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混合集成電路高級(jí)工培訓(xùn)教程職業(yè)名稱:集成電路裝調(diào)工(混合集成電路制造裝調(diào)工)職業(yè)等級(jí):初級(jí)、中級(jí)、高級(jí)、技師鑒定方式:理論知識(shí)考試:閉卷,90~120分鐘技能操作考試:150~180分鐘基本要求:職業(yè)道德:職業(yè)道德基本知識(shí)、職業(yè)守則基礎(chǔ)知識(shí):半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一般電工知識(shí)混合集成電路基礎(chǔ)知識(shí)勞動(dòng)法知識(shí)產(chǎn)品質(zhì)量法知識(shí)環(huán)境保護(hù)法知識(shí)職業(yè)道德身體力行企業(yè)文化:簡(jiǎn)單和諧的人際關(guān)系忠誠(chéng)感恩的為人準(zhǔn)則競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)取的人生態(tài)度團(tuán)結(jié)協(xié)作的團(tuán)隊(duì)精神對(duì)待工作:兢兢業(yè)業(yè),精益求精,一絲不茍職業(yè)守則自覺遵守工藝衛(wèi)生和工藝紀(jì)律工作熱情、主動(dòng)自覺遵守勞動(dòng)紀(jì)律努力學(xué)習(xí),不斷提高理論水平和操作能力遵紀(jì)守法,不謀取私利敬業(yè)愛崗、實(shí)事求是電工基礎(chǔ)知識(shí)電荷、電壓、電流和電阻電荷:庫(kù)侖(電壓:伏特(V)電流:安培(A)電阻:歐姆(Ω)電阻計(jì)算公式:R=ρL/A或R=ρsL/W歐姆定律:V=I·RI=V/RR=V/I電工基礎(chǔ)知識(shí)R2電路的串并聯(lián):串聯(lián):R=R1+R2
并聯(lián):
R=(R1R2)/(R1+R2)
混聯(lián):R1R2R1R2R1R2R3R=(R1R2)/(R1+R2)+R3混合集成電路的基礎(chǔ)知識(shí)混合集成電路的定義:厚膜和薄膜工藝分類:制造工藝和組裝工藝與印刷電路和集成電路的比較應(yīng)用混合電路基片混合電路基片的功能:
外貼件的機(jī)械支撐互連線和膜電阻的基底器件散熱的媒質(zhì)對(duì)基片的要求:高絕緣電阻、低孔性、高純度、高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)、熱穩(wěn)定性、抗化學(xué)性、高光潔度、低翹度薄膜工藝沉積工藝真空蒸發(fā):電阻加熱法、瞬間蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)濺射:直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射薄膜電阻:鎳、氮化鉭、陶瓷金屬(一氧化硅和鉻)光刻工藝:光刻材料:正性膠、負(fù)性膠刻蝕材料和工藝:濕法、干法多層厚膜印刷工藝流程厚膜印刷機(jī)厚膜用漿料功能相:對(duì)導(dǎo)體漿料由Pt,Pd,Ag,Au等構(gòu)成。對(duì)電阻漿料由金屬和金屬的氧化物(RuO2,Bi2Ru2O7,Pd,Ag)構(gòu)成,對(duì)介質(zhì)漿料由陶瓷/玻璃(BaTiO3,glass)構(gòu)成。粘接相:作用是將漿料保持在基片上,在高溫?zé)Y(jié)時(shí)他將膜層與陶瓷基片結(jié)合在一起。載體:由揮發(fā)性溶劑和非揮發(fā)性有機(jī)物(聚酯)構(gòu)成,作為功能相和粘接相粉末的載體。溶劑在烘干時(shí)揮發(fā)掉,非揮發(fā)性有機(jī)物在燒結(jié)爐的燒掉區(qū)燃燒被氣流從文氏管排風(fēng)口排掉。
