情況公司實(shí)際控制人為李春安和鐘寶申,二人為一致行動(dòng)人,分別持有公司
13.12%
和
10.12%的股份,并分別持有公司控股股東沈陽匯智
27.64%和
33.10%的股
份,沈陽匯智則持有公司
30.58%的股份。同時(shí),鐘寶申為公司主要客戶隆基
股份董事長,并持有其
1.66%股份,李春安則持有隆基股份
2.11%股份。第二大股東如東睿達(dá)股權(quán)投資基金持股
10.53%,其余股東持股均不超過
5%。公司現(xiàn)核心管理層在所處領(lǐng)域內(nèi)均具有較強(qiáng)專業(yè)背景和豐富的管理經(jīng)驗(yàn),并在
光伏行業(yè)從事多年。其中,李春安為公司董事長,本在隆基股份發(fā)展初期就成為其核心成員,任職
歷程超
20
年,此前長期擔(dān)任隆基股份董事。總經(jīng)理黎志欣擁有全球頂級(jí)學(xué)府
專業(yè)背景,為北京市和遼寧省重點(diǎn)專家,進(jìn)入公司前曾在京運(yùn)通擔(dān)任總裁兼首
席運(yùn)營官數(shù)年。此外,公司今年
8
月新聘任高樹良為董事兼副總經(jīng)歷,為光伏
領(lǐng)域國務(wù)院特殊津貼專家,此前曾長期擔(dān)任中環(huán)股份高管及核心技術(shù)人員。在去年底,公司還對(duì)
180
余名核心人員進(jìn)行了期權(quán)激勵(lì),目前已授出股票期權(quán)
占公司總股本的
1.31%,實(shí)現(xiàn)了核心員工利益的良好綁定。業(yè)務(wù)布局:光伏產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)延伸,半導(dǎo)體及藍(lán)寶石領(lǐng)域加強(qiáng)拓展光伏硅片環(huán)節(jié)的主設(shè)備為公司當(dāng)前核心主業(yè),包括三類產(chǎn)品:
1)單晶爐為最主要產(chǎn)品,去年以來在主營業(yè)務(wù)收入中占比達(dá)
60%以上,毛利
潤占近
70%,2)線切設(shè)備收入占比在
30%左右,毛利潤占約
20%,3)磨床
收入和毛利潤占比皆在
10%以內(nèi)。在核心產(chǎn)品之外,公司會(huì)對(duì)具備協(xié)同效應(yīng)的新產(chǎn)品業(yè)務(wù)進(jìn)行布局和資源投入,
特別是自
2019
年左右,公司向縱橫兩個(gè)方向進(jìn)行產(chǎn)業(yè)延展的戰(zhàn)略逐漸清晰,
投入也大幅增加,已有少量成果體現(xiàn)在其他主業(yè)收入中,未來則有望形成新的
核心業(yè)務(wù),或帶來良好收益回報(bào)。縱向業(yè)務(wù)延伸:光伏“硅片-電池-組件”環(huán)節(jié)關(guān)鍵設(shè)備+輔材+智能制造光伏電池制造產(chǎn)業(yè)鏈包括硅料、硅片、電池和組件四個(gè)環(huán)節(jié),公司目前已向硅片下游的電池和組件環(huán)節(jié)核心設(shè)備進(jìn)行了廣泛的延伸布局。同時(shí),公司也將產(chǎn)
業(yè)中的一些關(guān)鍵輔材作為重點(diǎn)突破方向。另外,公司還在智能制造方面著力,
可對(duì)車間產(chǎn)線進(jìn)行智能化提效改造,或直接輸出整線方案。布局模式:主導(dǎo)開發(fā)+投資參股,最大化技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)資源優(yōu)勢公司對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的布局既依托原有技術(shù)能力的積累,又基于強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)資源:1)憑借對(duì)光伏行業(yè)和數(shù)控專業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的多年深耕,公司自身可將研發(fā)能力
