1、元件的通態特性元件開通特性的差別開通時間延遲時間和上升時間門檻電壓溫度影響元件的通態特性母排銜接方式交流電壓影響開通時間 由于通態特性的分散性，并聯支路越多，均流系數越低電流較小時，硅元件具有副溫特性。不同溫度下，通態特性會發生偏移。R/R1I1/II2/II3/II4/II5/I均流系數10.36840.10530.05260.10530.368454.3%0.50.31820.40.09090.40.318262.9%0.20.26260.16760.70.16760.262676.2%0.10.23510.18210.16560.18210.235185.1%0.050.21870.19

2、060.18150.19060.218791.4%0.010.20390.19800.19610.19800.203998.1%圖1 自動均流調節器框圖控制脈沖投切脈沖區間信號本柜電流反饋本柜電流給定操作指令差分放大形成脈沖區間區間前沿斜坡處理脈沖功放發生器高頻脈沖脈沖區間移相處理形成脈沖列至SCR區間前沿斜坡處置單元，將脈沖區間的前沿包括后沿作斜坡處置，斜坡和來自差分放大器的移相控制信號被送到脈沖區間移相處置單元進展比較，得到包含均流控制信息即前沿相位的新的脈沖區間，它實時控制脈沖列的投入時間，從而控制每個硅的導通時間。調理目的:通態平均電流ititSCR1SCR2cus2cus1cus4c

3、us6cus2cus1cus3cus5cus1cus3cus2裝于整流橋正極的分流器不能反映整流橋的輸出形狀I1112I21I22I1 2 n 來自來自AVR的電流均分線的電流均分線(020mA)1 2 n V1 V2 Vn V=(V1+V2+.+Vn)/n 1由調理器與功率柜共同產生2由功率柜產生脈沖頻率：60KHz元件導通時間調理精度大多數硅元件均適用這種均流方法。個別型號的硅元件不適于并聯運轉。應確保自然均流系數不低于某個值，比如0.8。設計：100實踐： 20以內輸出電流動態均流1#柜2#柜均流系數500A(2000A/3V)不投2102900862投入2402650953輸出電流動態

4、均流1#柜2#柜均流系數1310A(2000A/3V)不投6057080927投入2402650997輸出電流動態均流1#柜2#柜均流系數2100A(2000A/3V)不投9461147091投入1006108809620.80.8512%0.951.0050%0.900.9520%0.850.918%0.981.0060%0.950.9840% 對出廠的50套設備進展統計，不投動態均流時，均流系數在0.80.85之間的有6套，在0.850.9之間的有9套，在0.90.95之間的有10套，在0.95以上的有25套。投動態均流，一切50套設備的均流系數在0.95以上，其中， 30套設備的均流系數

5、在0.98以上。 實驗條件：交、直流匯流母排銜接，阻性負載。0.981.0073% 0.950.9820%0.957% 對現場的30套設備進展統計，均流系數在0.95以下的有2套，在0.950.98之間的有6套，在0.95以上的有22套。0.981.0054%0.950.9846%滿載時，30套設備的均流系數在0.98以上。1/2滿載時，27套設備的均流系數在0.98以上。 實驗條件：交、直流匯流母排銜接，阻性負載。不同電流下的均流情況不同電流下的均流情況0.981.0060%0.950.9840%動態均流技術，不需求其它任何輔助措施如長電纜、硅元件參數選配等可以確保均流系數大于95%。而且,

6、當一個或多個功率柜退出后,運轉的功率柜之間仍可實現動態均流。該方法立足于控制回路，經過自動調理實現柜間及相間均流。因此它在較寬的電流范圍內有效地實現高程度均流系數，一致性很好。這種方法既適用于感性負載，也適用于阻性負載。12nAVR脈沖控制本柜投退脈沖控制本柜投退脈沖控制本柜投退 經過調理器的控制，使每個周期只需一個橋導通 控制簡單，均流系數無限地接近100% 需求關注di/dt(正常工況下，di/dt60A/us)1#2#3#4#系統數字化調理器硬件采用ARM+FPGA含DSP單元雙通道，實現對等冗余基于嵌入式操作系統的多義務運轉方式現場總線實現內部互聯直流平臺支持多國言語的人機界面CAN 低功耗ARM處置器 FPGA：全并行DSP單元，每秒可完成100K次FFT A/D轉換分辨率：16bit 通道數：12路。模擬信號輸入量程：