1、 AIOT電子行業發展深度報告 一、核心觀點行業整體回顧：20Q3 營收增速環比提升，歸母凈利潤同比提升好于預期。 2020 前三季度整體共實現營收 16629.69 億元，同比增長 7%，歸母凈利潤 866.37 億元，同比增長 26%；2020Q3 單季度共實現營收 6556.44 億元，同 比增長 13%，歸母凈利潤 399.73 億元，同比增長 41%。2020 三季度營收和 利潤均有大幅邊際改善，單季度歸母凈利潤連續兩個季度同比增速超過 30% 以上，伴隨利潤率的提升，盈利質量也有所提升。我們認為，經過上半年全 球疫情影響、宏觀經濟下滑等多方面因素，整體產業鏈受到了較大的沖擊， 從

2、Q2Q3 季度來看，國內產業鏈復蘇好于預期。具體體現在以下三方面：一 是三季度需求快速回暖，國內產能恢復好于全球，導致國內公司訂單景氣度 較高；二是供給端產能有所下降，中小企業受到疫情影響有部分產能退出， 導致行業集中度進一步提升，行業龍頭實現份額提升；三是半導體及消費電 子等主要下游需求來自國內，因此一定程度上國內需求帶動了全球產業鏈復 蘇。消費電子：5G 與 AIOT 時代啟動，消費電子終端將大規模延伸。梳理過去電 子行業發展過程及輪動因素，我們認為電子行業走過了兩個主要的發展周期， 分別是以個人 PC 為代表的桌面端時代和以智能手機為代表的移動終端時代。 總體來說，電子行業迭代周期可以以

3、通訊技術迭代周期（3G/4G/5G）+核心 產品（PC/智能手機/物聯網）兩個趨勢指標作為疊加，觀察行業周期性變化 的拐點。隨著新一輪技術的不斷落地，我們認為有兩個顯著的變化：1）消費 電子終端將大幅延伸，從 PC 與智能手機延伸到智能音箱、耳機、手表、智能家居、汽車等；2）生態系統的多端融合，從 PC 端到智能手機的過程，二 者的系統是獨立的，依存度不強，未來以華為鴻蒙為代表的多端系統，將打 通手機、汽車、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認為，以上兩個顯著 的趨勢與變化，將會帶來以多智能終端為基礎，以生態系統為核心的競爭。半導體：全球半導體復蘇有望迎來拐點，國產替代帶動下游需求。半導體制

4、 造商持續增加資本開支，預計 2020 年同比增加 4%。其他半導體制造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預計在 2020 年將支出 654 億美元，增長 4%。2019 年，在臺積電支出激增的推動下，芯片代工部門的資本支出增幅 最大，達到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業的支出預計將再次出現最大增 長，增幅為 8%。國內半導體新建產能持續增長，進一步擴大國內半導體設 備需求。根據 SEMI 預測，雖然新冠肺炎疫情持續不利，中國大陸的半導體 設備支出仍將同比增長 5%左右，今年將超過 120 億美元，并在 2021 年同比增長 22%，達到 150 億美元。2020Q3 全球

5、產業鏈有不同程度的復蘇，需 求端的復蘇先于供給端，由于部分產能仍未達到疫情前水平、平板需求帶來 同比增長，2020 第三季度全球銷售額分別為 2,491.00，同比增長 3.3%，環 比增長 14%。LED：LED 市場規模穩步發展，Mini/Micro LED 有望貢獻行業增量。國產 替代致各環節成本不斷降低，各環節集中度不斷提升。上游環節，進口設備 出現國產替代，設備及原材料成本降低是主要因素；中游環節，封裝產能與 集中度趨向頭部企業；下游環節 Mini LED & Micro LED 均需要一定研發實 力，有利于 LED 下游企業建立技術壁壘。更小間距顯示屏成為未來的趨勢， Mini L

6、ED 和 MicroLED 產品的問世為行業發展提供了新的成長機會，根據預 測，2018-2020 年我國 MiniLED 市場規?？蛇_到年化 175%左右的增長， 2020 年 MiniLED 市場規模將達 22 億元，增速高于全球，國內市場有更大發 展空間。被動元件：5G、新能源汽車帶動 MLCC 國產替代需求。5G 換機潮來臨， MLCC 需求量有望持續提升。隨 5G 換機潮到來，5G 手機的 MLCC 需求量 預計比 4G 手機增長一倍以上，各手機品牌均在推出創新產品，無線充電、 全面屏、多攝像頭等功能也增加了對 MLCC 的需求。被動元件往微型化發展 的同時，單一手機使用量迅速提升。

7、汽車電子化率提升，帶動 MLCC 市場規模 的擴大，新能源汽車電子化將大幅提升 MLCC 用量。汽車電子主要應用于動 力控制系統，車載信息娛樂系統，汽車安全控制系統和車身電子系統等。新 能源汽車帶動汽車電子化程度不斷提高，汽車電子市場也帶來了大量新增的 MLCC 需求。普通燃油車 MLCC 的平均用量約為 3000 顆，混合動力和插電 式混合動力車所需的數量約為 12000 顆，純電動汽車所需的數量約為 18000 顆。純電動汽車所需的 MLCC 數量大約是傳統內燃車的六倍。新能源汽車滲 透率的提高，為車用 MLCC 產品提供了廣闊的發展空間。二、前三季度市場回顧：2020Q3 國內產業鏈景氣

8、度提升，盈利能力有所改善2.1 行業整體綜述：2020Q3 邊際大幅改善三季度電子行業邊際大幅改善，單三季度營收同比增長 13%。截止 2020 年 三季度，A 股上市公司中按申萬行業分類，電子行業共有 296 家公司發布 2020 年半年報。電子行業第三季度營業收入同比增長 13%；前三季度營業 收入同比增長 7%，實現正向增長的有 199 家，增長幅度的中位數為 18.4%， 占比為 67%；同比下滑的有 97 家，下滑幅度的中位數為 10.37%，占比為 33%。從行業整體來看，2020Q3 業績整體邊際大幅改善，在 2020Q1 季度 受疫情影響的情況下，連續兩個季度業績環比大幅上漲，

