匯報人：2023年IGBT行業現狀分析與前景研究報告目錄行業背景研究行業現狀分析行業痛點及發展建議行業格局及前景趨勢0行業背景研究IGBT行業定義IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有驅動功率小、飽和壓降低的優點。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT作為電力電子重要大功率主流器件之一，廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。車規級IGBT指要滿足車載等級要求的IGBT，車規級IGBT是新能源汽車的核心器件，IGBT芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”，是影響電動車性能的核心器件之一。車規級IGBT模塊是新能源汽車的電機控制器、高壓充電機、空調系統等電氣組件的核心元器件，尤其IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換同時負責電機變頻控制。Q1Q2Q3Q4第一階段是以1957年為起點以整流管、晶閘管為代表的半控型器件發展階段。這一階段的功率器件在低頻、大功率變流領域中的應用占有優勢，取代了早先的汞弧整流器，半控型器件實現了弱電對強電的控制，在工業界引起了一場技術革命，但半控型器件可通過信號控制其導通，但無法實現關斷，使得其應用有著很大局限性。第二階段是20世紀70年代后期為以可關斷晶閘管(GateTurnOffThyristor,GTO)、功率雙極晶體管（BipolarJunctionTransistor,BJT，也稱GiantTransistor,GTR）和功率場效應晶體管（Power-MOSFET）等全控型器件為代表的發展階段。全控型器件通過對門極（基極/柵極）的控制，既可使器件導通又可使器件關斷，其開關速度高于晶閘管，使變流器的高頻化得以實現。20世紀70年代末MOSFET出現，克服了前兩代的許多不足，但其導通電阻卻比較大，在高壓領域其導通電阻仍舊是很大問題。第三階段是20世紀80年代后期以絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT）復合型器件為代表的發展階段。IGBT是功率MOSFET和BJT的復合，集中了BJT和MOSFET的優點，但也正是因為其由MOSFET驅動BJT，導致其開關速度、最大工作頻率不及MOSFET，故更適用于只在高壓、大功率環境。第四階段是以功率集成電路（PowerIntegratedCircuit,PIC）或智能功率集成電路（SmartPowerIntegratedCircuit,SPIC）為代表的集成電路發展階段。PIC即采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構。20世紀90年代后，PIC開始進入實用化階段。集成電路模塊中MOSFET、IGBT等功率器件仍是其核心，約占整個芯片面積的1/2-2/3，集成電路更多是起到推動電子元器件朝微小型化、低功耗和高可靠性方面發展的作用。政策分析《“十三五"國家戰略性新興產業發展規劃》《中國制造2025》《關于擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》明確提出要“聚焦新綸原裝備制造卡脖子問題，加快IGBT等核心技術部件研發"。優化產業結構，推進集成電路及專用裝備關鍵核心技術突破和應用。著力提升集成電路設計水平，不斷豐富知識產權(IP)核和設計工具，突破關系國家信息與網絡安全及電子整機產業發展的核心通用芯片，提升國產芯片的應用適配能力。加快先進制造工藝、存儲器、特色工藝等生產線建設，提升安全可靠CPU、數模/模數轉換芯片、數字信號處理芯片等關鍵產品設計開發能力和應用水平，推動封裝測試、關鍵裝備和材料等產業快速發展。