1、四川信息職業技術學院教 案課程編碼： 0231124課程名稱：集成電路制造工藝課程性質： 必修課 總學時/學分：64/4授課專業：微電子技術 授課教師：王志強使用學期： 20122013學年第1學期教研室審批意見及時間：課程基本信息課程標準名稱、批準單位及時間微電子技術專業11級集成電路制造工藝課程標準；考核方式：形成性考核30%0+終結性考核70%（開卷）。電子工程系，2011年8月采用教材名稱、作者、出版社及版本集成電路制造工藝，林明祥，機械工業出版社，2011.1教學參考資料微電子產業及單晶硅材料，李可為，電子高專2006.6集成電路芯片制造原理與技術，李可為，電子高專2006.6教法、

2、學法建議教法：講授法、引導法、觀摩法等學法：自學法、筆記法、討論法。班級名稱班編號本學期 總學時其 中講授時數實訓或實驗課時數習題(討論) 課時數機動學時微電11-11645680備注章節小結算入講授學時，半期考試、復習算入習題課時。課程授課學時安排表編號班號/周次單元或項目名稱計劃學時備注1211緒論2理論課21緒論2理論課31硅晶圓片制造技術硅及材料；單晶硅材料；2理論課42硅晶圓片制造技術晶圓加工成形2理論課52硅外延生長2理論課62物質形態及材料屬性工藝用化學品 2理論課73玷污的類型及玷污與控制2理論課83硅片濕法清洗2理論課93集成電路測量學及質量測量2理論課104硅片的質量分析設

3、備2理論課114集成電路芯片制造工藝概述2理論課124集成電路芯片制造工藝概述2理論課135氧化技術Si02及掩蔽作用；2理論課145氧化技術熱氧化及熱氧化生長動力學；2理論課155氧化技術氧化速率及雜質再分布2理論課166擴散機構及雜質濃度分布；2理論課176常用雜質的擴散方法2理論課186擴散層參數測量和質量分析2習題課197半期考試理論課207光刻技術光刻工藝要求及光刻膠2理論課217光刻技術光刻工藝2理論課2212光刻技術光刻工藝及質量分析2理論課2312刻蝕濕法刻蝕2理論課2412刻蝕干法刻蝕2理論課2513刻蝕砷化鎵刻蝕2理論課2613離子注入工藝特點及原理2理論課2713離子注入

4、注入設備2理論課2814離子注入注入工藝2理論課2914CVD化學過程及薄膜分類及生長動力學；2理論課3014CVD淀積系統 2理論課3115金屬化2理論課3215表面鈍化概述及SI-SI02系統2理論課3315表面鈍化鈍化方法及、鈍化膜結構。2理論課3416電學隔離技術2理論課3516電學隔離技術2理論課3616典型雙極性集成電路工藝2理論課3717CMOS集成電路工藝2理論課3817空的獲得與設備2理論課3917復習2習題課4020復習2習題課22222NO：1課 題緒論課 型理論課教學時數2教學目的1、了解課程的性質與任務2、了解微電子產業歷史、現狀；3、掌握硅片、芯片基本概念；教學重點

5、教學難點無無采用教法講授法，引導法、激勵法學法建議自學法、筆記法、討論法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、課程引入（30分鐘）介紹微電子行業相關知識，激發學生學習興趣。2、本課基本信息介紹（20分鐘）（1）本課的性質與任務；（2）本課的教學安排；（3）本課的學習資源與方法；（4）要求及注意事項：課程紀律要求，考核情況（作業、平時成績、半期考試、期末考試），輔導答疑等。3、引子與微電子產業發展歷史（30分鐘）（1）硅片與芯片；（2）微電子器件發展階段；（3）微電子產業發展史；4、小結與答疑（10分鐘） 教師啟發式提問和學生自由提問并施，解決

6、學生對專業和本課程的疑惑、疑問，其目的在于激發其學習興趣、信心和和恒心。備 注思考與練習教學后記N0：2課 題緒論課 型理論課教學時數2教學目的1、了解半導體工藝技術史、半導體制造企業分類、集成電路分類；2、掌握微電子產業技術趨勢和技術節點。教學重點教學難點半導體工藝技術史、集成電路分類、電子產業技術趨勢和技術節點無采用教法講授法，引導法、激勵法學法建議自學法、筆記法、討論法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、半導體工藝技術史（25分鐘）敘述各種首次被應用到半導體工