9、部分細分賽道增長 動力強勁。電子行業 2020 年前三季度歸母凈利潤同比增長 26%，單三季度歸母凈利潤 同比增長 41%；其中實現正向增長的有 175 家，增速中位數為 41.4%，占比 59.12%；同比下滑的有 121 家，下滑幅度的中位數為 43.21%，占比為 40.88%。2.2 行業橫向對比：部分產能向國內轉移，半導體與消費電子持續景氣按照申萬電子二級行業拆分增速來看，與其他申萬一級行業進行比較。國內 經濟基本面邊際大幅改善，制造業在三季度持續景氣，國內產能利用率顯著 高于國外，造成部分訂單進一步向國內轉移，Q3 季度整體較 Q2 有大幅改 善。從 20Q3 各行業的營業收入來看

10、，電子二級行業中半導體（+26%）、電 子制造（+14%）、光學光電子（+1%）均保持正向增長，半導體與電子制造 相比其他一級行業增長幅度排名靠前。2.3 收入與利潤：2020Q3 營收利潤持續大幅增長20Q3 營收增速環比提升，歸母凈利潤同比提升好于預期。2020 前三季度整 體共實現營收 16629.69 億元，同比增長 7%，歸母凈利潤 866.37 億元，同 比增長 26%；2020Q3 單季度共實現營收 6556.44 億元，同比增長 13%，歸 母凈利潤 399.73 億元，同比增長 41%。2020 三季度營收和利潤均有大幅邊 際改善，單季度歸母凈利潤連續兩個季度同比增速超過 3

11、0%以上，伴隨利潤 率的提升，盈利質量也有所提升。我們認為，經過上半年全球疫情影響、宏 觀經濟下滑等多方面因素，整體產業鏈受到了較大的沖擊，從 Q2Q3 季度來 看，國內產業鏈復蘇好于預期。具體體現在以下三方面：一是三季度需求快 速回暖，國內產能恢復好于全球，導致國內公司訂單景氣度較高；二是供給 端產能有所下降，中小企業受到疫情影響有部分產能退出，導致行業集中度 進一步提升，行業龍頭實現份額提升；三是半導體及消費電子等主要下游需 求來自國內，因此一定程度上國內需求帶動了全球產業鏈復蘇。2.4 盈利能力：2020Q3 盈利能力大幅改善，細分領域加速增長2020Q3 利潤率提升顯著。2020Q3

12、單季度電子行業毛利率為 17.15%，相比 去年同期增加 1.62pcts，較 Q2 季度環比提升 0.11pcts；凈利率為 6.24%， 相比上年同期提升 1.29pcts，較 Q2 季度環比提升 0.46pcts。2020Q3 電子 行業整體期間費用率為 10.91%，相比去年同期上升 0.33pcts。整體而言，由 于額外抗疫開支，各項費用均有所提升，Q3 季度受到相關產品價格上漲，盈 利能力顯著提升。2020Q3 經營性現金流凈額為 1143.15 億元，相比上年同 期增長 23%，凈現比由去年同期的 2.094 下降至 2020Q3 的 1.57。整體而 言，2020Q3 電子行業

13、景氣度持續回暖，上市公司經營情況大幅改善。部分 產品產能緊缺導致企業提前備貨，部分龍頭企業的業績高增長有望持續到明 年一季度。2.5 子行業對比：半導體加速增長，電子制造增速持平半導體 2020Q3 加速增長。按申萬二級子行業分類，從營業收入增速的角度 來看，二級行業半導體與電子制造 Q3 加速增長，其他電子板塊下降收窄， 光學元件增速由負轉正；從歸母凈利潤來看，半導體 Q3 季度保持高速增長， 光學光電子增速由負轉正。從毛利率來看，2020Q3 半導體板塊處于二級行 業中最高為 26.52%，同比與環比均有所提升，其余子行業相比去年同期小幅 波動。從凈利率來看，半導體、元件較為突出，2020

14、Q3 凈利率分別為 9.96%、 7.85%，其中半導體凈利率提升顯著，相比去年同期上升 4.25pcts。對于半 導體等細分行業，國內需求驅動了全球產業鏈增長，國內龍頭公司更加受益 于國產替代的持續落地。三、消費電子：AIOT 周期啟動，關注核心生態系統產業鏈3.1 產業鏈隨技術迭代進入 AIOT 新周期5G 與 AIOT 時代啟動，消費電子終端將大規模延伸。梳理過去電子行業發展 過程及輪動因素，我們認為電子行業走過了兩個主要的發展周期，分別是以 個人 PC 為代表的桌面端時代和以智能手機為代表的移動終端時代?？傮w來 說，電子行業迭代周期可以以通訊技術迭代周期（3G/4G/5G）+核心產品（

15、PC/ 智能手機/物聯網）兩個趨勢指標作為疊加，觀察行業周期性變化的拐點。隨 著新一輪技術的不斷落地，我們認為有兩個顯著的變化：1）消費電子終端將 大幅延伸，從 PC 與智能手機延伸到智能音箱、耳機、手表、智能家居、汽 車等；2）生態系統的多端融合，從 PC 端到智能手機的過程，二者的系統是 獨立的，依存度不強，未來以華為鴻蒙為代表的多端系統，將打通手機、汽 車、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認為，以上兩個顯著的趨勢與變 化，將會帶來以多智能終端為基礎，以生態系統為核心的競爭。3.2 存量更新換代，關注相關元器件的產品升級全球手機進入存量換代期，預計 2021 年 5G 滲透率將大幅提升