《國家高新技術產業開發區“十三五”發展規劃》政策分析制定實施戰略性科學計劃和科學工程，瞄準前沿領域。其中，在集成電路領域，關注集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化擦等寬禁帶半導體發展。重點發展微型化、片式化阻容感元件，高頻率、高精度頻率元器件，耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導體分立器件及模塊，小型化、高可靠、高靈敏度電子防護器件，高性能、多功能、高密度混合集成電路。鼓勵的集成電路企業和軟件企業的企業所得稅減免政策，最高可免10年所得稅。如此密集的支持政策的發布，可見國內對解決關鍵技術"卡脖子"問題的決心，其中車規級絕緣柵雙極型晶體管(IGBT）就是—處重要的突破口。《關于促進集成電路產業和軟件產業高質量發展企業所得稅政策的公告》《基礎電子元器件產業發展行動計劃(2021—2023年)》《國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》財政部、國家稅務總局工信部國務院行業社會環境作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防軍工等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。IGBT模塊在電動汽車中發揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面:A）電動控制系統大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機；B）車載空調控制系統小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；+當前各主流廠商的車用SiCMOSFET技術的產業化進程處于起步階段。全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立的態勢，其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司，典型企業是科銳、安森美、Ⅱ-Ⅵ等；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，典型公司是意法半導體、英飛凌等；日本是設備和模塊開發方面的領先者，典型公司是羅姆、三菱電機等。在車用產業化領域，雖然2017年羅姆曾在Formula-E電動方程式賽車錦標賽中為Venturi車隊賽車配臵了SiC逆變器，但真正實現量產是特斯拉在2018年推出的封裝了SiCMOSFET的Model3車型，該產品由意法半導體提供，特斯拉也因此成為最早采用SiCMOSFET制造汽車逆變器的車企，隨后英飛凌也成為了特斯拉的SiC功率半導體供應商。行業社會環境+從2017-2022年以來，我國國內生產總值呈現上漲的趨勢，同比增速處于持續正增長的態勢，其中2021年國內生產總值為1143670億元，同比2020年增長了184%。2022年1-9月我國國內生產總值為870269億元，同比增長了6.2%。在疫情得到有效控制的情形下，我國經濟開始逐漸復蘇，之前受疫情影響而停滯的各個行業，也開始恢復運行，常態化增長趨勢基本形成，未來中國IGBT行業的發展必然有很大的上升空間。行業經濟環境02IGBT行業現狀分析行