7、藝或制作半導體器件而被研發出來的具有里程碑意義的技術，同時將本課程涉及的主要技術逐一介紹，以期使學生對本課程有個概略的了解。3、我國微電子產業的現狀、問題和前景（7分鐘）4、集成電路制造工藝簡介（15分鐘）5、半導體制造企業（8分鐘）設計企業、設計與制造企業、代工企業6、集成電路分類（10分鐘）7、技術趨勢（5分鐘）8、技術節點（10分鐘）5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記N0：3課 題硅的晶體結構，缺陷及雜質課 型理論課教學時數2教學目的1、了解半導體材料及分類；晶體基礎知識。2、掌握硅結構及缺陷。教學重點教學難點半導體材料及分類；晶體基礎知識；硅結構及缺陷。無采用教法講授法，

8、引導法、歸納法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、復習及引入課題（10分鐘）（1）上次課復習（2）本章、本節學習內容與教學目的介紹2、半導體材料及分類（25分鐘）（1）半導體材料（2）半導體分類3、硅的晶體結構（35分鐘）（1）物質分類：非晶體、晶體（單晶體和多晶體）；（2）晶體結構及性質；（3）硅單晶體及其結構。4、晶體的缺陷及雜質（15分鐘）四種缺陷：點、線、面、體5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記N0：4課 題硅晶體制備課 型理論課教學時數2教學目的1、了解多晶硅分類、制備方法2、掌握多硅單晶制備方

9、法；制備工藝、單晶硅制備方法。教學重點教學難點多硅單晶制備方法；制備工藝；單晶硅制備方法。直拉法制備硅單晶工藝采用教法講授，演示法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、多晶硅制備（30分鐘）（1）多晶硅分類（2）多晶硅常見制備方法（3）多晶硅制備工藝流程；3、單晶硅制備（50分鐘）（1）單晶制備流程 ；（2）典型的單晶硅制備方法：CZ直拉法、FZ區熔法（3）單晶制備設備4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記N0：5課 題硅單晶加工及質量

10、要求課 型理論課教學時數2教學目的1、了解硅晶圓質量要求2、掌握硅單晶制備工藝；晶圓加工成形工藝步驟及每步工藝要點教學重點教學難點硅單晶制備工藝；晶圓加工成形工藝步驟及每步工藝要點；單晶制備工藝采用教法講授，演示法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、復習及引入課題（10分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、硅單晶制備工藝（30分鐘）（1）、硅單晶制備工藝（2）質量要求；3、硅單晶加工（45分鐘）（1）硅單晶的切割（2）硅單晶的研磨（3）硅單晶的倒角；（4）硅單晶的拋光4、小結與答疑（5分鐘）備 注思

11、考與練習教學后記N0：6課 題硅片玷污與控制課 型理論課教學時數2教學目的1、了解硅片玷污及類型；2、掌握硅片清洗教學重點教學難點硅片玷污類型；硅片清洗硅片清洗采用教法講授法，演示法，巡查指導學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、玷污的類型（40分鐘）（1）顆粒；（2）金屬雜質；（3）有機物玷污；（4）自然氧化層；（5）ESD靜電釋放。3、玷污控制（40分鐘）（1）硅片濕法清洗概述（2）RCA清洗；（3）清洗設備4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記N0：7課 題硅外延生長課 型理論課教學時數2教學目的

12、1、了解外延生長基本概念。2、理解外延生長工藝教學重點教學難點外延生長工藝外延生長工藝采用教法講授，啟發式，示例法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、外延生長概述（15分鐘）3、硅的氣相外延（45分鐘）（1）硅外延生長用的原料；（2）硅外延生長設備；（3）外延工藝順序；（4）硅外延生長的基本原理和影響因素。4、硅外延層電阻率的控制（20分鐘）（1）外延層中的雜質及摻雜；（2）外延中雜質的再分布；（3）外延層生長中的自摻雜；（4）外延層的夾層。4