16、。隨著國內 多家廠商發布 5G 手機，存量換代趨勢顯著，未來單機價值量提升有望帶動 產業鏈國內相關公司業績提升。主要源自：1）國內 5G 基礎設施建設大幅領 先于全球水平，應用端滲透率國內高于國外；2）國產品牌積極布局 5G 新機， 銷售價格幾乎與 4G 持平；3）蘋果 5G 新機發布，品牌效應帶動的同時，有 望進一步帶動國內廠商業績提升。我們認為，在存量競爭與產品升級的背景下，行業發展的趨勢主線有以下兩 條：1）手機品牌的集中度持續提升，導致相關產業鏈的集中度將進一步提升； 2）產品元器件升級，技術迭代過程中部分公司有長期成長的能力。全球迎來新一輪換機潮，關注存量產品更新升級。我們認為，手機

17、銷量有望 實現三年以來的正增長，疊加 5G 換機周期，相關產業鏈公司業績有望提升。 自全球手機銷量 2017 年到達階段性峰值后，目前已經連續三年下滑，主要 原因為硬件方面創新能力有限遇到階段性瓶頸，以及 4G 背景下應用生態開 發基本達到飽和。蘋果 5G 新機發布，全球出貨量前五廠商已經全部完成 5G手機布局，未來將圍繞 5G 智能設備展開的新一輪元器件更新與生態應用完 善。根據 IDC 數據，預計 20Q4 智能手機出貨量將同比增長 2.4，在 2021 年將同比增長 4.4。隨著供應鏈快速恢復，以及 OEM 對新 5G 產品的重點 研發，預計到 2024 年，全球市場將以每年 1.3的五

18、年復合年增長率增長。單機成本下降帶動滲透率大幅提升。根據 IDC 數據，預計 5G 智能手機的出 貨量將在 2020 年達到全球出貨量的 19，并在 2024 年增長到 58。滲透 率的提升的關鍵因素是單機成本大幅下降，預計 2020 年全球 5G 平均售價 將同比下降 25至 611 美元，到 2024 年降至 453 美元。我們認為，未來智 能手機出貨量增速將放緩至年均增長 3%以下，產業鏈投資機會轉為細分領 域集中度的提升和元器件的創新與升級。進入存量時代，差異化創新周期被拉長，光學賽道是為數不多近年有持續創 新的細分領域。目前主要的突破方式有以下兩點：1）成像質量的不斷提升， 包括硬件

19、的成像設備像素，變焦速度，廣角與微距等。隨著智能設備廠商對 成像質量需求提升，攝像頭及 CIS 芯片廠商實現了量價齊升的帶來的盈利提 升過程。2）攝像頭功能性的不斷創新，主要路徑為從單一的高質量成像，轉 為功能性識別以及生產效率的提升。例如 3D 結構光人臉識別，虛擬現實， 激光攝像頭建模等。5G 時代的到來，光學設備作為主要流量入口的趨勢將更 加顯著，ARVR 以及自動駕駛帶來的新需求將為相關供應商帶來了更多的創 新方向。CIS 芯片是攝像頭重要組成部分，主要成本由部分構成。智能手機攝像頭拍攝景象通過鏡頭組生成光學圖像，光學圖像通過一系列轉換過程，包括電信 號、數字信號等從傳感器送至數字處理

20、芯片，最終轉換成屏幕上呈現的圖像。 物理結構上，其主要由鏡頭組、對焦馬達、固定器/鏡座、紅外截止濾光片、 圖像傳感器、PCB 板等物理部件組成。攝像頭各組成部分功能及成本占比各 不相同，主要包括圖像傳感器（占比 52%）；鏡頭（收集光線然后將物體成像 到圖像傳感器占比 20%）；音圈馬達（推動鏡頭移動實現對焦，占比 6%）； 紅外截止濾光片（過濾多余的紅外光和紫外光，占比 3%）；以及最終的模組 封裝（整合攝像頭零部件，占比 19%）。Yole 預期全球攝像頭模組的出貨量將以 8.2%的 CAGR 增速增長，從 2019 年的 55 億個擴增至 2025 年的 89 億個。2015-2016

21、年是移動設備中多攝技 術的初期階段，從單一攝像頭到雙攝像頭；在 2018 到 2019 年發展為三攝， 趨于成熟。2020 年該技術已向四攝像頭前進，多樣化的模組帶來多樣化的縮 放或廣角性能。這種情況在 3D 面部識別的前向結構光、AR 應用的后置 ToF4 和屏幕下方的光學指紋模組中都有體現。后置雙攝成為主流后，攝像頭的數目在持續增加。根據 IDC 統計，2018 年手機平均搭載 2.84 顆攝像頭，同比增長 6.77%2019 年全球手機平均搭載攝 像頭的數量在 3.21 顆左右。在多攝像頭的推動下，2019 年全球手機攝像頭 的出貨量在 44 億顆左右，根據 IDC 數據，未來 5G 技

22、術的推進，通信基礎 設施建設的完善將加快全球范圍內智能手機出貨量的需求。預計 2020 年全 球攝像頭的出貨量將達到 60 億顆，2021 年全球手機攝像頭的出貨量將達到 75 億顆。攝像頭像素升級趨勢延續，高像素攝像頭滲透率有望持續提升。從目前手機 攝像頭出貨量來看，主流的智能手機搭載的攝像頭在 500-1300 萬區間范圍 內，2019 年出貨量約為 24.46 億顆，占比約為 48.9%，其次為 1300-4800 萬區間范圍內，出貨量約為 10.63 億顆，占比約為 21.3%。隨著光學元器件 技術不斷升級，以及有生物識別、AR/VR、激光建模等需求提升，未來 4800 萬像素的出貨量