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游硅晶圓、封裝材料等原材料、光刻機、檢測設備等設備硅晶圓是車規級IGBT生產的主要原材料之一，在IGBT材料生產成本中占比30%左右。硅晶圓是將硅元素加以純化（99.999%），并制成長硅晶棒，通過照相制版、研磨、拋光、切片等程序，切割成薄薄的晶圓，其本質是石英砂產品。硅晶圓作為制作芯片的基本材料，在產業中有著舉足輕重的地位，是現如今最重要、應用最廣泛的半導體材料。2017以來，中國石英砂產量保持穩定增長的趨勢，2018-2020年中國石英砂產量增速分別為6.02%、26%、83%。據最新數據統計，2021年中國石英砂產量為9123萬噸，較2020年上漲了08%。持續穩定的石英砂產出，給硅晶圓制作提供了充裕的原材料供應。晶圓的生產和制作工藝，對我國車規級IGBT行業的發展有著非常重要的地位，近年來國內對晶圓生產的重視程度持續增大，逐步形成了長三角、中西部為核心、輻射周邊的局面。但受到晶圓制作難度較大，行業集中度高的影響，我國晶圓行業注冊和存續的企業有所減少。2022年前三季度中國晶圓行業相關企業注冊數量為87家，存續企業為71家，和2021年同期相比，增速都有所下滑。目前國際上領先企業制作晶圓主要是12英寸和8英寸，我國大部分企業也都具備8英寸晶圓的實力，上海新昇表示制作生產的12英寸晶圓已通過認證，不日即可實現量產。晶圓技術的持續攻克，也為我國車規級IGBT行業發展帶來了不小的助力。產業鏈上游IGBT產業鏈上游概述近年來隨著我國IGBT行業的不斷發展，我國IGBT行業的產銷量也在持續增加，現如今我國已經成為全球最大的IGBT市場。2016年以來，我國IGBT產量和需求量都呈現出持續增長的態勢，2021年中國IGBT產量為2580萬只，同比增長了27.72%；需求量為13200萬只，較2020年增長了20%。需求量的持續擴大，推動著我國IGBT行業向前發展，同時受到新能源汽車的影響，我國車規級IGBT行業也將飛速發展。隨著中國新能源汽車的強勢崛起，新能源汽車領域所需的車規級IGBT快速擴張。2016-2021年期間，我國車規級IGBT行業的市場規模呈現出持續增長的態勢，2021年受到“十四五”相關發展政策的利好，車規級IGBT行業得到飛速發展，2021年車規級IGBT行業市場規模為47.8億元，較2020年增長了78.03%。受益于下游市場需求的拉動，我國車規級IGBT生產布局加速。士蘭微和時代電氣作為我國車規級IGBT行業排名前列的企業，在車規級IGBT領域的技術研發持續突破，得到有效進展，目前兩家企業已經實現從芯片設計到晶圓制造再到模塊封裝全覆蓋，對行業的發展產生了重大的推動作用。產業鏈中游IGBT產業鏈中游概述在全球節能減排、“雙碳”等政策的實施過后，發展新能源汽車成為共識，各地不斷推進汽車產業轉型，發布新能源汽車相關發展政策，中國在政府的大力扶持下已成為新能源汽車最大的市場。2017-2021年期間，我國新能源汽車產銷量保持增長的態勢，2020年以來新能源汽車市場得到飛速發展，2021年中國新能源汽車實現產銷量355萬輛、351萬輛。據公安部最新數據統計，2022年前三季度中國新能源汽車產銷量為477萬輛、456.7萬輛，較2021年同期增長了120%、110%。在新能源汽車的飛速發展下，車規級IGBT作為新能源汽車的核心器件之一，受到了各企業的重視，車規級IGBT行業也得到了持續發展。產業鏈下游IGBT產業鏈下游概述行業現狀從市場容量看，我國車規級IGBT市場規模從2015年5.92億元增長至2020年26.85億元，2015-2020年均復合增速高達35.31%。新能源汽車根據動力源可以分為HEV（混合電動汽車）、PHEV（插電式混合電動汽車）、BEV（純電動汽車）。其中，BEV不需要燃油機，只依靠電池提供能量，所以會配置較大容量的電池。BEV的優勢在于零排放。受益于國家的雙碳計劃，BEV成為未來新能源汽車發展的主要方向。根據汽車動力劃分，我國車規級IGBT可分為純電動汽車IGBT及混合動力汽車IGBT。2020年我國純電動汽車IGBT市場規模277億元，占比808%；混合動力汽車IGBT規模5.08億元，占18.92%。