13、、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：7課 題測量學和缺陷檢測課 型理論課教學時數2教學目的1、了解硅片清洗的目的、目標；2、掌握RCA清洗工藝。教學重點教學難點RCA清洗工藝RCA清洗工藝采用教法講授法，實例引導法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、濕法清洗概況（30分鐘）（1）RCA清洗：1號標準清洗液，21號標準清洗液（2）改進的RCA清洗；（3）濕法清洗步驟3、濕法清洗及設備（35分鐘）（1）兆聲清洗 （2）噴霧清洗（3）溢流清洗4、 RCA清洗的替代方案（15分鐘）5、小結與答疑（5分鐘

14、）備 注思考與練習教學后記NO：9課 題集成電路測量學及質量測量課 型理論課教學時數2教學目的1、掌握等效的概念；2、掌握電阻串、并、混聯結方式的特點及相關電量計算；教學重點教學難點混聯電阻電路的計算?；炻撾娮桦娐返挠嬎恪２捎媒谭ㄖv授法，實例引導法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、集成電路測量學（40分鐘）（1）引言；（2測量設備；（3）成品率；（4）數據管理。3、質量測量（40分鐘）（1）膜厚；（2）膜應力（3）參雜濃度；（4）有無圖形的 表面缺陷。4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：10

15、課 題硅片的質量測量及分析設備課 型理論課教學時數2教學目的1、了解了解集成電路測量學；2、理解質量測量教學重點教學難點質量測量無采用教法講授法，演示法，巡查指導學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、硅片的質量測量（55分鐘）（1）關鍵尺寸CD；（2）臺階覆蓋；（3）套準精度；（4）C-V測試。（4）接觸角度。3、分析設備（25分鐘）二次離子質譜儀、原子力顯微鏡等。4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：11課 題集成電路芯片制造工藝概述課 型理論課教學時數2教學目的1、 了解集成電路芯片制造工藝歷

16、史現狀；2、 理解硅外延平面晶體管工藝流程。教學重點教學難點硅外延平面晶體管工藝流程硅外延平面晶體管工藝流程采用教法導入法，講授法，歸納法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、微電子器件工藝歷史（15分鐘）（1）生長法；（2）合金發；（3）擴散法。3、集成電路發展史（15分鐘）4、硅外延平面晶體管工藝流程（50分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：12課 題集成電路芯片制造工藝概述課 型理論課教學時數2教學目的1、理解雙極性和單極性集成電路生產工藝流程

17、教學重點教學難點雙極性和單極性集成電路生產工藝流程雙極性和單極性集成電路生產工藝流程采用教法導入法，講授法，歸納法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、雙極性集成電路生產工藝流程（50分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。3、單極性集成電路生產工藝流程（30分鐘）（1）工藝流程圖；（2）各部工藝及作用。4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：13課 題氧化技術Si02及掩蔽作用；課 型習題課教學時數2教學目的了解Si02、性質、用途掌握Si02的掩蔽作用教學重點教學難點Si02的掩蔽作用無采

18、用教法講授法，啟發式，討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、Si02及Si02結構（15分鐘）3、Si02主要性質及作用（25分鐘）（1）主要性質：物理性質和化學性質；（2）Si02薄膜在器件中的作用。4、Si02掩蔽作用（40分鐘）（1）雜質在Si02中的存在形式；（2）雜質在Si02中的擴散系數；（3）Si02掩蔽層厚度的確定；（4）雜質在Si02中的擴散系數；5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：14課 題氧化技術熱氧化及熱氧化生長動力學；課 型理論課教學時數2教學目的1、了解Si02

19、制備方法及熱氧化生長動力學；2、掌握熱氧化工藝教學重點教學難點熱氧化工藝熱氧化工藝采用教法講授法，引導法、示例法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、Si02熱氧化生長法（45分鐘）（1）干氧熱氧化法；（2）濕氧熱氧化法；（2）濕氧熱氧化法；（3）干-濕氧熱氧化法；3、熱氧化生長動力學（35分鐘）（1）氧化劑擴散到Si02表面；（2）氧化劑擴散到Si02Si界面；（2）氧化劑與Si生成Si 02；（3）反應副產物清除；4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：15課 題氧化技術氧化速率及雜質再分布課