改性劑:少量的專利性添加劑。他控制杜邦漿料在加工前和加工后的性能。厚膜漿料的流變性觸變性絲網(wǎng)印刷的參數(shù)設(shè)置絲網(wǎng)尺寸(inches)建議的脫網(wǎng)距離(mils)5X5
20-308X10
30-4012X1240-60
張力比較緊的新絲網(wǎng)用下限值,但是隨著絲網(wǎng)張力下降,應(yīng)逐漸加大脫網(wǎng)距離至上限值。下止點(diǎn)應(yīng)超過基片上表面5-7mil。過多損網(wǎng),過少印刷時(shí)膜厚不勻。印刷干膜厚度隨絲網(wǎng)目數(shù)變化絲網(wǎng)目數(shù)線徑(mils)典型干厚(μm)2002.1252001.6262501.4213251.116恰當(dāng)?shù)臒Y(jié)爐設(shè)置爐子的空氣決定爐子里需要多少空氣
恰當(dāng)?shù)卦O(shè)置空氣流量60分鐘燒結(jié)的爐溫曲線
30分鐘燒結(jié)的爐溫曲線恰當(dāng)?shù)臒Y(jié)爐設(shè)置是高合格率穩(wěn)定燒結(jié)的關(guān)鍵。主要是爐子的氣氛和爐溫曲線。BTU帶式燒結(jié)爐厚膜燒成曲線
對(duì)燒結(jié)爐使用的空氣的要求要想成功地?zé)Y(jié)厚膜,在爐子里必須有足夠量的清潔干燥的空氣進(jìn)氣口應(yīng)在屋頂上2-3米高的地方取得,要遠(yuǎn)離含污染物的排氣口空氣壓縮機(jī)應(yīng)采用無(wú)油空氣壓縮機(jī)。含油的壓縮空氣不利于厚膜燒結(jié)必須讓壓縮空氣通過處理后再通進(jìn)爐內(nèi)。使氣體的露點(diǎn)達(dá)到-30°C(在80-100psi時(shí))。標(biāo)準(zhǔn)的冷卻干燥器和加熱干燥器結(jié)合使用可以達(dá)到這個(gè)露點(diǎn)值。活性炭有助于去除鹵化物和硫化物型的污染。微米和亞微米濾波器可去除顆粒物質(zhì)。
干燥器和過濾器要定期處理再生。恰當(dāng)設(shè)置流量計(jì)關(guān)掉所有的流量計(jì)。將燒掉區(qū)(burnout)的空氣流量。將燒結(jié)區(qū)(firing)的空氣流量調(diào)到用上面的公式計(jì)算的數(shù)值的1.1~1.2倍。用輕薄的軟紙檢查在爐子的入口和出口都有氣體向外流出。逐步加大文氏管(venturi)排氣用的空氣流量直到室內(nèi)的空氣剛好從爐子的入口和出口吸入。這將確保導(dǎo)入燒掉區(qū)和燒結(jié)區(qū)的壓縮空氣剛好從文氏排氣管被全部排走。逐漸加大入口氣簾(curtain)和出口氣簾的流量計(jì)流量直到在爐子入口和出口都有氣體向爐外流出。這可以防止室內(nèi)臟空氣進(jìn)入爐內(nèi)。對(duì)爐溫曲線的要求
60MinuteProfile控制點(diǎn)標(biāo)稱公差范圍
100C-100C55min+/-5min50-60min600C-600C31min+/-2min29-33min800C-800C19min+/-1min18-20min850C保溫(時(shí)間)10min+/-0.5min9.5-10.5min850C保溫(溫度)850C+/-3C847C-853C300C-500C升溫45C/min+/-10C/min35C-55C/min800C-600C降溫30C/min+/-5min27C-33C/min700C-300C降溫50C/min+/-10C/min40C-60C/min燒掉區(qū)溫度500C+/-50C450C-550C溫度曲線用K星或N型熱電偶綁在爐帶上測(cè)量。一般用N型熱電偶,因?yàn)樗貜?fù)使用時(shí)變化小。對(duì)爐溫曲線的要求