2025年全球/中國IGBT市場規模將達157/74億美元，2021-2025年CAGR分別為18/21%，成長空間廣闊。隨著新能源汽車、新能源發電的快速發展，帶動IGBT需求大增。根據我們測算，到2025年，全球/中國IGBT市場規模分別將達到157/74億美元，2021-2025年CAGR分別為18%/21%。電動化帶動EV用功率半導體ASP大幅提升，達330美元是傳統燃油車的6倍。以電力系統作為動力源的新能源汽車，對電子元器件功率管理，功率轉換能力提出了更高的要求。在傳統汽車中，功率半導體主要應用于車輛啟動，發電和安全領域，低壓低功率電子元器件即可滿足其工作需求。而在新能源汽車中，電池輸出的高電壓需要進行頻繁的電壓變換，電流逆變，這些電路大幅提高了汽車對IGBT、MOSFET等功率半導體的需求。根據英飛凌數據，傳統燃油車中，功率半導體含量為71美元，全插混/純電池電動車中，功率半導體價值量為330美元，是傳統燃油車的6倍。行業市場規模行業現狀IGBT是車用功率半導體的主要器件IGBT在汽車內有四種不同應用，第一是主逆變器核心器件，主逆變器將電池輸出的直流電逆變為交流電驅動汽車電機；第二應用在輔助逆變電路中，用來為其他汽車電子供電；第三應用在DC/DC直流斬波電路中，用來輸出電壓不同的電流；第四應用在OBC（充電/逆變）中，將外部輸入的交流電逆變為直流電為新能源汽車電池充電。在電動化程度較低的汽車中，由于其電池輸出電壓低，功率器件工作的功率范圍不高，可以用MOSFET替代輔助逆變電路、DC/DC直流斬波電路中的IGBT，以達到控制成本的目的。2025年全球新能源汽車用IGBT市場規模將達64億美元,CAGR為36%據Marklines數據顯示，2021年全球汽車銷量為7919萬輛，剔除2020年疫情年份，過去8年的復合增速為2%左右，假設按照此增速增長，2025年全球汽車銷量將達到8610萬輛，2021年全球新能源汽車銷量約650萬輛，滲透率為8.2%，我們到2025年全球新能源汽車滲透率有望達到25%左右，對應全球新能源汽車銷量約為2150萬輛。根據英飛凌數據，目前新能源汽車功率半導體和IGBT的單車價值分別為330美元和273美元，考慮到當前全球功率半導體產能供不應求，短期內新能源汽車功率半導體價格仍將保持在較高水平，且未來單車價值將隨著單車帶電量增加以及雙電機滲透率的提升而逐步增加，我們2022-2025年新能源汽車用的功率半導體和IGBT的單車價值將每年1%的增速增加，則據此測算，2025年全球新能源汽車功率半導體市場規模將達到78億美元，2025年全球新能源汽車用IGBT市場規模將達到64億美元，2021-2025年復合增速為36%。行業驅動因素1國務院發布政策、十四五規劃、政府報告、領導講話等都有對IGBT行業做了一些綱領性的指導，合理的解讀能夠為行業做了好的發展指引。優勢競爭，長期盈利，依托中國，布局全球，立足核心能力，全力獲取顯著競爭優勢，創造得到廣泛認可、深入人心的價值，通過成為“難以替代者”品牌致勝，涌現一批市場競爭力突出的全球性與區域性中國品牌，以持續正現金流實現長期盈利，這才是行業企業的發展之道。新能源汽車行業臨近拐點之年，高端車與低端車雙雙加速放量，2025年銷量有望達505萬輛。新能源汽車按照車型可以分為A00級（微型車）、A0級（小型車）、A級（緊湊型車）、B級（中型車）等。以特斯拉為代表的B級EV高端車由于科技性溢價高，將持續滲透高端客群，加速替代同級別的傳統燃油車；而比亞迪有望在2021年將迎來新一輪產品周期，在降本提速、政府補貼延續和免征購臵稅影響下實現“購臵平價”，尤其是技術成熟且壁壘很高的PHEV高端車型。受補貼退坡刺激，2020年后低端車產業鏈將加速降本，2021年中低端車發力，尤其是A0級和A級PHEV將向大眾市場加速滲透，頭部企業率先平價。2022是行業拐點之年，其中A級PHEV兼具燃油車和電動車的優點，市場接受度較高，有望在當前換購周期中率先突圍。