1、n型 SiAl塊Al液體鋁硅合金結P型硅n型 Sin型 SiN型硅氧化SiO2光刻擴散P型硅N型硅N型硅,( ),( )jAjDxx N xNxx N xNNxNANDxjx,jADjADxxNNxxNNNxNANDxjx+N型半導體多子多子電子電子少子少子空穴空穴P型半導體多子多子空穴空穴少子少子電子電子內電場E因多子濃度差因多子濃度差形成內電場形成內電場多子的擴散多子的擴散 空間電荷區空間電荷區 阻止多子擴散，促使少子漂移。阻止多子擴散，促使少子漂移。PNPN結合結合+P型半導體+N型半導體+空間電荷區空間電荷區多子擴散電流多子擴散電流少子漂移電流少子漂移電流耗盡層耗盡層P，N半導體接觸后

2、半導體接觸后少子飄移少子飄移補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子擴散多子擴散 又失去多子，耗盡層寬，又失去多子，耗盡層寬，EP型半導體+N型半導體+內電場E多子擴散電流多子擴散電流少子漂移電流少子漂移電流耗盡層耗盡層動態平衡時，PN結總電流為零，形成一個穩定的空間電荷區。空間電荷區內只有不能移動的離子，是載流子不能停留的區域或載流子耗盡的區域，故又稱耗盡層。nndnJJJEqDdxn漂移擴散=nq0nnK TDq0(ln )nK T dJnqExqdxn000exp()lnln1(ln )()( )FiiFiiiFiEEnnK TEEnnK TdEdEdndx

3、K TdxdxdEdV xqq Edxdx FnndEJndxFppdEJpdx0npJJJDFnFpqVEE0000000020exp()exp()exp()(ln)(ln)FiiFniniFpipiFnFpnDADpiEEnnK TEEnnK TEEnnK TEEk Tnk TN NVqqnqn勢壘勢壘 UO硅硅 0.5V鍺鍺 0.1V0exp() 1sqVJJK T0EmWEF0()mFmWEEWm 越大越大, 金屬對電子的束縛越強金屬對電子的束縛越強sFsEEW)(0E0ECEFEV Ws電子的親合能電子的親合能CEE 0EvWssFE )(mW0ECEnEmFE )(smWW 金屬半

4、導體FEnSqCEVEnEqVDWmWs金屬的功函數小于半導體的功函數金屬的功函數大于半導體的功函數在空間電荷區中，電子濃度要比體內大得多，在空間電荷區中，電子濃度要比體內大得多，因此它是一個高電導的區域，稱為因此它是一個高電導的區域，稱為反阻擋層反阻擋層。EcEvEFWs-Wm-Wm金屬和金屬和 n 型半導體接觸能帶圖型半導體接觸能帶圖 反阻擋層薄反阻擋層薄, 高電導高電導, 對接觸電阻影響小對接觸電阻影響小在勢壘區，空間電荷主要由電離施主形成，電子濃度要比在勢壘區，空間電荷主要由電離施主形成，電子濃度要比體內小得多，因此它是一個高阻的區域，稱為體內小得多，因此它是一個高阻的區域，稱為阻擋層

5、阻擋層。金屬和金屬和 n型半導體接觸能帶圖型半導體接觸能帶圖 阻擋層厚阻擋層厚, 高阻高阻, 對接觸電阻影響很大對接觸電阻影響很大EcEvPSqsmDWWqVFE形成形成n型和型和p型阻擋層的條件型阻擋層的條件WmWsWmWs n 型型 p 型型阻擋層阻擋層反阻擋層反阻擋層阻擋層阻擋層反阻擋層反阻擋層RUNP+-U UiD+_NP+-RUUiRU NP+-+_反向偏置內電場加強勢壘升高阻擋層變寬漂移電流增加擴散電流變小反向不導通反向漂移電流是少數載流子漂移形成的電流，而少數載流子濃度很低，故反向電流可以忽略。SiiR=-IsGeSiGeU(BR)U(BR) 1.0iDuDSiGe集電結發射結集電區基區發射區發射極（e）基極（b)集電極（c）NPNebcV集電結發射結集電區基區發射區發射極（e）基極（b)集電極（c）PNPebcV1、平面對著自己。2