開關電源MOSFET的交越損耗分析_第1頁
開關電源MOSFET的交越損耗分析_第2頁
開關電源MOSFET的交越損耗分析_第3頁
開關電源MOSFET的交越損耗分析_第4頁
開關電源MOSFET的交越損耗分析_第5頁
已閱讀5頁，還剩2頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

內部消決定了了熱效應整體效因此了解是一項極為工作。本文詳細---MOSFET管交越從而使電工程師MOSFET生進程。MOSFETMOSFET柵極1示。1MOSFET進程中柵極荷特性通進程中t0柵極間容始充柵壓始上升，柵極壓為其中： VGS為PWM柵極驅動器輸出壓Ron為PWM阻CissMOSFET容RgMOSFET的柵極阻。VGS0到啟閾值VTH漏極沒有流流過t1為VGSVTHVGPt2為VGSt3為t3DDT過Tt2t3VAzMV55T8，FFF5VQg=9nVGS=10VQg=17nCQgd=4.7nCQgs=3.4nCVGS=5VID=11.6A，gFS=19SVDS=VGSID=25AVTH=2VVID=10ARDS(ON)=17.4mΩ。開通時米勒平臺電壓VGP：計算能夠取得電感L=4.H1.454電感的谷點電5.273AV開通進程中產生開關損耗為s3%sdTCiss=Crss+CgCissQgMTAgsBA管sBAB32EMIt3t31PWM0.5ΩRg串聯計算流19=2.354V。：CrssCiss1t1t22t8t9。2續模式工作波形Coss與進程常MOSFET進程Coss能量將貯存在其Coss同也MOSFET進程電壓dVDS/dCossdVDS/dtIst可是在硬進程Coss能太因CossMOSFET進程放電釋放能量將產生更多功降低系統整體效率同時在進程產生電流尖峰。進程電流尖峰產生電流應力瞬態進程可能MOTI會問題需要更前沿消隱避免電流誤檢測從而降低了系統能夠工作最小占空比值。Coss：BUCKMOSFET。當斷由出感以出中心振蕩Coss電值瞬態MOSFET兩頭值22.Coss進程阻礙1VDS波形是基理想狀態下用程簡化方來分析。由Coss實際進程中和流波形與圖1，3以地從最大值下降到0。3的，VDS一直維較低能夠以ZS01很小而專門3。s轉移到可是總功率4波形能夠看到S始快速上升。4進波形Coss或DS并聯更電容MOSFETSs。注意到1所取得波形于非持續模由0s即非持續模0。但實際檢測非持續模VGSCoss放

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論