1、 微電子工藝課程設(shè)計 一、 摘要 仿真（simulation）這一術(shù)語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上，甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。不同的書刊和字典對仿真這一術(shù)語的定義性簡釋大同小異，以下3種最有代表性，仿真是一個系統(tǒng)或過程的功能用另一系統(tǒng)或過程的功能的仿真表示； 用能適用于計算機的數(shù)學(xué)模型表示實際物理過程或系統(tǒng)；不同實驗對問題的檢驗。 仿真（也即模擬）的可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）的可信度和精度。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科學(xué)、工程科學(xué)、人文科學(xué)和社會科學(xué)的重要方法，是開發(fā)產(chǎn)品、制定決策的重要手段。據(jù)不完全統(tǒng)計，目前，有關(guān)

2、建模和仿真方面的研究論文已占各類國際、國內(nèi)專業(yè)學(xué)術(shù)會議總數(shù)的10%以上，占了很可觀的份額。集成電路仿真通過集成電路仿真器（simulator）執(zhí)行。集成電路仿真器由計算機主機及輸入、輸出等外圍設(shè)備（硬件）和有關(guān)仿真程序（軟件）組成。按仿真內(nèi)容不同，集成電路仿真一般可分為：系統(tǒng)功能仿真、邏輯仿真、電路仿真、器件仿真及工藝仿真等不同層次（level）的仿真。其中工藝和器件的仿真，國際上也常稱作“集成電路工藝和器件的計算機輔助設(shè)計”（Technology CAD of IC），簡稱“IC TCAD”。二、 綜述這次課程設(shè)計要求是：設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管，使T=346K時，=173。VC

3、EO=18V，VCBO=90V，晶體管工作于小注入條件下，最大集電極電流為IC=15mA。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。要求我們先進行相關(guān)的計算，為工藝過程中的量進行計算。然后通過Silvaco-TCAD進行模擬。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具，世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司（已經(jīng)被Synopsys公司收購）的Dios和Dessis 以及Crosslight Software公司的Csuprem和A

4、PSYS。這次課程設(shè)計運用Silvaco-TCAD軟件進行工藝模擬。通過具體的工藝設(shè)計，最后使工藝產(chǎn)出的PNP雙極型晶體管滿足所需要的條件。三、 方案設(shè)計與分析各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計算對于擊穿電壓較高的器件，在接近雪崩擊穿時，集電結(jié)空間電荷區(qū)已擴展至均勻摻雜的外延層。因此，當(dāng)集電結(jié)上的偏置電壓接近擊穿電壓V時，集電結(jié)可用突變結(jié)近似，對于Si器件擊穿電壓為，集電區(qū)雜質(zhì)濃度為：由于BVCBO=90所以Nc=5.824*1015cm-3一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足NENBNC設(shè)NB=10NC;NE=100NB則：Nc=5.824*1015cm-3；NB=5.824*1016cm-3；NE=5.8

5、24*1018cm-3根據(jù)室溫下載流子遷移率與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系，得到少子遷移率：；根據(jù)公式可得少子的擴散系數(shù)：=0.031300=39=0.03330=9.9=0.03150=4.5根據(jù)摻雜濃度與電阻率的函數(shù)關(guān)系，可得到不同雜質(zhì)濃度對應(yīng)的電阻率： 根據(jù)少子壽命與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系，可得到各區(qū)的少子壽命： 根據(jù)公式得出少子的擴散長度：=集電區(qū)厚度Wc的選擇Wc的最大值受串聯(lián)電阻Rcs的限制。增大集電區(qū)厚度會使串聯(lián)電阻Rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制。綜合考慮這兩方面的因素，故選擇WC=8mWb：基區(qū)寬度的最大值可按下式估計：取為4可得MAX4.31um可得MIN

6、0.381*10-4由于，所以E-B耗盡區(qū)寬度（）可近視看作全部位于基區(qū)內(nèi)，又由，得到大多數(shù)C-B耗盡區(qū)寬度（）位于集電區(qū)內(nèi)。因為C-B結(jié)輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度比E-B結(jié)輕摻雜一側(cè)的濃度低，所以。另外注意到是基區(qū)寬度，是基區(qū)中準(zhǔn)中性基區(qū)寬度；也就是說，對于PNP晶體管，有：，所以基區(qū)寬度為，滿足條件0.381um4.31um。其中和分別是位于N型區(qū)內(nèi)的E-B和C-B耗盡區(qū)寬度，在BJT分析中指的就是準(zhǔn)中性基區(qū)寬度。擴散結(jié)深：在晶體管的電學(xué)參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨結(jié)深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴散結(jié)深一些。但另一方面，結(jié)深卻又受條寬限制，由于基區(qū)積累電荷增