30分鐘曲線控制點(diǎn)標(biāo)稱公差范圍100C-100C33min+/-3min30-36min600C-600C19min+/-1min18-20min800C-800C14min+/-1min13-15min850C保溫(時(shí)間)10min+/-0.5min9.5-10.5min850C保溫(溫度)850C+/-3C847C-853C300C-500C升95C/min+/-10C/min85C-105C/min800C-600C降70C/min+/-10C/min60C-80C/min700C-300C降95C/min+/-10C/min85C-105C/min燒掉區(qū)溫度500C+/-50C450C-550C
激光調(diào)阻的相關(guān)術(shù)語(yǔ)激光調(diào)阻機(jī)示意圖電阻的探針測(cè)量技術(shù)探針卡兩探針測(cè)量四探針測(cè)量調(diào)阻的切口類型調(diào)阻時(shí)的數(shù)字切割混合電路的組裝工藝芯片和基片的貼裝粘結(jié)劑貼裝:環(huán)氧、聚酰亞胺、氰酸鹽酯芯片和基片的貼裝冶金貼裝:電路互連線焊:0.7~2mil金絲或鋁絲
熱壓線焊:225~270℃,球焊,楔形焊超聲線焊:“冷焊”工藝,超聲能,5~20mil熱聲線焊:150℃,超聲能倒裝焊電路互連(楔形焊)電路互連(球焊)電路互連(超聲焊)電路互連(線焊焊點(diǎn)形狀)電路互連(線焊點(diǎn)形狀的好壞)電路互連(倒裝焊)清洗的重要性在組裝工作中的各階段的清洗對(duì)確保高可靠性和高成品率是很重要的。由于沾污和不恰當(dāng)?shù)那逑此鶎?dǎo)致的混合電路問題包括:高的漏電流,電短路和開路,腐蝕,PIND試驗(yàn)失效,差的線焊性,線焊降級(jí),蓋板很難密封和金屬遷移(成長(zhǎng)金屬須或枝狀物)。防止電路沾污的途徑兩種途徑防止電路不被沾污:第一是防止電路在制造時(shí)沾污。在操作時(shí)使用指套,真空攝子,在干燥氮?dú)庵写娣挪考趯恿鞴ぷ髋_(tái)和凈化間中組裝產(chǎn)品,穿戴工作帽,工作服和工作鞋,這樣可減少沾污,緩解清洗工藝。第二是選擇有效的溶劑和工藝,在裝配中或裝配后的各工藝階段清洗混合電路。污物的來(lái)源在混合電路中發(fā)現(xiàn)的污物可分為粒子、離子剩余物、無(wú)機(jī)剩余物、有機(jī)剩余物。污物的主要來(lái)源是通過操作。人的皮膚連續(xù)地散落出粒子,傳播鹽,氨的化合物和天然油。其他污物來(lái)自裝配和操作時(shí)轉(zhuǎn)移到電路上的工作人員的化妝品和衣服的磨損。這些污物有發(fā)油,洗手液,面奶,去臭劑,合成或天然纖維。清洗方法濕法清洗:溶劑:去離子水、氟利昂TF、異丙醇干法清洗:等離子清洗當(dāng)?shù)蛪簹怏w遭受到如射頻或微波頻率下的高能輸入時(shí),氣體通過與高能電子的碰撞,發(fā)生電離。結(jié)果產(chǎn)生的自由電子、未反應(yīng)的氣體、中性的和離子化的粒子的混合物被叫作等離子,它能十分有效地以物理和化學(xué)作用去除表面的沾污。清洗工藝選擇基片清洗:原包裝拆開后建議不清洗,僅用干燥氮?dú)獯狄幌拢@850℃燒一下。