23、以及占比有望大幅提升，預計到 2022 年，4800 萬像素以上 攝像頭出貨量有望達到 24.05 億顆，占比有望提升到 29%。產業鏈相關公司 將持續受益于光學創新帶來的市場空間提升。TOF 手機攝像頭有望成為智能手機熱門配置。TOF（Time of Flight，飛行時 間），其實是一種深度信息測量方案，主要由紅外光投射器和接收模組構成。 投射器向外投射紅外光，紅外光遇到被測物體后反射，并被接收模組接收， 通過記錄紅外光從發射到被接收的時間，計算出被照物體深度信息，并完成 3D 建模。目前多家廠商在面部識別上所采用的 3D 結構光技術，iPhone X、 OPPO Find X 都是采用了

24、 3D 結構光方案。與 TOF 不同，3D 結構光通過利 用點陣投影儀向外投射多個光斑到被測物體，以紅外攝像頭拍攝被測物體的 三維光圖像，再經由處理系統計算物體深度信息。根據 IDC 數據，配置 TOF 攝像頭手機出貨量在 2019 年迎來了爆發，預計在 2021 年有望達到 2.67 億 部，相較 2019 年出貨量增長 4 倍。3.3 增量滲透率提升，關注產品力與創新力（1）聲學成為流量入口趨勢顯著，產品創新與滲透率提升帶動產業鏈爆發 式增長TWS 未來將成為智能設備標配，增量空間確定性強。在蘋果產品的引領下， 無線耳機滲透率迅速提升，從 AirPods 發布前后的市占率可以看出，強大的

25、產品力得到市場認可。AirPods 被業內普遍認為是最好用的無線耳機，19 年 3 月發布了第二代 AirPods，搭載無線充電技術，進一步提高市占率；19 年 12 月發布了 AirPods Pro，升級防水、降噪等功能的升級，使得 AirPods 系列銷量快速增長。隨著終端廠商持續推進智能耳機技術革新，智能耳機將會 有包括生物識別、醫用、軍用等領域的廣泛應用。立訊精密是為數不多的具 備精密無線耳機模組生產能力的廠商，預計未來受益于無線耳機滲透，不斷 增厚業績。TWS 滲透率仍有提升空間，未來手機取消耳機接口有望成為市場催化劑。根 據蘋果產品規劃，Airpods 第三代新品有望在今年順利上市

26、，TWS 滲透率提 升趨勢有望延續。目前 TWS 滲透率約為 40%，Airpods 市占率約為 45%， 2020 年 Airpods 出貨量有望達到 1 億臺。據 StrategyAnalytics 研究報告數 據顯示，蘋果 AirPods 在 2019 年實現了近 6000 萬的銷量，占全球 TWS 耳機 50%以上。根據 Counterpoint 的數據，AirPods 預計 20/21 年 AirPods 銷量有望達到 1 億/1.5 億部，其中 AirPodsPro 占比為 36%/40%。安卓系與音頻廠商快速跟進，全面打開市場空間。根據 StrategyAnalytics 數 據

27、，1719 年間 AirPods 出貨量從 1400 萬部增長至 6000 萬部,年復合增長 率高達 62%，并有望在未來維持高增速。除蘋果外，索尼、華為、小米等安 卓系品牌積極跟進布局，TWS 耳機市場進入快速發展期。根據 Counterpoint 數據 1619 年間全球 TWS 耳機出貨量劇增超 13 倍（19 年全球出貨量 1.2 億部），年復合增長率達 134%，并預估 20 年出貨量有望突破 2.3 億部。（2）5G 應用層智能產品逐漸顯現，高清視頻與可穿戴值得關注5G 融合應用體系包括 3 大應用方向、4 大通用應用和多行業應用。從應用方 向上看，5G 應用包括產業數字化、智慧化

28、生活、數字化治理三大方向。4 大 通用應用包括 4K/8K 超高清視頻、VR/AR、無人機/車/船、機器人四大類； 5G 應用到工業、醫療、教育、安防等領域，還將產生多種創新型行業應用。超清視頻發展加速直接受益于帶寬提升。5G 將全方位賦能超高清產業。5G 將在視頻采集回傳、視頻素材云端制作以及超高清視頻節目播出三個環節助 力超高清產業。4K/8K 攝像機通過編碼推流設備，將原始視頻流轉換成 IP 數 據流，通過 5G CPE 或集成 5G 模組的編碼推流設備將視頻數據轉發給 5G 基站。畫質提升需求帶來超清面板滲透率提升。提升畫質是顯示應用產品開發的焦點，目前，4K 產品已經普及，43 寸以

29、上的中大尺寸產品中 4K 已成為標配。 2018 年全球 4K LCD TV 面板出貨量超過 1.1 億臺，滲透率接近 40%，未來 8K 是面板廠商提前布局的下游應用。2019 年韓、臺、中等主流面板廠均積 極規劃 8K 產品，8K 面板將在 2019 年正式起步，帶動液晶面板的分辨率實 現再一次的跨越。根據群智咨詢預計 2020 年出貨量將達到 260 萬片，滲透率 1%，2022 年滲透率將提升到 3.6%。VR/AR 對時延要求較高，5G 是降低產業門檻的重要途徑。對于 VR/AR 產 業,若將視覺計算放在云端，能夠顯著降低終端復雜度，但會引入額外的網絡 傳輸時延。若 VR 可以順暢體