20、型理論課教學時數2教學目的1、了解決定氧化速率的各種因素、雜質再分布特點及對硅表面雜質濃度的影響；2、掌握熱處理工藝。教學重點教學難點熱處理工藝熱處理工藝采用教法講授法，演示法，巡查指導學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、影響氧化速率的因素（20分鐘）（1）氧化劑分壓的影響；（2）氧化溫度的影響；（3）硅表面晶向的影響；（4）雜質的影響。3、雜質再分布特點及對硅表面雜質濃度的影響（20分鐘）（1）質再分布特點；（2）雜質再分布對硅表面雜質濃度的影響。4、熱處理（40分鐘）（1）退火與硅化反應；（2）熔流與固化；

21、（3）快速熱處理。5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：16課 題擴散技術擴散原理與模型；課 型理論課教學時數2教學目的1、 理解擴散原理；2、 掌握擴散模型。教學重點教學難點擴散原理、擴散模型；擴散原理采用教法講授法，引導法、示例法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、摻雜概述（15分鐘）3、擴散原理（25分鐘）（1）空位擴散；（2）填隙擴散。3、擴散模型（40分鐘）（1）恒定表面源擴散；（2）有限表面源擴散。4、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：17課 題擴散技術常用雜質的擴散

22、方法課 型理論課教學時數2教學目的1、掌握液態、固態源擴散、；2、了解其他擴散方法。教學重點教學難點液態、固態源擴散液態、固態源擴散采用教法講授法，引導法、示例法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、液態源擴散（35分鐘）（1）液態源硼擴散；（2）液態源磷擴散；3、固態源擴散（30分鐘）（1）固態源硼擴散；（2）固態源磷擴散；4、其他擴散方法（15分鐘）5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：18課 題擴散層參數測量和質量分析課 型理論課教學時數2教學目的1、了解方塊電阻；2、掌握方塊電阻、結深的測

23、量。教學重點教學難點方塊電阻、結深的測量方塊電阻、結深的測量采用教法講授法，啟發式，討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、方塊電阻及測量（30分鐘）（1）方塊電阻 ；（2）方塊電阻的四探針測量。3、結深及測量（25分鐘）（1）結深定義；（2）結深測量。4、質量分析（25分鐘）（1）擴散的均勻性與重復性；（2）反向擊穿電壓；（3）常見表面質量問題。5、小結與答疑（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：19課 題半期考試課 型習題課教學時數2教學目的通過考試檢驗學生對知識的掌握情況。教學重點教學難點半期考試無采

24、用教法學法建議教 學過 程設 計（復習內容、課題引入、主要知識點序列或操作步驟教法設計、時間分配等）1、半期考試（90分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：20課 題光刻技術光刻工藝要求及光刻膠課 型理論課 教學時數2教學目的了解光刻及工藝要求；了解光刻膠及組成。無教學重點教學難點光刻及工藝要求；光刻膠及組成采用教法講授法，引導法，互動交流法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、光刻及作用（20分鐘）（1）光刻概念(2)光刻作用3、光刻的工藝要求（35分鐘）（1）高分辨率（2）高靈敏度（3）緊密套準（4）大尺寸硅片

25、加工（5）低缺陷4、光刻膠組成材料及感光原理（25分鐘）（1）光刻膠組成材料（2）光刻膠感光原理5、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習光刻工藝的作用？教學后記NO：21課 題光刻技術光刻工藝課 型理論課教學時數2教學目的了解襯底材料的檢查與處理；掌握光刻工藝及流程；教學重點教學難點光刻工藝及流程；光刻工藝及流程；采用教法講授法，引導法，互動交流法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹22、光刻工藝（80分鐘）（1）襯底材料的檢查與處理（2）曾粘處理（3）涂膠（4）前烘（5）曝光（6）顯影3、本課小結（5分鐘）備 注思

26、考與練習曝光的方式有那幾個？教學后記NO：22課 題光刻技術光刻工藝及質量分析課 型理論課教學時數2教學目的掌握光刻工藝流程圖；理解光刻質量分析教學重點教學難點光刻工藝流程圖；理解光刻質量分析無采用教法講授法，引導法，互動交流法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、堅膜及光刻工藝流程圖（75分鐘）（1）堅膜（2） 光刻工藝流程圖3、光刻質量分析（1）溶膠（2） 小島（3）針孔4、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：23課 題刻蝕濕法刻蝕課 型理論課教學時數2教學目的了解刻蝕及作用、濕法刻蝕概念；掌握常