7、加，基區(qū)渡越時間增長，有效特征頻率就下降，因此，通常選?。悍瓷浣Y(jié)結(jié)深為集電結(jié)結(jié)深為芯片厚度和質(zhì)量 本設(shè)計選用的是電阻率為 的P型硅，晶向是。硅片厚度主要由集電結(jié)深、集電區(qū)厚度、襯底反擴散層厚度決定。基區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程 A、預(yù)擴散時間PNP基區(qū)的磷預(yù)擴散的溫度取1080，即1353K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知磷在硅中有： 為了方便計算，取由公式 ，得出基區(qū)的預(yù)擴散時間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴散（1353K）的時間t=964.84s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出磷（P）在溫度1080時在中的擴散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實際情況，基區(qū)氧化層厚度

8、取為6000。 基區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1200。由一些相關(guān)資料可查出磷的擴散系數(shù)： 由于預(yù)擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴散的時間： t=7560s=2.1h B、發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程 預(yù)擴散時間 PNP發(fā)射區(qū)的硼預(yù)擴散的溫度這里取950，即1223K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有： 為了方便計算，取由公式 ，得出發(fā)射區(qū)的預(yù)擴散時間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴散（1353K）的時間t=1683s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）

9、在溫度950時在中的擴散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實際情況，基區(qū)氧化層厚度取為7000。 發(fā)射區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1170，即1443K，則 由于預(yù)擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴散的時間： t=7200s=2.0h C、氧化時間的計算 基區(qū)氧化時間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧濕氧干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（0.1um），再濕氧4000（0.4um），再干氧1000（0.1um）取干氧和濕氧的氧化溫度為12

10、00干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時間為：所以，基區(qū)總的氧化時間為： 發(fā)射區(qū)氧化時間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可以采用干氧濕氧干氧的工藝,將7000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：5：1即先干氧1000（0.1um），再濕氧5000（0.5um），再干氧1000（0.1um）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化5000的氧化層厚度需要的時間為：所以，發(fā)射區(qū)總的氧化時間為：四、 方案綜合評價與結(jié)論# Go atlas # mesh x.m l=0

11、 spacing=0.15 x.m l=0.8 spacing=0.15 x.m l=1.5 spacing=0.12 x.m l=2.0 spacing=0.15 # y.m l=0.0 spacing=0.006 y.m l=0.06 spacing=0.005 y.m l=0.30 spacing=0.02 y.m l=1.0 spacing=0.12 # region num=1 silicon electrode num=1 name=emitter left length=0.8 electrode num=2 name=base right length=0.5 y.max=0

12、electrode num=3 name=collector bottom # doping reg=1 uniform n.type conc=5e15 doping reg=1 gauss n.type conc=1e18 peak=1.0 char=0.2doping reg=1 gauss p.type conc=1e18 peak=0.05 junct=0.15 pnp型雙極晶體管設(shè)計，通過查閱大量的資料，借鑒別人成功的設(shè)計，從中得到自己有用的東西，自己慢慢吸收。從知之甚少到一點點設(shè)計，最終成功完成了本次設(shè)計，通過仿真軟件仿真可以知道此次設(shè)計基本符合題目要求的參數(shù)值。由于自己理論知識較為匱乏，對實際生活中的工藝水平不怎么了解，所以設(shè)計還是存在一些問題，參數(shù)有著一些誤差。五、 體驗與展望在為期一周的時間里，我們對于微電子工藝這門課程進行了相應(yīng)的微電子工藝課程設(shè)計。期間對于微電子工藝、微電子器件物理、微電子器件工藝和半導(dǎo)體物理的有關(guān)知識進行了復(fù)習(xí)，在運用中更加深刻的理解了咱們電子與科學(xué)專業(yè)方向之一的微電子工藝方向的技術(shù)。但是也深深體會到了對于理論知識的缺乏，以及運用時候思路的單調(diào)，并不能夠提出新穎的方案，拘泥于固定思維的我們，更應(yīng)該利用課程設(shè)計以及其他實踐機會拓展自