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上次課主要內容回顧第二章 集成電路中的晶體管及其寄生效應本次課主要內容回憶圖2.1集成電路中的雙極晶體管構造(a)剖面 (b)符號表示(c)極性規定(a)(C)工作晶體管寄生晶體管雙極晶體管的四種工作狀態的判斷2.2.1 NPN管工作于正向工作區和截止區 寄生PNP管截止。只增加IB，IC的反向漏電流，和襯底漏電流IS 。2.2.2 NPN管工作于反向工作區 寄生PNP管工作區于正向工作區。 定性分析：相當大的反向NPN管“發射極電流作為無用電流流向IS 。 解決寄生管影響的方法思路： IS 減小 SF減小 ：減小PNP管的集電極電流 摻金工藝：少子的壽命減少； 埋層工藝：少子基區渡越時間增加 。 PNP管工作在正向工作區。 解決方法：減小SF 摻金工藝、埋層工藝。 增大V SBC(V =VBE-VBC)CBEN+-BLN+N+PN-epiP+P+P-SUBrc3rc2rc1rbres發射極串聯電阻res集電極串聯電阻rcs基區電阻rb寄生電阻的計算方法發射極串聯電阻res：見黑板集電極串聯電阻rcs基區電阻rbLWbLaWT20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 2010 10 10B 的計算方法BErb3rb2rb1CBEN+-BL

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