30、驗，需要至少 60Mbps 的終端速率，時延要低 于 20 毫秒。5G 帶來的高帶寬低時延特性使得 VR/AR 這樣的應用可以實現 無線化，實用性大為增強需要至少 60Mbps 的終端速率，時延要低于 20 毫 秒。5G 帶來的高帶寬低時延特性使得 VR/AR 這樣的應用可以實現無線化， 實用性大為增強。隨 5G 商用落地，VR 市場規模有望快速擴大。用戶體驗與終端成本的平衡是 現階段影響 VR 產業發展的關鍵問題，隨著產品功能不斷成熟，5G 商用化浪 潮來臨之際，出貨量有了顯著增長。2018 年全年中國虛擬現實設備出貨量為 120 萬臺，其中 VR 頭顯出貨量為 116.8 臺，AR 頭顯出

31、貨量 3.2 萬臺。根據 艾瑞咨詢預測，未來五年 VR 市場的年復合增長率將超過 80%。預計到 2021 年，中國會成為全球最大的 VR 市場，行業整體規模將達到 790.2 億元。5G 將為車聯網應用打開新的空間。5G 極高的數據吞吐量、低時延和更高的 可靠性將使車聯網能提供的信息服務類型更加豐富，隨著 5G 技術在低時延、 高可靠方面能力的增強，可以支持提供基于意圖共享、協同決策的高級別主 動安全預警、交通出行效率提升類服務，還將支持構建“人車路云”高度協 同的互連環境，實現車路協同控制、遠程遙控操作、高級別自動駕駛等業務， 最終支撐實現完全無人駕駛。5G 與汽車結合應用場景豐富，車聯網

32、與汽車電子市場規模有望同步增長。 汽車電子成為新藍海，有望成為未來半導體應用主要增長點，目前已有包括 安全系統、娛樂信息系統、車內網絡、動力系統等，未來汽車半導體市場發 展空間還將進一步增加。根據前瞻產業研究院預測，車聯網未來有望保持36.0% 的年復合增速，到 2022 年達到 520 億美元，到 2020 年全球汽車電子產品 市場的產業規模預計將達到 2400 億美元，其中我國汽車電子市場規模將超 過 1058 億美元。3.4 板塊財報綜述：Q3 季度消費電子產業鏈景氣度提升國內市場 10 月份出貨量同比下滑，四季度預期行業景氣度回升，降幅有望 縮窄。2020年10月，國內手機市場總體出貨

33、量2615.3萬部，同比下降27.3%； 1-10 月，國內手機市場總體出貨量累計 2.52 億部，同比下降 22.1%。2020 年 10 月，國內手機上市新機型 28 款，同比下降 42.9%。1-10 月，上市新機 型累計 387 款，同比下降 19.7%。2020 年 10 月，國內市場 5G 手機出貨量 1676.0 萬部，占同期手機出貨量的 64.1%；上市新機型 16 款，占同期手機上市新機型數量的 57.1%。1-10 月， 國內市場 5G 手機累計出貨量 1.24 億部、上市新機型累計 183 款，占比分別 為 49.4%和 47.3%。2020 年 10 月，國產品牌手機出

34、貨量 2032.2 萬部，同比下降 33.5%，占同 期手機出貨量的 77.7%；上市新機型 21 款，同比下降 53.3%，占同期手機 上市新機型數量的 75.0%。1-10 月，國產品牌手機出貨量累計 2.26 億部， 同比下降 23.2%，占同期手機出貨量的 89.9%；上市新機型累計 348 款，同 比下降 19.3%，占同期手機上市新機型數量的 89.9%。2020 年 10 月，智能手機出貨量 2501.4 萬部，同比下降 27.7%，占同期手 機出貨量的 95.6%。1-10 月，智能手機累計出貨量 2.43 億部，同比下降 21.5%， 占同期手機出貨量的 96.4%。2020

35、 年 10 月，智能手機上市新機型 25 款， 同比下降 19.4%，占同期手機上市新機型數量的 89.3%。1-10 月，智能手機 上市新機型累計 298 款，同比下降 17.9%，占同期上市新機型數量的 77.0%。20Q3 下游需求迅速復蘇，產業鏈庫存提升帶來需求預期。2020Q3 單季度共 實現營收 2845.43 億元，同比增長 19%，歸母凈利潤 204.63 億元，同比增 長 28%；從前三季度來看，共實現營業收入 7048.73，同比增長 14%，歸母 凈利潤 446.59，同比增長 26%。受到三季度消費電子旺季影響，產業鏈景氣 度提升，主要原因為 1）全球電子產業進入周期性

36、向上拐點，5G 換機潮疊加 半導體資本開支見底，供需端均出現了向好變化；2）H1 季度庫存見底，Q3 季度庫存回補需求顯著，加之相關元器件價格上漲，帶動部分公司盈利提升。2020Q3 利潤率有所改善。2020Q3 單季度電子制造行業毛利率為 17.06%， 相比去年同期上升 1.14pcts，凈利率為 7.25%，相比上年同期提升 0.34pcts。 2020Q2 電子制造行業整體期間費用率為 9.81%，其中銷售費用率為 1.99%， 相比去年同期下降 0.05pcts，管理費用（不含研發費用）率為 2.26%，相比 去年同期上升 0.27pcts，財務費用率為 1.39%，相比去年同期提升

37、 1.73pcts。 2020Q3 經營性現金流凈額為 205.79 億元，相比上年同期下降 0.5%，2020Q 電子制造行業盈利能力略有提升，費用率略微下降，經營性現金流與去年同 期保持持平。四、半導體：行業拐點已至，國內產業鏈景氣度好于全球4.1 全球半導體復蘇周期延續，疫情影響邊際效應遞減全球半導體資本開支受疫情影響或同比下滑，源于存儲芯片公司資本開支大 幅減少。根據 IC Insights 預測，2020 全球半導體資本開支將同比減少 3%， 雖然全球產業鏈受到 Covid-19 爆發的影響，但由于絕大多數的支出是針對工 藝技術進步的長期目標或晶圓片啟動能力的增加，因此預計大部分支出