27、見濕法刻蝕方法。教學重點教學難點常見濕法刻蝕方法無采用教法講授法，引導法，小組討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、刻蝕及超大規模集成電路對圖形轉移的要求（30分鐘）（1）刻蝕及作用(2) 超大規模集成電路對圖形轉移的要求3、濕法刻蝕（50分鐘）（1）濕法刻蝕及特點（2）二氧化硅濕法刻蝕（3）呂刻蝕（4）硅的刻蝕4、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習濕法刻蝕有哪幾種？教學后記NO：24課 題刻蝕干法刻蝕課 型理論課教學時數2教學目的理解干法刻蝕原理；掌握常見干法刻蝕方法教學重點教學難點常見干法刻蝕方法無采用

28、教法講授法，引導法，小組討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、干法刻蝕及原理（30分鐘）（1）干法刻蝕概念及作用（2）干法刻蝕原理3、干法刻蝕（50分鐘）（1）二氧化硅干法刻蝕（2）氮化硅干法刻蝕（3）呂及鋁合金硅干法刻蝕（4）其他干法刻蝕5、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習說出二氧化硅干法刻蝕工藝？教學后記NO：25課 題刻蝕砷化鎵刻蝕課 型理論課教學時數2教學目的掌握砷化鎵刻蝕工藝教學重點教學難點砷化鎵刻蝕工藝砷化鎵刻蝕工藝采用教法講授法，引導法，小組討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、

29、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、砷化鎵刻蝕（15分鐘）3、去膠：（25分鐘）（1）溶劑去膠（2）氧化去膠（3）等離子體去膠4、終點檢測（40分鐘）（1）終點檢測方法：光發射分光儀法、激光干涉法測量（2）刻蝕的損傷：等離子體引起的損傷、等離子體引起的微粒污染3、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習刻蝕的損傷有哪些？教學后記NO：26課 題離子注入工藝特點及原理課 型理論課教學時數2教學目的熟練掌握電感元件伏安關系的相量形式和相量圖；教學重點教學難點電感元件伏安關系的相量形式和向量圖。電感元件伏安關系的相量形式和向量圖。采用教法講授法，引導法，小組討論法學

30、法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、離子注入概述（15分鐘）（1）離子束的性質（2）離子束加工方式3、離子注入系統（65分鐘）（1）離子源：質量分析器：加速器：聚焦系統中性束偏移器5、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習質量分析器的作用是什么？教學后記NO：27課 題離子注入注入設備課 型理論課教學時數2教學目的1、了解典型離子注入設備的結構及操作規程教學重點教學難點典型離子注入設備的結構；操作規程采用教法講授法，引導法，小組討論法學法建議自學法、筆記法教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習

31、（2）本節學習內容與教學目的介紹2、典型離子注入設備的結構（50分鐘）（1） 質量分析注入機（2）氮注入機；（3）等離子源注入機(PIII)；目前還研制出了金屬蒸發真空電弧離子源（MEVVA），它是在注入元素組成的電極表面引燃電弧而產生離子束的，它解決了固體元素直接注入這一難題。3、典型離子注入設備操作規程（30分鐘）4、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習教學后記NO：28課 題離子注入注入工藝課 型理論課教學時數2教學目的1、 理解離子注入控制工藝；2、 掌握溝道效應及離子注入的阻止機制教學重點教學難點離子注入控制工藝；溝道效應及離子注入的阻止機制溝道效應及離子注入的阻止機制采用教法講授法，

32、引導法，討論法學法建議加強理解，習題練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹3、離子注入控制（45分鐘）（1）離子束流密度和注入時間控制雜質濃度（注入離子劑量）（2）離子能量控制結深（3）雜質分布各向異性3、離子注入阻止與溝道效應（35分鐘）（1）離子注入阻止：核阻止、電子阻止（2）溝道效應4、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習離子注入阻止與溝道效應額關系？教學后記NO：29課 題CVD化學過程及薄膜分類及生長動力學；課 型理論課教學時數2教學目的識記化學氣相沉積基本概念；理解化學氣相沉積法原理教學重點教學難點化學氣相沉積基本概念；化學

33、氣相沉積法原理化學氣相沉積法原理采用教法講授法，引導法，討論法學法建議加強理解，習題練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、化學氣相沉積基本概念（25分鐘）（1）化學氣相沉積（2）CVD技術的分類（3）常用三種CVD技術優缺點3、化學氣相沉積法原理（30分鐘）（1）CVD技術的熱動力學原理；（2）兩種常見的流體流動方式（3）CVD動力學4、化學氣相沉積適用范圍（15分鐘）4、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習化學氣相沉積CVD的作用？教學后記NO：30課 題CVD淀積系統課 型理論課教學時數2教學目的掌握常見化學氣相沉積 ，了解化學