2023年開始進入后補貼時代，新能源汽車行業洗牌或加速，2024轉向復蘇，2025年重回高增長通道，2025年我國新能源汽車銷量有望突破500萬輛。在政策傾斜與資本扶持下，國內龍頭加快自主產品的技術研發。半導體器件廣泛應用于現代工業設備中，但我國半導體大多依賴進口，很容易面臨缺“芯”困境，特別是在中美關系日益緊張，國內多家公司遭“制裁”的當前背景下，大力發展半導體行業將成為國家工業發展的重要舉措之一。2020年兩會上提交了“關于推動中國功率半導體產業科學發展的提案”，在未來國家政策持續利好，國內IGBT供應商將在研發、財稅、進出口等方面獲得更多支持。除此之外，資金實力的增強也將推動國內供應商加強在IGBT相關技術的研發力度，促進技術升級，加速業務發展。2020年2月4日斯達半導成功在A股上市，募集資金超5億元，2020年5月26日和6月16日比亞迪相繼發布公告披露比亞迪半導體順利完成A輪融資27億元，國內IGBT供應商未來將在資本扶持下加速技術研發。政策與資本助力下，國內龍頭加快產品技術研發海外大廠一致看好功率行業高景氣持續行業驅動因素2國務院發布政策、十四五規劃、政府報告、領導講話等都有對IGBT行業做了一些綱領性的指導，合理的解讀能夠為行業做了好的發展指引。優勢競爭，長期盈利，依托中國，布局全球，立足核心能力，全力獲取顯著競爭優勢，創造得到廣泛認可、深入人心的價值，通過成為“難以替代者”品牌致勝，涌現一批市場競爭力突出的全球性與區域性中國品牌，以持續正現金流實現長期盈利，這才是行業企業的發展之道。新能車臨近普及拐點，工業級應用平穩增長新能源汽車行業臨近拐點之年，高端車與低端車雙雙加速放量，2025年銷量有望達505萬輛。新能源汽車按照車型可以分為A00級（微型車）、A0級（小型車）、A級（緊湊型車）、B級（中型車）等。以特斯拉為代表的B級EV高端車由于科技性溢價高，將持續滲透高端客群，加速替代同級別的傳統燃油車；而比亞迪有望在2021年將迎來新一輪產品周期，在降本提速、政府補貼延續和免征購臵稅影響下實現“購臵平價”，尤其是技術成熟且壁壘很高的PHEV高端車型。受補貼退坡刺激，2020年后低端車產業鏈將加速降本，2021年中低端車發力，尤其是A0級和A級PHEV將向大眾市場加速滲透，頭部企業率先平價。2022是行業拐點之年，其中A級PHEV兼具燃油車和電動車的優點，市場接受度較高，有望在當前換購周期中率先突圍。2023年開始進入后補貼時代，新能源汽車行業洗牌或加速，2024轉向復蘇，2025年重回高增長通道，2025年我國新能源汽車銷量有望突破500萬輛。供求缺口與業務拓展將驅動產能提升。我國IGBT供應商在中高端IGBT產能不足，IGBT對外依賴度超90%，長期依賴國際巨頭，導致國內下游產業公司“一芯難求”。在供不應求的市場驅動下，國內龍頭的產能提升能為其帶來廣闊的市場空間。比亞迪2019年自供比率約70%，盡管其在車規級IGBT市場打破了國際巨頭的壟斷，但其對外供應量僅4萬多套，仍具有很高提升空間，因此，比亞迪于2020年成立比亞迪半導體公司，并新建8英寸晶圓生產線，進一步擴大IGBT產能，在2025年比亞迪半導體內外供比例有望達到2:1。除此之外，國內龍頭IGBT產品正趨向應用場景多樣化發展，業務擴展將進一步刺激產能。比亞迪半導體入局工業級IGBT，斯達半導加速推進車規級IGBT，二者互相進入新市場。比亞迪核心產品為車規級IGBT，但其觸角已經伸向工業級領域，目前比亞迪在焊機（瑞玲）、空調（TCL等）、電磁加熱等領域已經開展與下游公司的合作，未來會進一步拓寬在變頻器、光伏等方向的產品；斯達半導主要收入來源于工業控制及電源市場，但其在新能源汽車市場業務發展態勢良好，其車規級IGBT在2018年完成了客戶端小批量驗證，在2019年已實現大批量生產，根據其2019年股東大會披露，斯達半導體2019年生產的車規級IGBT模塊已經配套了超過20家終端汽車品牌，合計配套超過16萬輛新能源汽車。