38、將按 計劃進行。與此同時，IC Insights 預計今年的資本支出下降主要是由于三大 內存供應商（三星、海力士和美光）大幅削減了資本開支。這三家大型存儲 公司 2019 年的總支出為 397 億美元，預計今年將為 336 億美元，大幅下降 15%。半導體制造商持續增加資本開支，預計 2020 年同比增加 4%。其他半導體制 造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預計在 2020 年將支出 654 億美元， 增長 4%。2019 年，在臺積電支出激增的推動下，芯片代工部門的資本支出 增幅最大，達到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業的支出預計將再次出現最 大增長，增幅為 8%。除

39、了 2018 年，晶圓廠自 2015 年以來每年都是按產品 類型劃分的資本支出最高的公司。到 2020 年，預計此行業將再次占半導體 行業資本支出的最大比例（29%）。根據 IC Insights 數據顯示，臺積電是去 年芯片代工資本支出增加的主要原因，其 2019 年的支出較 2018 年增加了 45 億美元左右。2020 年，臺積電的支出增長預計將較為平緩，預計達到 5.63 億美元。相比之下，中國的中芯國際今年計劃將支出增加約 11 億美元。全球半導體進入復蘇周期，2020 年有望實現正向增長。2019Q3 隨著存儲芯片、面板等周期性產品產能進一步減少，價格開始見底回升，行業先行指標 出

40、現拐點，半導體行業景氣度開始逐步復蘇，行業產值增速由負轉正。2020Q3 全球產業鏈有不同程度的復蘇，需求端的復蘇先于供給端，由于部分產能仍 未達到疫情前水平、平板需求帶來同比增長，2020 第三季度全球銷售額分別 為 2,491.00，同比增長 3.3%，環比增長 14%。4.2 封測環節景氣度大幅提升，終端需求持續上揚IC 封測門檻相對較低，本土廠商逐漸崛起。目前國內已有三家企業進入世界前十，分別是長電科技、華天科技、通富微電，按照市場份額來看，分別排在全球第三、六、七名。由于封測產業對規模化要求較高，相對于設計與代 工，國內封測企業目前排名相對靠前，主要采用的方式是加大研發投入以及 并購

41、整合。整體行業目前集中度略低于設計與代工，隨著并購持續進行，未 來集中度有望進一步提升。自第二季起受惠于疫情衍生的宅經濟效應，終端需求持續上揚。疊加 9 月 15 日起美國全面禁售相關含美設備與技術芯片給華為（Huawei），進而帶動多 數封測業者趕在截止日前交貨。在急單效應的加持下，2020 年第三季全球前 十大封測業者營收上升至 67.59 億美元，年成長 12.9%。2020 年第三季封測 龍頭日月光（ASE）及安靠（Amkor）營收分別為 15.20 億美元與 13.54 億 美元年成長 15.1%及 24.9%。第三季營收成長幅度相較第二季略為放緩，然 隨著 5G 通訊、WiFi6

42、及車用芯片的需求上揚與華為急單助力下，整體表現仍相對出色。封測大廠力成（PTI）第三季營收雖然達 6.47 億美元，年增 14.2%， 然存儲器封測需求不如預期，力成逐步開展改革計劃，以降低長期對于存儲 器封裝需求的依賴，并出售和關閉其他獲利較差的子公司加以應對。行業分工細化，OSAT 成為主要生產模式，未來先進封裝技術是提升芯片效 能的增量動力。IDM 與 OSAT 是目前半導體封測產業的兩種主要模式。IDM 企業芯片產業所有環節均自己完成，OSAT 企業僅提供中后段的封裝測試代 工服務。隨著輕資產的設計公司的不斷增長，推動 OSAT 企業快速發展， OSAT+Foundry 的模式成為半導

43、體行業發展的主要模式。隨著 IC 設計趨于 復雜與制程工藝不斷提升，封裝環節的技術提升，有望為芯片的性能提供額 外的附加值，提高半導體產品價值的同時降低成本。目前先進封裝演進方向 主要分為減小尺寸的方向，主要實現方式是 FC、Fan-out、Fan-inWLP 和 Bumping，和異質結融合的方向，主要實現方式是 Sip、3D 封裝和 TSV，通 過這兩類型技術，實現在更小尺寸里集成更多功能，同時實現更高的封裝效 率。而 Fan-out 和和 Sip 系統級封裝是目前被公認的在這兩個方向上具有最 大增長潛力的封裝技術。4.3 國內產線建成提升半導體材料與設備需求國內半導體新建產能持續增長，進

44、一步擴大國內半導體設備需求。根據 SEMI 預測，雖然新冠肺炎疫情持續不利，中國大陸的半導體設備支出仍將同比增 長 5%左右，今年將超過 120 億美元，并在 2021 年同比增長 22%，達到 150 億美元。長江存儲開始新一輪半導體設備招標，中芯國際追加資本開支，半 導體設備國產化趨勢加快。長江存儲發布第 40、41 批設備采購招標公告， 涉及產品包括封裝級高并行度測試機臺、高速芯片測試機、鈦化學氣相沉積 -氮化鈦原子層沉積機臺、鋁刻蝕設備、層間介質層化學機械拋光機等。長江存儲正處于產能爬坡期，未來將帶來下游需求增量空間。國家存儲器基 地項目二期在武漢東湖高新區未來科技城國家存儲器基地建設

45、工地開工建設。 國家存儲器基地項目于 2016 年 12 月 30 日開工，計劃分兩期建設，總投資 240 億美元。一期主要實現技術突破，建成 10 萬片/月產能；二期規劃產能 20 萬片/月，兩期項目達產后月產能共計 30 萬片。長江存儲表示從全球市場 綜合發展來看，企業級 SSD（固態硬盤）、個人電腦和智能手機將是未來閃 存市場增長的主要驅動力。預計到 2024 年，SSD 的需求會占閃存總需求的 57.7%，智能手機占 27.0%。對長江存儲而言，市場的容量足夠大，機會足 夠多，還有很多高速率低延時的應用未被充分開發出來，長江存儲的加入將 為市場帶來新活力。全球半導體資本開始有望在 20

