1、之前當(dāng)然要先看過某廠的datasheet，我看的是Micron按上面說，terminate 和precharge 都能掐斷burst 讀或?qū)憽Ｎ乙彩堑谝淮斡?Sdram，根據(jù)我做的項(xiàng)目數(shù)據(jù)流特點(diǎn)，我一上來就只選用了full模式。因?yàn)閒ull讀寫不帶auto-precharge，而且要用戶自己來終止，比較了一下，對(duì)于fullterminate（時(shí)序清晰明了prechargefullwrite之前當(dāng)然要先看過某廠的datasheet，我看的是Micron按上面說，terminate 和precharge 都能掐斷burst 讀或?qū)憽Ｎ乙彩堑谝淮斡?Sdram，根據(jù)我做的項(xiàng)目數(shù)據(jù)流特點(diǎn)，我一上來就只

2、選用了full模式。因?yàn)閒ull讀寫不帶auto-precharge，而且要用戶自己來終止，比較了一下，對(duì)于fullterminate（時(shí)序清晰明了prechargefullwriteterminateterminate。FF天，猜想問題在precharge上，嘗試在temate后面加上precharge，實(shí)驗(yàn)就成功了！原來盡管termate和prechrge都能終止頁爆發(fā)，但termate只是單純的終止，不能完全代替precharge，用了termate后還要跟上precarge才行。資料上時(shí)序圖恰好在頁模式時(shí)只畫了termateprecarge，在precharge。導(dǎo)致誤會(huì)的根本原因是這

3、份datasheet，而不是sdram理的詳細(xì)描述。但SDRAM 原理的詳細(xì)講解到現(xiàn)在也沒找著，看到的資料都是外文翻譯過來后互相抄的！千篇一律！比如precharge，從字面看是“預(yù)充電”，可資料上的解釋都是“Deactivaterowinor壇上也看到新手們?cè)趩枺簆recharge和refresh4個(gè)（4個(gè)s）初始化按照要求就先precharge了，以后每次讀寫之前都要active。active做兩數(shù)據(jù)電容充電或放電。1 個(gè)爆發(fā)讀寫完成后，就撥回precharge，給“供能電容”補(bǔ)足電能。因?yàn)椤肮┠茈娙荨痹赼ctive to電電流不能做太大，所以tWR和tRP就相對(duì)要長(zhǎng)。真正的順序是prec

4、harge-active-讀寫-終止，因?yàn)閠RP 較長(zhǎng)，所以初始化時(shí)先precharge，并且每次讀寫完后馬上prechargeactive以提高響應(yīng)速度，反正放在那precharge又不影響什么。這就是precharge（預(yù)充電）的真正含義所在！active-讀寫-終止，因?yàn)閠RP 較長(zhǎng)，所以初始化時(shí)先precharge，并且每次讀寫完后馬上prechargeactive以提高響應(yīng)速度，反正放在那precharge又不影響什么。這就是precharge（預(yù)充電）的真正含義所在！64ms 4096 次刷新，別的什么都沒時(shí)間干；或者tRAS 1 次讀寫或?qū)懚纪瓴怀伞Ｖ劣趓efresh1系統(tǒng)，16

5、4ms內(nèi)完成了先寫入暫存后讀入主機(jī)，并且sdram任何刷新命令。延伸開來，可以做出很適合你的最簡(jiǎn)單的sdram控制器。做個(gè)基本的SDRAM繼續(xù)推測(cè)：在“auto refresh”命令執(zhí)行的末端隱含了“precharge”，所以資料上要 求“auto refresh”前要保證已經(jīng)“precharge”，而“auto refresh”卻可以放在一起連 續(xù)發(fā)出，“auto refresh”之后卻直接可以“active”而不再需要“precharge”。還可能在“auto refresh”命令執(zhí)行的前端隱含了“active”，行地址由刷新寄存器自動(dòng)計(jì)數(shù)1。“autorefresh”“active”“read”“write”“precharge”，7409664ms40964個(gè)swrite5 DQ 上輸出。面叫charge，放在后面是為下一次操作提前做好準(zhǔn)備就叫 precharge，以前面分析prechage能提高斷續(xù)操作的響應(yīng)速度，所以最終設(shè)計(jì)問了Micron的技 最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天問了Micron的技 最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天SDRAMPC100，那就說1