產能擴張疊加技術進步，為自主廠商以價換量創造空間03行業痛點及發展建議行業制約因素政府秉承創新開放的態度，支持和鼓勵科學研究創新，對科學研究試驗不設置嚴格限制，因此，IGBT行業不存在統一的監督管理規范，產品質量主要依靠生產企業自主檢測，IGBT行業產品質量的監管難度加大IGBT行業缺乏完備的質量控制和質量保證體系，生產商缺乏統一的生產標準，行業內產品質量良莠不齊，導致產品的可靠性難以保證，喪失產品市場競爭力在中低端產品領域，仍然有較大比例的產品依賴于進口渠道。此外，IGBT行業企業缺乏創新研發能力以及仿制能力，加重下游消費端對進口科研用檢測試劑的依賴，不利于IGBT行業的發展質量參差不齊行業監管難度大高端產品發展落后復合型人才稀缺IGBT行業深陷人才困境。行業發展缺乏人才支撐，團隊模式的培育機制弊端明顯導致IGBT行業企業專業人才留存難度加大，制約IGBT行業企業擴張。IGBT行業對從業人員的業務素質要求高，主要表現在以下三方面從業人員需要具備行業基礎知識和法律知識，為企業客戶提供全面、可靠、專業、多樣的解決方案。從業人員需要懂行業的專業知識，包括：IGBT行業產品得用途與優缺點，行業特征、市場環境和產業戰略規劃等。從業人員需要具有優秀的營銷談判能力、風控反控能力及報告溝通能力。目前該行業在人才招聘時能夠匹配上述要求的人才寥寥無幾，限制行業發展。由于復合型人才稀缺，IGBT行業企業通常采用團隊培育的方式進行專業能力建設，而該模式亦存在一定的弊端，企業的中高端人才若大量流失，初級員工的業務技能培訓將面臨能力傳承的斷層，導致企業人才培養難度加大，制約IGBT行業企業發展。質量提升在資本的加持下，IGBT的跑馬圈地仍在持續，預計2021年將會更加殘酷和激烈。同時，在線教育也面臨著更嚴格的監管，合規成本提升。IGBT行業產品品種多、批量小、附加值高，產品質量要求也較為嚴格。IGBT行業市場產品質量參差不齊，假冒偽劣等亂象仍普遍存在，嚴重阻礙IGBT行業發展進步。未來，提升IGBT行業產品質量是發展IGBT行業的核心任務，具體措施可分為以下兩大部分：（1）政府方面：政府應當制定行業生產標準，規范IGBT行業生產流程，并成立相關部門，對科研用IGBT行業的研發、生產、銷售等各個環節進行監督，形成統一的監督管理體系，完善試劑流通環節的基礎設施建設，重點加強冷鏈運輸環節的基礎設施升級，保證IGBT行業產品的質量，促進行業長期穩定的發展；（2）生產企業方面：IGBT行業生產企業應嚴格遵守行業生產規范，保證產品質量的穩定性。目前市場上已有多個本土IGBT行業企業加強生產質量的把控，對標優質、高端的進口產品，并憑借價格優勢逐步替代進口。此外，IGBT行業企業緊跟行業研發潮流，加大創新研發力度，不斷推出新產品，進一步擴大市場占有率，也是未來行業發展的重要趨勢通過進行細化分工，為客戶制定科研問題解決方案，使客戶能更加專注于其擅長的領域，提高科研效率，且幫助行業大幅節省醫學科研投入

拓展技術服務領域IGBT行業屬于領域中發展最快的細分領域之一，隨著IGBT的市場環境日趨成熟，行業競爭日趨激烈，多家IGBT企業開始擴張產品相關服務領域，提升企業的行業競爭力，主要舉措包括：IGBT行業企業面向多元化的科研實驗需求，建立多種技術服務平臺，向客戶提供除了所需的原材料以外的提取、分析等技術服務，形成企業特有競爭力提升技術服務能力IGBT行業企業開始在定制型服務領域發力，鞏固行業地位提高產品定制服務能力供科研咨詢服務服務技術人才