和相通技術(shù)遷移到產(chǎn)業(yè)鏈的其他環(huán)節(jié)中,主導(dǎo)新產(chǎn)品的開發(fā),2)公司對(duì)產(chǎn)業(yè)中優(yōu)秀的創(chuàng)新型團(tuán)隊(duì)也具有較強(qiáng)的發(fā)現(xiàn)和吸引能力,并通過多
種模式合作。通過參控結(jié)合、因地制宜的產(chǎn)業(yè)布局模式,公司可以最大化地發(fā)揮其技術(shù)、資
源和客戶協(xié)同價(jià)值,實(shí)現(xiàn)新核心業(yè)務(wù)的孵化和行業(yè)發(fā)展紅利的分享。目前公司的諸多新項(xiàng)目推進(jìn)順利,重點(diǎn)參股公司也都在快速發(fā)展之中,有望不
久后實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)和規(guī)模的突破。橫向領(lǐng)域拓展:發(fā)力半導(dǎo)體硅材料、碳化硅及藍(lán)寶石的生長加工設(shè)備由于吸收了
Kayex半個(gè)多世紀(jì)的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)積累,加之在自主創(chuàng)新研發(fā)方面的
大力投入,實(shí)際公司早已具備向半導(dǎo)體及其他晶體材料生長設(shè)備拓展的較強(qiáng)實(shí)
力。在切割加工技術(shù)方面,公司作為國內(nèi)晶體硅領(lǐng)域最早突破多線切割和金剛
線技術(shù)應(yīng)用的企業(yè),也能較好的將其能力延伸至其他高硬脆材料上。目前公司橫向拓展的三大主要方向?yàn)榘雽?dǎo)體硅材料、碳化硅和藍(lán)寶石領(lǐng)域。半導(dǎo)體硅片:晶圓需求旺,大硅片國產(chǎn)化如火如荼單晶硅是運(yùn)用最廣泛的半導(dǎo)體材料,90%以上的半導(dǎo)體芯片都基于硅片制造。
受益于電子通信等行業(yè)的發(fā)展,全球半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,中國則為最大
的半導(dǎo)體消費(fèi)市場,占全球近
50%份額。但國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與需求并不
匹配,進(jìn)口依賴嚴(yán)重,自
2015
年起集成電路就成為我國第一大進(jìn)口商品。在市場驅(qū)動(dòng)和政策重點(diǎn)扶持下,國內(nèi)相關(guān)企業(yè)近年都在加大技術(shù)突破和產(chǎn)能建
設(shè)。對(duì)于晶圓環(huán)節(jié),根據(jù)
ICInsight資料,到
2022
年中國大陸產(chǎn)能將較
2018
年增加
68.7%,全球占比從
12.5%升至
17.2%,遠(yuǎn)高于全球平均增速。半導(dǎo)體硅片作為制作晶圓的基本襯底材料,卻呈現(xiàn)高度寡頭壟斷狀態(tài),國際五
大龍頭市占率接近
90%,特別是在技術(shù)壁壘較高的
12
寸硅片領(lǐng)域,壟斷度高
達(dá)
97%,大陸企業(yè)國產(chǎn)化率僅
1%左右。隨滬硅、金瑞泓、中環(huán)等國內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)對(duì)
12
寸技術(shù)的逐步突破,眾多國產(chǎn)大
硅片項(xiàng)目持續(xù)推進(jìn)建設(shè)。而在
8
寸領(lǐng)域,國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)能力已基本能達(dá)到
國際一流水平,但國產(chǎn)化率也僅
20%左右,隨產(chǎn)能的投放也有望快速提升。碳化硅:新能源電氣化應(yīng)用帶來巨量增長空間碳化硅是第三代半導(dǎo)體,即寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,因臨界擊穿場強(qiáng)高、熱
導(dǎo)率高等優(yōu)勢,可有效突破傳統(tǒng)硅基材料器件的物理極限,開發(fā)出更適應(yīng)高功
率、高壓、高溫、高頻等條件的器件。
隨著新能源汽車、光伏逆變器等需求的爆發(fā),碳化硅器件的應(yīng)用空間也極大提