34、氣相沉積生產裝置、化學氣相沉積應用實例。教學重點教學難點常見化學氣相沉積 ， 化學氣相沉積生產裝置 無采用教法講授法，引導法，討論法學法建議加強理解教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、化學氣相沉積工藝及設備（65分鐘）（1）化學氣相沉積分類；（2）化學氣相沉積生產裝置；（3）化學氣相沉積工藝參數 ；4、應用實例（15分鐘）5、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習常見化學氣相沉積有哪幾種？教學后記NO：31課 題金屬化課 型理論課教學時數2教學目的1、了解金屬化常用金屬；了解平坦化2、掌握金屬化工藝。教學重點教學難點金屬化工藝金屬化工藝

35、采用教法講授法，引導法，討論法學法建議加強理解，習題練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、金屬化概述（15分鐘）3、金屬化工藝工藝（45分鐘）（1）歐姆接接觸（2）布線技術4、金屬平坦化（20分鐘）5、本課小結（5分鐘）備 注思考與練習 簡述金屬化與平坦化教學后記NO：32課 題表面鈍化概述及SI-SI02系統課 型習題課教學時數2教學目的1、了解鈍化膜及介質膜；2、理解Si-SiO2系統教學重點教學難點鈍化膜及介質膜；Si-SiO2系統Si-SiO2系統采用教法講授法，啟發式，討論法學法建議加強習題練習教 學過 程設 計1、復習

36、及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、概述（30分鐘）（1）鈍化膜及介質膜（2）鈍化膜及介質膜的重要性和作用（3）對鈍化膜及介質膜性質的一般要求3、Si-SiO2系統（50分鐘）（1）SiO2膜在半導體器件中的主要用途（2）Si-SiO2 系統中的電荷（3）Si-SiO2系統中的電荷對器件性能的影響（4）Si-SiO2結構性質的測試分析4、小結（5分鐘）備 注思考與練習解釋：鈍化膜、介質膜教學后記NO：33課 題表面鈍化鈍化方法及、鈍化膜結構。課 型實驗課教學時數2教學目的1、 了解鈍化膜結構；2、 掌握鈍化方法。教學重點教學難點鈍化方法。鈍化方法。采用教法講

37、授法，演示法，巡查指導學法建議認真按步驟進行操作練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、鈍化方法（60分鐘）（1）集成電路鈍化的一般步驟（2）含氯鈍化（3）磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）鈍化（4）氮化硅（Si3N4）鈍化膜（5）氧化鋁（Al2O3）鈍化膜（6）聚酰亞胺（PI）鈍化膜3、鈍化膜結構（20分鐘）（1）雙層結構（2）多層鈍化結構4、小結（5分鐘）備 注思考與練習實驗報告冊教學后記NO：34課 題電學隔離技術課 型理論課教學時數2教學目的1、 了解電學隔離及作用；2、 理解常用器件的電學隔離結構教學重點教學難點常

38、用器件的電學隔離結構常用器件的電學隔離結構采用教法講授法，引導法，討論法學法建議加強理解，習題練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、概述（20分鐘）（1）電學隔離作用（2）電學隔離的必要性和方法3、器件的電學隔離結構（60分鐘）（1）二極管的結構（2）雙極型晶體管的結構（3）MOS場效應晶體管的結構6、小結(5分鐘)備 注思考與練習電學隔離作用？教學后記NO：35課 題電學隔離技術課 型理論課教學時數2教學目的1、了解接觸孔、通孔和連線；2、理解常用器件的電學隔離結構教學重點教學難點理解常用器件的電學隔離結構理解常用器件的電學隔離結構采用教法講授法，引導法，討論法學法建議加強理解，習題練習教 學過 程設 計1、復習及引入課題（5分鐘）（1）上次課復習（2）本節學習內容與教學目的介紹2、器件的電學隔離結構（60分鐘）（1）MOS場效應晶體管的結構（2） 電阻的結構（3）電容的結構4、接觸孔、通孔和連線（20分鐘）5、小結