競爭趨勢需求隨著行業的競爭不斷加劇，企業競爭的本質是人才的競爭，IGBT行業企業都在不斷提升專業員工的技術水平。通過專項培訓、高薪招聘吸引高端優質人才加入。人才競爭是未來IGBT行業競爭的核心點之一。客戶是上帝，滿足客戶的需求是IGBT行業企業的價值實現，IGBT行業競爭趨勢首先在需求的分析與客戶痛點的把握。小眾運動場景日益崛起，帶動了新的IGBT行業產品需求。IGBT行業的競爭促進了產品質量與服務的持續優化與創新，在滿足客戶需求的同時也給行業服務帶來不斷的新體驗。優質的服務是IGBT行業競爭的重要焦點與未來趨勢。隨著科技不斷發展，IGBT企業對IGBT行業產品的研發投入不斷加大，企業形成自己的技術堡壘是在未來市場中取得市場份額的重要收到，因此技術競爭也是未來行業競爭的重要方向之一。行業發展建議提升產品質量（1）政府方面：政府應當制定行業生產標準，規范IGBT行業生產流程，并成立相關部門，對科研用IGBT行業的研發、生產、銷售等各個環節進行監督，形成統一的監督管理體系，完善試劑流通環節的基礎設施建設，重點加強冷鏈運輸環節的基礎設施升級，保證IGBT行業產品的質量，促進行業長期穩定的發展；（2）生產企業方面：IGBT行業生產企業應嚴格遵守行業生產規范，保證產品質量的穩定性。目前市場上已有多個本土IGBT行業企業加強生產質量的把控，對標優質、高端的進口產品，并憑借價格優勢逐步替代進口。此外，IGBT行業企業緊跟行業研發潮流，加大創新研發力度，不斷推出新產品，進一步擴大市場占有率，也是未來行業發展的重要趨勢。全面增值服務發展建議1發展建議2單一的資金提供方角色僅能為IGBT行業企業提供“凈利差”的盈利模式，IGBT行業同質化競爭日趨嚴重，利潤空間不斷被壓縮，企業業務收入因此受影響，商業模式亟待轉型除傳統的IGBT行業需求外，設備管理、服務解決方案、貸款解決方案、結構化融資方案、專業咨詢服務等方面多方位綜合性的增值服務需求也逐步增強。中國本土IGBT行業龍頭企業開始在定制型服務領域發力，鞏固行業地位發展建議3多元化融資渠道可持續公司債等創新產品，擴大非公開定向債務融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據、短融、超短融資等多產品、多市場交替發行的新局面；企業獲取各業態銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩定性。IGBT行業企業在保證間接融資渠道通暢的同時，能夠綜合運用發債和資產證券化等方式促進自身融資渠道的多元化，降低對單一產品和市場的依賴程度，實現融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業負債端的市場競爭力。以遠東宏信為例，公司依據自身戰略發展需求，堅持“資源全球化”戰略，結合實時國內外金融環境，有效調整公司直接融資和間接融資的分布結構，在融資成本方面與同業相比優勢突出。04行業格局及前景趨勢行業發展趨勢IGBT緊張加劇，供應鏈自主可控，加速國產化據富昌電子公布的交期數據，21Q3起，海外大廠均出現IGBT交期拉長趨勢，從之前平均的26-30周拉長至22Q2的40-52周，而常態下IGBT的交貨周期僅為8-12周。2022年以來，由于供應鏈短缺且短期內看不到復蘇跡象，國際功率巨頭紛紛提價。2月14日英飛凌給下游各分銷商發布通知函，表示由于市場供不應求及上游成本增加，英飛凌無力承擔溢出的成本，暗示或將漲價。ST意法半導體3月24日發布漲價函，將于22Q2開始對所有產品線進行提價，包括現有訂單。海外廠商交期拉長，缺芯漲價，無疑給國內IGBT加速國產化提供了難得的機遇。另一方面，近年來貿易摩擦增加，下游廠商出于供應鏈安全可控的需要，也為國產化加速提供了有利契機。供科研咨詢服務通過進行細化分工，為客戶制定科研問題解決方案，使客戶能更加專注于其擅長的領域，提高科研效率，且幫助行業大幅節省醫學科研投入行業發展趨勢提升技術服務能力IGBT行業企業面向多元化的科研實驗需求，建立多種技術服務平臺，向客戶提供除了所需的原材料以外的提取、分析等技術服務，形成企業特有競爭力聚焦投資業務IGBT行業企業憑借多年的客戶服務經驗，設備融資租賃和服務體系日趨完備，信息化服務于一身的綜合服務體系，能夠進行有效遷移，為投資業務的長期健康發展提供有力支持。IGBT行業商依托本身提供的資金服務，具