升。如碳化硅功率器件可以較好的減少電動(dòng)車電量損耗,目前雖然件價(jià)格高昂,
但成本也有望隨摩爾定律和規(guī)模化生產(chǎn)快速下降,帶來良好整車降本潛力。根
據(jù)
Yole預(yù)測,到
2025
年功率碳化硅市場規(guī)模將達(dá)到
25.62
億美元,較
2019
年增長超
4.7
倍,CAGR近
30%。而遠(yuǎn)期來看,市場規(guī)模還有望翻番。
目前碳化硅領(lǐng)先技術(shù)基本掌握在
CREE、II-VI等少數(shù)全球龍頭手中,受美方嚴(yán)
格的技術(shù)保護(hù),特別是在涉軍領(lǐng)域?qū)θA全面禁運(yùn)封鎖。但近年國內(nèi)也涌現(xiàn)出如
山東天岳、天科合達(dá)等優(yōu)秀企業(yè),已經(jīng)在
4
寸技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)了攻克,在主流的
6
寸方面也基本形成突破,未來有望在市場需求和政策支持下快速發(fā)展。
另外,碳化硅的制備方法與硅存在較大不同,晶體生長速度極為緩慢,因此相
關(guān)設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到百億級(jí)別。藍(lán)寶石:LED行業(yè)整體復(fù)蘇,小間距技術(shù)面向未來藍(lán)寶石為以氧化鋁為主要成分,工業(yè)上約
80%用于
LED領(lǐng)域,主要用于制作
LED芯片的襯底材料,占比超
80%,其余主要用于消費(fèi)電子蓋板、屏幕領(lǐng)域。
中國大陸
LED芯片產(chǎn)量占全球
70%以上,近十幾年來行業(yè)周期性較為明顯,
最近一輪行業(yè)低谷為
2019
年底,由于此前國內(nèi)企業(yè)快速擴(kuò)張導(dǎo)致供給過剩,
同時(shí)需求不及預(yù)期,芯片價(jià)格大幅下跌。到
2020
年,新冠疫情沖擊加速企業(yè)
出清,終端需求也開始受在線辦公、遠(yuǎn)程教學(xué)等場景增加推動(dòng),同時(shí)運(yùn)用小間
距技術(shù)的
Mini/MicroLED出現(xiàn)爆發(fā)式增長,推動(dòng)行業(yè)復(fù)蘇提速。
目前來看,
Mini/MicroLED所代表的新世代顯示技術(shù)有望成為未來超高清顯
示時(shí)代的最佳選擇,逐漸對(duì)
OLED形成替代。此外,新冠疫情的爆發(fā)驅(qū)動(dòng)了紫
外
LED芯片、封裝等產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平的提升,在工業(yè)固化外,殺菌、凈化市
場成為未來發(fā)展最迅速、最有潛力的市場。技術(shù)研發(fā):重視投入持續(xù)加碼、強(qiáng)大團(tuán)隊(duì)實(shí)力突出公司一直以來以技術(shù)為本,重視研發(fā)創(chuàng)新以保持領(lǐng)先競爭力,多年保持研發(fā)投
入的持續(xù)增長,即使在
2018
年行業(yè)低估期也是如此。近期來看,為支持各項(xiàng)
新領(lǐng)域和重點(diǎn)新業(yè)務(wù)的布局,公司研發(fā)費(fèi)用也呈現(xiàn)翻倍式增長,為未來發(fā)展打
下充分基礎(chǔ)。優(yōu)秀的研發(fā)人員則是保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢和孵化新業(yè)務(wù)的根本基礎(chǔ)。公司擁有一
只專業(yè)背景強(qiáng)大且經(jīng)驗(yàn)豐富的資深核心技術(shù)人員團(tuán)隊(duì),包括擁有
2
位
SEMI標(biāo)
準(zhǔn)委員會(huì)的核心委員及國務(wù)院特殊津貼的技術(shù)專家。
此外,公司還長期與蘭州大學(xué)、同濟(jì)大學(xué)、大連理工大學(xué)等機(jī)構(gòu)進(jìn)行研究合作,
并與部分中科院院士、國外頂級(jí)專家建立了長期聯(lián)系。2
