1、DELLPowerEdgeR710服務(wù)器支持DDR3的DIMM(RDIMM)或ECC非緩沖的DIMM(UDIMM)。單列和雙列DIMM可以是1067MHz或1333MHz,四列DIMM可以是1067MHz。DELLPowerEdgeR710服務(wù)器含18個(gè)內(nèi)存插槽，分為兩組，每組九個(gè)插槽,分別用于一個(gè)處理器。每組插槽（9個(gè)）分為三個(gè)通道，每個(gè)通道有三個(gè)內(nèi)存插槽。每個(gè)通道的第一個(gè)插槽上都標(biāo)有白色釋放拉桿。DELLPowerEdgeR710服務(wù)器支持的最大內(nèi)存取決于所用的內(nèi)存模塊類型和大小：?對(duì)于大小為2-GB、4-GB和8-GB（如果有）的單列和雙列RDIMM,支持的總量最大為144GB。?對(duì)于四

2、列RDIMM（每個(gè)通道兩個(gè)），支持的總量最大為96GB?對(duì)于1GB和2GB的UDIMM,支持的最大總?cè)萘繛?4GB內(nèi)存一般安裝原則為確保獲得最佳系統(tǒng)性能，請(qǐng)?jiān)谂渲孟到y(tǒng)內(nèi)存時(shí)遵守以下通用原則:注：未遵循這些原則的內(nèi)存配置會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)在啟動(dòng)時(shí)停機(jī)，并且無任何系統(tǒng)消息的視頻輸出。?不能混合安裝RDIMM和UDIMM?每個(gè)通道不得安裝兩個(gè)以上UDIMM?除了未使用的內(nèi)存通道之外，所有被占用的內(nèi)存通道的配置必須相同?在雙處理器配置中，每個(gè)處理器的內(nèi)存必須配置相同?大小不同的內(nèi)存模塊可以在一個(gè)內(nèi)存通道中混用（如2-GB、8-GB和4-GB）,但所有被占用的通道的配置必須相同。?對(duì)于優(yōu)化器式，內(nèi)存模塊按照插槽

3、的數(shù)字順序安裝，以A1或B1開始?對(duì)于內(nèi)存鏡像模式或高級(jí)ECC模式，離處理器最遠(yuǎn)的三個(gè)插槽不使用，內(nèi)存模塊首先從插槽A2或B2開始安裝，然后按剩下插槽的數(shù)字順序安裝（如A2、A3、A5、A6、A8和A9）。?高級(jí)ECC模式需要x4或x8DRAM設(shè)備寬度?每個(gè)通道的內(nèi)存速度因內(nèi)存配置而異:-對(duì)于單列或雙列內(nèi)存模塊：?每個(gè)通道一個(gè)內(nèi)存模塊時(shí)最多支持1333MHz?每個(gè)通道兩個(gè)內(nèi)存模塊時(shí)最多支持1067MHz。?每個(gè)通道三個(gè)內(nèi)存模塊時(shí)最多支持800MHz（不管內(nèi)存模塊速率如何）-對(duì)于四列內(nèi)存模塊:?每個(gè)通道一個(gè)內(nèi)存模塊時(shí)最多支持1067MHz?每個(gè)通道兩個(gè)內(nèi)存模塊時(shí)最多支持800MHz,不管內(nèi)存模塊

4、的速率如何?如果安裝了四列內(nèi)存模塊，則只能再向該通道添加一個(gè)內(nèi)存模塊?如果四列內(nèi)存模塊與單列或雙列模塊混用，則四列模塊必須安裝在帶有白色釋放拉桿的插槽中。?如果安裝了速率不同的內(nèi)存模塊，則它們將以最慢內(nèi)存模塊的速率運(yùn)行。模式特定原則每個(gè)處理器均分配有三個(gè)內(nèi)存通道。通道數(shù)量及允許的配置取決于選定的內(nèi)存模式。內(nèi)存鏡像支持如果在離處理器最近的兩個(gè)通道中安裝相同的內(nèi)存模塊（最遠(yuǎn)的通道不安裝內(nèi)存模塊），則系統(tǒng)支持內(nèi)存鏡像。必須在系統(tǒng)設(shè)置程序中啟用鏡像。在鏡像配置中，可用的總系統(tǒng)內(nèi)存為總安裝內(nèi)存的一半。優(yōu)化器（獨(dú)立通道）模式在此模式中，三個(gè)通道均為相同的內(nèi)存模塊所占用。此模式允許較大的總內(nèi)存容量，但不支持

5、帶有基于x8內(nèi)存模塊的SDDC。除此之外，此模式還支持每個(gè)處理器一個(gè)1GB內(nèi)存模塊的最小單通道配置。表3-1、表3-2和表3-3顯示了遵循本節(jié)所述相應(yīng)內(nèi)存原則的示例內(nèi)存配置示例顯示了相同內(nèi)存模塊配置及它們的總物理內(nèi)存和總可用內(nèi)存。這兩個(gè)表格未顯示混合或四列內(nèi)存模塊配置，也不涉及任何配置的內(nèi)存速度考慮。表3，示例R5MM單列和雙列內(nèi)存配置（每個(gè)處理器）內(nèi)存插槽單處理器雙處理器內(nèi)存模 內(nèi)存模式塊大小23物理45B內(nèi)存769(GBI用有因可內(nèi)仍理存明物內(nèi)(G用在印可內(nèi)優(yōu)優(yōu)化黯 2 GB X2 全部 T 全部1（；XXXXXXXXXXXXKXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXTS128)62424

6、如全部8162416打出1S71全制S（：B1XXXXXXXXXXXXXXKXXXXXXXXXXXXXXXXXX81624164S1872全部Ih小2649h144全部表32示例RDIMM單列和雙列內(nèi)存配置（每個(gè)處理器）I閆春榭單處理器取處理器123物理可用物理可用4$6內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存模式塊大小733(GB)(GBi(GBI(GB)高級(jí)2GB空XX4全部8全部F8XXXX蓍.16XXXXXX12244；li空XX8全部16全部XxXXIti記XXXXXX2448SC1B1空XX16全部32全部XXXXXXXXXX蛭%*2GB空XX4r814XXXX416SXXXXXX126124；B空XX8416SXXXX16X1bXXXXXX24124828GB1空XX168支16XXxX9216fy4幻XXXXXX弼24%481可用時(shí)工必須是基干M或虛的內(nèi)存模塊33.示例UDIMM內(nèi)存配置（每個(gè)處理器內(nèi)存插槽單抬理器雙處理爵123物理可用物理可用內(nèi)存B145G內(nèi)存由存內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存模式塊大小1S9(GBI(G8)(GB)168)優(yōu)化器1GHX1全部7上全部XX24XXX36XXXX4*XXXXXX122cBX7二仝部41全部XX4XXX12XXXX1BXXXX