組裝清洗:建議不使用超聲-用氟利昂TF噴洗-將混合電路組裝移至沸騰的氟利昂TF(117℃)的汽相區(qū)中-在汽相區(qū)中用氟利昂TF噴洗(混合電路應(yīng)滯留在汽相區(qū)中約3分鐘)-將混合電路組裝從汽相區(qū)中移出,以豎直的位置晾干;如果在混合電路上還有粗的顆粒,可用異丙醇液流沖洗,接著用氟利昂TF漂洗,然后在氮?dú)饬髦懈稍铩5入x子清洗等離子清洗最廣泛的應(yīng)用是在線焊之前的混合電路的清洗準(zhǔn)備。線焊焊盤的等離子清洗大大改善了熱壓焊的可焊性和焊接強(qiáng)度[30]。裝配器件以后,將電路放到等離子室中,抽真空到0.05乇。然后回充氬氣到0.175乇,該氣體然后經(jīng)受50~75W的RF能量3~5min。表7.8總結(jié)了用氧和氬進(jìn)行等離子清洗的參數(shù)真空烘烤和密封最后的組裝操作是真空烘烤和密封。這兩個(gè)步驟對(duì)混合電路在可以遇到的任何不利環(huán)境中保證長(zhǎng)期的可靠特性特別重要。真空焙烤是去掉吸附的濕氣,而且對(duì)去除電路中其他揮發(fā)性材料的放氣也有效,特別是從環(huán)氧粘結(jié)劑中揮發(fā)出來(lái)的氣體。若在封裝中不去掉這些氣體,他們就會(huì)陷留在封裝中,在以后會(huì)引起腐蝕或使電路性能降級(jí)。軍標(biāo)5000ppm水汽含量的要求。各種真空烘烤時(shí)間表在150℃氮?dú)庵?4h,接著在150℃真空中1h在150℃真空中16~24h在135℃真空中4h在150℃真空中10h在100℃時(shí)氮?dú)庵斜嚎?h在150℃氮?dú)庵斜嚎?2h,接著在150℃的真空中焙烤16h密封要求和方法密封:小于1×10-7atm·cc/s氦的非常低的漏氣率的封裝。冶金密封:錫焊密封:手焊、帶式爐密封熔焊密封:平行縫焊、儲(chǔ)能焊玻璃密封環(huán)氧密封平行縫焊機(jī)檢漏試驗(yàn)粗檢漏細(xì)檢漏:氦質(zhì)譜檢漏儀光學(xué)檢漏試驗(yàn)?zāi)康模捍_保對(duì)電路的預(yù)期壽命和電性能的要求得到滿足。用于玩具、游戲或個(gè)人計(jì)算機(jī)的混合電路僅要求短時(shí)間的較低溫度的老煉篩選和電測(cè)試就可以,而用于航空、航天、導(dǎo)彈的混合電路,除了長(zhǎng)時(shí)間的高溫老煉篩選和許多工藝過程控制試驗(yàn)以外,還要求做13種以上的篩選試驗(yàn)。試驗(yàn)可分為:電氣(芯片和混合電路)、目檢(內(nèi)部和外部目檢)、熱/機(jī)械篩選試驗(yàn)。更進(jìn)一步,試驗(yàn)可以分為非破壞性試驗(yàn)和破壞性試驗(yàn)。非破壞性試驗(yàn)對(duì)所有產(chǎn)品100%進(jìn)行,而破壞性試驗(yàn)僅在質(zhì)量鑒定或質(zhì)量一致性檢驗(yàn)時(shí)對(duì)一小部分抽樣的樣品進(jìn)行。電測(cè)芯片電測(cè):在混合電路生產(chǎn)中,為了得到高的初始成品率,對(duì)半導(dǎo)體芯片(IC、晶體管和二極管)預(yù)測(cè)試是很重要的。在混合電路裝配過程中,應(yīng)該盡可能早地識(shí)別出有缺點(diǎn)的芯片,并將它們替換。在流程中發(fā)生芯片損壞越晚(在混合電路中、子系統(tǒng)中、系統(tǒng)中,或更糟糕的是當(dāng)送交到顧客手中后),越難將其隔離和進(jìn)行返修,代價(jià)也越高。然而,若在芯片裝配前能夠預(yù)測(cè)試,去掉卡邊的或損壞的器件,混合電路一次性成品率將會(huì)增加,而且在以后發(fā)生失效的幾率也會(huì)降低。
直流參數(shù)測(cè)試、脈沖測(cè)試和功能測(cè)試直流測(cè)試最常用于硅圓片測(cè)試。抽樣封裝后可以做脈沖測(cè)試和功能測(cè)試。