單晶爐:吸收美方先進(jìn)技術(shù),光伏領(lǐng)域大展身手單晶材料路線優(yōu)勢盡顯,光伏產(chǎn)業(yè)長年?duì)幎艘阎两y(tǒng)一尾聲
產(chǎn)業(yè)化晶硅太陽能電池的硅片材料可分為單晶和多晶兩大技術(shù)路線。近年來看,
單晶的市場占比逐年提升,2019
年開始成為市場主流,到
2020
年份額已超
90%,而多晶份額則迅速縮減,預(yù)計(jì)未來只會(huì)占極小一部分市場。
從原因來看,在光伏產(chǎn)業(yè)的任何一個(gè)環(huán)節(jié)里,單位發(fā)電量的綜合成本都是各種
技術(shù)路線最重要的競爭力。多晶硅片技術(shù)最初由
Wacker在上世紀(jì)
70
年代發(fā)明,因設(shè)備相對(duì)簡單、價(jià)格
低廉,同時(shí)一次性硅錠產(chǎn)量大、電耗低,成為光伏行業(yè)的主流路線之一,曾一
度占據(jù)絕對(duì)上風(fēng)。但多晶材料硅片一直存在一個(gè)核心問題,即做成電池后的光
電轉(zhuǎn)化效率和提升潛力都較單晶低不少。具體而言,單晶硅片整塊材料的晶體取向完全相同,晶胞呈現(xiàn)統(tǒng)一而有規(guī)律的
排列,而多晶材料中不僅存在大量晶界,而且位錯(cuò)缺陷和雜質(zhì)也遠(yuǎn)多于單晶,
導(dǎo)致其少數(shù)載流子壽命偏短,光衰也更嚴(yán)重,難以通過工藝進(jìn)步來改善。當(dāng)前隨生產(chǎn)工藝的進(jìn)步,多晶材料各方面的劣勢越發(fā)突出,如硅片進(jìn)一步減薄
困難、切割損耗大、電池單位面積吸光能力更弱,單
W組件實(shí)際發(fā)電能力低
等,都限制了其提效降本,已被單晶材料全面拉開差距,且越來越大。直拉法為主流單晶工藝,自動(dòng)控制技術(shù)為關(guān)鍵,設(shè)備價(jià)值占比高生產(chǎn)單晶硅片的第一步是利用高純多晶硅原料制作單晶硅棒,一般而言存在直
拉法(切克勞斯基法或
CZ法)和區(qū)熔法(FZ法)兩種技術(shù)。直拉法由于成
本較低且更適合制造大直徑的硅棒,成為最主流的制造技術(shù),區(qū)熔法雖然可以
制作純度極高的硅棒,但一般只在功率半導(dǎo)體器件材料等特定領(lǐng)域運(yùn)用,目前
光伏領(lǐng)域采用的都是直拉法。直拉法制作單晶硅棒的基本方式如下,利用高溫在坩堝中將硅料熔化,再將一
小塊籽晶浸入硅熔體中,隨后邊旋轉(zhuǎn)邊緩慢向上提拉,部分硅熔液就會(huì)隨籽晶
離開液面,并按照單一晶向凝固,持續(xù)不斷的生長出圓柱形的棒狀硅晶體。利
用直拉法生產(chǎn)硅棒的設(shè)備就是單晶爐。從單晶爐的結(jié)構(gòu)來看,一般包含主爐室、副爐室、提拉頭、熱場等幾個(gè)部分組
成。其中熱場置于主爐室中,為硅晶體生長發(fā)生的地方。副爐室在主爐室上方,
為已生成硅棒提供上升空間,其頂部的提拉頭為關(guān)鍵控制部件。主副室間存在
隔離閥室,以便硅棒的轉(zhuǎn)移和二次加料。主爐室下方還有坩堝抬升裝置,在拉
棒過程中使液面保持在原有位置。熱場一般包含加熱器、保溫桶、導(dǎo)流筒、坩堝、電極及一些結(jié)構(gòu)件,一般為石
墨或碳碳材料構(gòu)成。硅料須盛放于高純石英坩堝中熔化,但高溫會(huì)使得石英軟
化,因此外層還需要一個(gè)碳材料坩堝來支撐。從工藝步驟來看,拉制單晶硅棒細(xì)分為“配料-裝料-熔料-引晶-放肩/轉(zhuǎn)肩-等徑
-收尾”等幾個(gè)階段。拉制硅棒的正式環(huán)節(jié)從引晶開始,在等徑環(huán)節(jié),硅棒將按設(shè)定的目標(biāo)直徑持續(xù)
生長(波動(dòng)一般在
1mm內(nèi)),形成硅棒的主體,也是實(shí)際可以用于制作硅片的
部分。在
40
小時(shí)左右的晶體生長完整過程中,等徑生長階段約占
70%。等徑生長結(jié)束后,不能直接將硅棒與液面分離,而需要逐步提升拉速使晶棒直
徑縮小成一點(diǎn)后分離,否則熱應(yīng)力會(huì)使硅棒尾端向上產(chǎn)生大量位錯(cuò)。再從技術(shù)要求的角度來看,單晶硅棒的拉制實(shí)際是一
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