46、21 年保持高增長。根據 SEMI 預測，2021 年 全球晶圓廠設備支出將迎來標志性一年，將達到創紀錄的 677 億美元，增長 率達 24%。具體而言，存儲器工廠將以 300 億美元的設備支出領先全球半導 體領域，3DNAND 閃存將在今年推動 30%的投資激增，從而推動支出狂潮，在 2021 年實現 17%的增長。繼今年一季度創下季度營收新高后，中芯國際 追加全年資本開支 11 億美元至 43 億美元。長江存儲和中芯國際等國內晶圓 廠的投資以及美國的出口限制將加速半導體設備國產化趨勢。4.4 關注第三代半導體材料帶來的技術變革機會（1）第三代半導體材料對性能提升有明顯優勢第三代半導體材料以

47、碳化硅、氮化鎵為代表，極具性能優勢。第三代半導體 材料是指帶隙寬度明顯大于 Si 的寬禁帶半導體材料，主要包括 SiC、GaN、 金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特，又被稱為寬禁帶半導體 材料。和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有高熱導率、 高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技 術對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。第三代半 導體材料在航空、航天、光存儲等領域有著重要應用前景，在寬帶通訊、太 陽能、汽車制造、半導體照明、智能電網等眾多戰略行業可以降低 50%以上 的能量損失，最高可以使裝備體積減小 75%以上，是

48、半導體產業進一步躍進 的基石。半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。第一代半導體材料是 Si、Ge 等 單質半導體材料，由于其具有出色的性能和成本優勢，目前仍然是集成電路 等半導體器件主要使用的材料；第二代半導體材料以 GaAs 和 InP 等材料為 代表。第二代半導體材料在物理結構上具有直接帶隙的特點，相對于 Si 材料 具有光電性能佳、工作頻率高、抗高溫、抗輻射等優勢，可以應用于光電器 件和射頻器件；第三代半導體材料以 GaN 和 SiC 等材料為代表。1969 年實現了 GaN 單晶薄膜的制備。1994 年中村修二研發了第一支高亮度的 GaN 基 藍光 LED。1891 年，SiC 晶體

49、被人工合成。1955 年，飛利浦實驗室的 Lely 發明 SiC 的升華生長法(或物理氣相傳輸法，即 PVT 法)，后來經過改進后的 PVT 法成為 SiC 單晶制備的主要方法。材料分子結構導致先天性能優勢。第三代半導體材料相對于 Si 材料具有：禁帶寬度更大、電子飽和飄移速度較高等特點，制作出的半導體器件擁有光電 性能優異、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，具備應用于光電 器件、微波器件和電力電子器件的先天性能優勢。（2）產業應用集中在襯底、射頻器件，2025 年滲透率將達到 50%以上GaN 襯底技術難度較大，光電子領域中較為成熟。目前，SiC 襯底技術相對 簡單，主要制備過程大致

50、分為兩步：第一步 SiC 粉料在單晶爐中經過高溫升 華之后在單晶爐中形成 SiC 晶錠；第二步通過對 SiC 晶錠進行粗加工、切割、 研磨、拋光，得到透明或半透明、無損傷層、低粗糙度的 SiC 晶片（即 SiC 襯底）。GaN 襯底的生長主要采用 HVPE（氫化物氣相外延）法，制備技術仍 有待提升，行業產量較低，導致 GaN 襯底的缺陷密度和價格較高，目前只有 激光器等少數器件采用 GaN 同質襯底；GaN 電力電子器件的襯底主要采用 Si 襯底，部分企業采用藍寶石襯底，GaN 同質襯底的器件在研發中；GaN 射 頻器件主要是 SiC 高純半絕緣襯底，少數企業采用 Si 做襯底；GaN 光電子

51、 器件是 GaN 材料最成熟的領域，基于藍寶石、SiC 和 Si 襯底的藍寶石 LED 產業已經進入成熟階段。高技術門檻導致第三代半導體材料市場以日美歐寡頭壟占，國內企業在 SiC 襯底方面以 4 英寸為主。目前，國內已經開發出了 6 英寸導電性 SiC 襯底和高純半絕緣 SiC 襯底，山東天岳公司、北京天科合達公司和河北同光晶體公 司分別與山東大學、中科院物理所和中科院半導體所進行技術合作與轉化， 在 SiC 單晶襯底技術上形成自主技術體系。國內目前已實現 4 英寸襯底的量 產；同時山東天岳、天科合達、河北同光、中科節能均已完成 6 英寸襯底的 研發；中電科裝備已成功研制出 6 英寸半絕緣襯

52、底。在 GaN 襯底方面，國內 企業已經可以小批量生產 2 英寸襯底，具備 4 英寸襯底生產能力，并開發出 6 英寸襯底樣品。目前已實現產業化的企業包括蘇州納米所的蘇州納維科技 公司和北京大學的東莞市中鎵半導體科技公司，其中蘇州納維目前已推出 4 英寸襯底產品，并且正在開展 6 英寸襯底片研發。先進半導體材料已上升至國家戰略層面，2025 年目標滲透率超過 50%。底 層材料與技術是半導體發展的基礎科學，在 2025 中國制造中，分別對第三 代半導體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊 等細分領域做出了目標規劃。在任務目標中提到 2025 實現在 5G 通信、高效 能

