犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５７７—２００９

熱解吸氣相色譜法測定

硅片表面的有機污染物

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２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜２４５７７—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３《熱解吸附氣相色譜法評估硅片表面有機污染物的方法》。

本標準對ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３格式進行了相應調整。為了方便比較，在資料性附錄Ｂ中列出了本標準

章條和ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３章條對照一覽表。并對ＳＥＭＩＭＦ１９８２１１０３條款的修改處用垂直單線標

識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ１３８９０７０４相比，主要技術差異如下：

———去掉了“目的”、“關鍵詞”；

———將實際測試得到的單一試驗室的精密度結果代替原標準中的精度和偏差部分，并將原標準中

的精度和偏差部分作為資料性附錄Ａ。

本標準的附錄Ａ、附錄Ｂ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研

究所。

本標準主要起草人：王奕、褚連青、李靜。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７７—２００９

熱解吸氣相色譜法測定

硅片表面的有機污染物

１范圍

１．１本標準規定了硅片表面的有機污染物的定性和定量方法，采用氣質聯用儀或磷選擇檢測器或者兩

者同時采用。

１．２本標準描述了熱解吸氣相色譜儀（ＴＤＧＣ）以及有關樣品制備和分析的相關程序。

１．３本標準的檢測限范圍取決于被檢測的有機化合物，比如碳氫化合物（Ｃ８～Ｃ２８）的檢測范圍就是

１０－１２ｇ／ｃｍ２～１０－９ｇ／ｃｍ２。

１．４本標準適用于硅拋光片和有氧化層的硅片。

１．５本標準中包含了兩種方法。方法Ａ適用于切割后的硅片，方法Ｂ則適用于完整的硅片。兩種方

法的不同點在第７部分中有詳細描述。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＡＳＴＭＤ６１９６吸附劑的選擇和取樣／熱解吸分析程序檢測空氣中的揮發性有機物

３術語、定義和縮略語

下列術語和定義及縮略語適用于本標準。

３．１術語和定義

３．１．１

空白晶片犫犾犪狀犽狑犪犳犲狉

一片經過熱處理但未吸收任何有機污染物的硅片。

３．２縮略語

ＡＥＤ———ａｔｏｍｉｃｅｍｉｓｓｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ原子發射檢測器

Ｃ１６———ｎｈｅｘａｄｅｃａｎｅ，ｎＣ１６Ｈ３４正十六烷

ＦＩＤ———ｆｌａｍｅｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ火焰離子化檢測器

ＦＰＤ———ｆｌａｍｅｐｈｏｔｏｍｅｔｒｉｃｄｅｔｅｃｔｏｒ火焰光度檢測器

ＧＣ———ｇａｓｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ氣相色譜

ＭＳ———ｍａｓｓｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ質譜

ＮＰＤ———ｎｉｔｒｏｇｅｎ／ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｔｈｅｒｍｉｏｎｉｃｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｄｅｔｅｃｔｏｒ氮磷檢測器