電測(cè)混合電路測(cè)試從手動(dòng)到自動(dòng),有四種類型的設(shè)備,用于測(cè)試混合電路:1.一種小的定制的提供被測(cè)件與儀表架上的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的接口(interface)的測(cè)試盒。2.一種用戶自制的,帶有內(nèi)部信號(hào)源和電源,能提供“通過/通不過”測(cè)試數(shù)據(jù)的專用測(cè)試盒。3.一種插入了矩陣開關(guān),提供被測(cè)件與進(jìn)行測(cè)試尋址的微處理機(jī)的接口的測(cè)試卡。4.計(jì)算機(jī)控制的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備。高低溫測(cè)試,PDA(允許損壞百分?jǐn)?shù)),PDS(參數(shù)漂移篩選)封殼前目檢在密封混合微電路前,應(yīng)該進(jìn)行目檢。該檢驗(yàn)借助于具有30~100倍放大能力的光學(xué)設(shè)備進(jìn)行。目的是檢查內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)和混合微電路的加工質(zhì)量是否符合要求。檢查是根據(jù)MIL-STD-883方法2017進(jìn)行的。目檢內(nèi)容:有源芯片器件——集成電路、晶體管、二極管。無(wú)源片狀元件——電容器、電阻器、電感器。基片缺陷——基片、金屬化、對(duì)準(zhǔn)、電阻器、電阻器調(diào)整。元器件往基片上的組裝——焊接或環(huán)氧貼裝,元器件取向。基片往底座上的貼裝——焊接或環(huán)氧貼裝、基片取向。線焊——球焊、楔形焊、新月形焊、梁式引線焊、網(wǎng)格焊、帶焊。
連接器和穿通饋線。封裝情況——外部材料、銹蝕情況。非破壞性篩選試驗(yàn)高溫儲(chǔ)存溫度循環(huán)隨機(jī)振動(dòng)機(jī)械沖擊恒加速(離心)密封性加電老煉X射線顆粒碰撞噪聲檢測(cè)(PIND)破壞性試驗(yàn)芯片剪力強(qiáng)度。線焊強(qiáng)度。引腳完好性。可焊性。鹽霧。抗潮濕。破壞性物理分析(DPA)。內(nèi)部水汽含量(水汽分析)。破壞性物理分析(DPA)破壞性物理分析是一種為了確定混合電路與適用的設(shè)計(jì)要求和工藝要求是否一致,對(duì)其拆封、試驗(yàn)和檢驗(yàn)的過程。DPA試驗(yàn)的項(xiàng)目:外部目檢。X射線。顆粒碰撞噪聲檢驗(yàn)(PIND)。密封性。內(nèi)部水汽分析。內(nèi)部目檢。基線結(jié)構(gòu)。鍵合強(qiáng)度。掃描電鏡(SEM)。芯片剪力。封裝內(nèi)水汽含量分析MIL-STD-883方法10185000ppm在氣密封裝的混合電路或集成電路封裝中,水汽的單獨(dú)存在或與其他氣體或離子沾污物一起存在,一直是高可靠系統(tǒng)制造者最關(guān)心的問題。已經(jīng)有報(bào)道,水與離子或其他殘余物之間的相互作用會(huì)腐蝕器件的金屬化層和電連接,產(chǎn)生金屬遷移,導(dǎo)致電氣短路,產(chǎn)生高的漏電流,并在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生反向電流。濕度分析最廣泛使用的儀器是一種由計(jì)算機(jī)控制的四極質(zhì)譜分析儀。水汽含
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