53、源管理中的國產化率達到 50%；在新能源汽車、消費電子中實現規模應用， 在通用照明市場滲透率達到 80%以上。（3）底層材料突破是摩爾定律延續的關鍵摩爾定律在硅時代 6nm 已接近效能極限?！澳柖伞痹谶^去的幾十年中是 集成電路性能增長的黃金定律。其核心內容：價格維持不變時，集成電路上 可容納的元件數目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。 根據 ITRS 的觀點，傳統的硅晶體管微縮至 6 納米已達極限。以硅材料為根 基的摩爾定律即將失效。若半導體仍以摩爾定律趨勢發展，則需要在底層材 料中形成突破。美國、歐盟、日韓等國家和地區組織已經通過制定研發項目 的方式來引導產業發展

54、。超越摩爾定律，新材料是突破路徑之一。目前市面上超過 99%的集成電路都 是以第一代元素半導體材料之一，硅(Si)、鍺(Ge)材料在 20 世紀 50 年代有 過高光時刻，廣泛應用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但 到了 60 年代后期因耐高溫和抗輻射性能較差，工藝更難、成本更高逐漸被硅 材料取代。第三代寬禁帶半導體材料(SiC、GaN 等)，因其禁帶寬度(Eg)大于 或等于 2.3 電子伏特(eV)而得名。第三代半導體材料具有優越的性能和能帶 結構，廣泛用于射頻器件、光電器件、功率器件等制造，具有很大的發展潛 力。目前第三代半導體材料已逐漸滲透 5G、新能源汽車、綠色照明等新興領

55、 域，被認為是半導體行業的重要發展方向。美歐等經濟體持續加大化合物半導體投入。2018 年，美國、歐盟等國家和組 織啟動了超過 15 個研發項目。其中，美國的研發支持力度最大。2018 年美國能源部（DOE）、國防先期研究計劃局（DARPA）、和國家航空航天局（NASA） 和電力美國(Power America)等機構紛紛制定第三代半導體相關的研究項目， 支持總資金超過 4 億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持 美國在第三代半導體領域全球領先的地位。此外，歐盟先后啟動了“硅基高 效毫米波歐洲系統集成平臺（SERENA）”項目和“5GGaN2”項目，以搶占 5G 發展先機。（4）以

56、充電器為代表，GaN 支持下的快充效率翻倍提升GaN 三個特點大幅提升效率：開關頻率高、禁斷寬度大、更低的導通電阻。 開關頻率是指充電頭內部晶閘管，可控硅等電子元件，每秒可以完全導通、 斷開的次數。變壓器恰好是充電器中體積最大的元器件之一，占據了內部相 當大的空間。開關的頻率高可使用體積更小的變壓器。使用氮化鎵作為變壓 元件，變壓器和電容的體積減少，有助于減少充電頭的體積和重量。禁帶寬 度直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度，禁帶寬度越大，器件能夠承載 的電壓和溫度越高，擊穿電壓也會越高，功率越高。更低的導通電阻，直接 表現為導電時的發熱量。導通電阻越低，發熱量越低。2018 年 ANKER

57、將 GaN 帶出實驗室。2018 年 10 月 25 日 ANKER 在美國 紐約發布了一款劃時代的新品“ANKER Power Port Atom PD1”GaN 充 電器，由于其搭載了高頻高效的 GaN（氮化鎵）功率器件而備受業界關注。 該款產品也是首次將第三代半導體技術應用在充電設備上，從而將相關技術 從實驗室帶向應用市場。主流廠商依次跟進，高功率，小體積成最明顯優勢。小米于 2020 年 2 月發布了 GaN 充電器 Type-C65W，能夠為小米 10Pro 最高提供 50W 的充電功率，小米 10Pro 搭配其使用從 0 充電至 100%僅需 45 分鐘。同時，它支持 小米疾速閃充

58、、PD3.0 等快充協議，并且還支持全系 iPhone 快充，官方表 示，使用小米 GaN 充電器 Type-C65W 為 iPhone11 充電，充電速度比原裝 5W 充電器提升約 50%。得益于新型半導體材料 GaN 的加持，Type-C65W 的體積比小米筆記本標配的適配器減小約 48%。此外，小米 Type-C65W 的 USB-C 接口支持多個檔位的智能調節輸出電流，能為新款 MacBookPro、小 米筆記本等大功率設備進行最大 65W 充電，還能兼容大多數 Type-C 接口的 電子設備，包括 Switch 等。產品搭載 E-Marker 芯片，最大支持 5A 電流。 目前，業界

59、已推出多種快充技術方案，主要包括高通 Quick Charge 技術、 OPPO VOOC 閃充技術、聯發科 Pump Express 技術、華為 Super Charge 技術、vivo SUPER Flash Charge 技術和 USB3.1PD 充電技術等。從消費電子快充市場來看，未來隨快充需求與 GaN 滲透率不斷提升，2022 年市場規模有望達到 87.74 億元。隨著 5G 手機各類參數不斷提升，內部射 頻、處理器、屏幕的耗電量在直線上升，電子產品對快充的需求日益提升。 多家廠商發布 GaN 快充后，目前的售價大部分用戶已經可以接受，未來滲透 率有望逐步提升。假設智能手機未來三年

60、 GaN 快充滲透率為 1%、3%、5%， 可穿戴需求度相對手機端有所降低，三年的滲透率為 0.5%、1%、2%；我們 預計 2020 年全球 GaN 充電器市場規模為 24.41 億元，2022 年有望達到87.74 億元。（5）新能源汽車市場拐點已至，GaN 功率器件空間可期新能源汽車拐點已至，發展路徑復制智能手機。新能源汽車的競爭格局已出 現明顯變化，政策端：全球節能減排，碳排放成國際談判的重要籌碼，國六 排放的實行，加速新能源汽車替代傳統燃油車。供給端：全球主流廠商規劃 將未來重點發展方向放到 NEV，有保有量加速提升，目前全球有超過 150 家 車廠已有規劃 EV 新車上市；在自動駕