1、揚州職業(yè)大學(xué)頂崗實習(xí)報告院 系：機械工程學(xué)院專 業(yè)： 數(shù)控技術(shù)班 級： 09數(shù)控2班學(xué)生姓名： 王飛學(xué) 號： 09010402282012年5月4日目錄第一章 實習(xí)單位簡介2第一節(jié) 企業(yè)簡介2第二節(jié) 公司設(shè)備簡介4第三節(jié) 公司產(chǎn)品介紹12第四節(jié) 生產(chǎn)工藝流程介紹16第二章 專業(yè)知識運用19第一節(jié) 片機清機維護作業(yè)指導(dǎo)19第二節(jié) 取片操作20第三節(jié) 更換MO源22第四節(jié) 檢漏23第三章 產(chǎn)品檢驗25第四章 對公司的建議與實習(xí)心得體會27第一節(jié) 對公司發(fā)展的憧憬與建議27第二節(jié) 心得體會27第一章 實習(xí)單位簡介第一節(jié) 企業(yè)簡介揚州中科半導(dǎo)體照明有限公司是由揚州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)直屬企業(yè)揚州新光源科技開

2、發(fā)有限公司與中國科學(xué)院半導(dǎo)體所于2007年共同發(fā)起設(shè)立的公司，注冊資金4500萬元，其中揚州新光源科技開發(fā)有限公司出資3500萬元，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所以知識產(chǎn)權(quán)作價1000萬元出資。2009年公司引進陳愛中等三名自然人股東，注冊資本達到1億元人民幣。2011年，公司增加中國中材集團有限公司（簡稱“中材集團”）法人股，中材集團出資3.2億元，認購股本10409萬元，占公司股權(quán)51%，實現(xiàn)對公司控股。截至2011年3月1日，公司注冊資本為20409萬元人民幣。 揚州中科現(xiàn)為揚州國家級半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)骨干企業(yè)，是中國科學(xué)院半導(dǎo)體所國家863課題所開發(fā)的藍光LED外延片生產(chǎn)技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化的承接單位

3、，其藍光二極管外延片生產(chǎn)技術(shù)是中科院半導(dǎo)體所的專利技術(shù)，處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。公司擁有優(yōu)秀的管理團隊，雄厚的專業(yè)技術(shù)力量，總經(jīng)理王國宏為博士生導(dǎo)師，主要從事半導(dǎo)體發(fā)光管二極管、激光器、探測器等光電子器件材料的MOCVD生長、工藝開發(fā)，主持國家級研究課題5項，是國家863項目、國家科技攻關(guān)項目、中科院重大項目的負責(zé)人，在半導(dǎo)體照明用大功率封裝、薄膜結(jié)構(gòu)LED材料、芯片工藝及液晶顯示LED背光源重大應(yīng)用等方面形成自主知識產(chǎn)權(quán)，申請受理專利3項，獲授權(quán)發(fā)明專利2項。總工程師鄧元明博士畢業(yè)于美國南加州大學(xué)電子工程系，為LED芯片制程的維護及優(yōu)化、LED芯片制造管理方面的專家。揚州中科公司2007年成立以來

4、至2009年為研發(fā)期，2010年實現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入3034萬元，利潤總額111.7萬元。2011年2月中國中材集團有限公司正式注資并控股揚州中科后，規(guī)劃用3到5年時間，總投資50億元以上，并適時進行行業(yè)垂直整合，完善產(chǎn)業(yè)鏈，形成100億元以上營業(yè)收入，將把揚州中科打造成為新光源行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。   中材集團是國務(wù)院國資委直接管理的中央企業(yè)，是我國唯一在非金屬材料行業(yè)擁有系列核心技術(shù)和完整創(chuàng)新體系，集科研、設(shè)計、制造、工程建設(shè)、國際貿(mào)易于一體的“創(chuàng)新型、國際型、價值型”企業(yè)集團。集團擁有非金屬材料制造業(yè)、非金屬材料技術(shù)裝備與工程業(yè)、非金屬礦業(yè)等三大主業(yè)，居于國內(nèi)領(lǐng)先位置

5、；目前，集團旗下?lián)碛?家H股上市公司和6家A股上市公司，具有雄厚的資金、人才、技術(shù)和管理實力。公司依托中科院半導(dǎo)體所多年在材料外延技術(shù)方面的基礎(chǔ)和強大的研發(fā)力量，以高端LED外延技術(shù)為核心，以照明應(yīng)用設(shè)計為牽引，建設(shè)半導(dǎo)體照明核心技術(shù)產(chǎn)業(yè)化研發(fā)平臺，開拓半導(dǎo)體照明市場，推進我國半導(dǎo)體照明事業(yè)發(fā)展，打造國際品牌。企業(yè)自成立以來，獲得多項政府獎勵和資金補助，其中有高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才獎100萬元，2008年省科技支撐計劃項目獎100萬元，2009年省科技成果轉(zhuǎn)化重大項目1300萬元，2011年“國家863計劃實施單位”，并于同年獲“省級工程技術(shù)研究中心”、“省半導(dǎo)體照明工程中心”稱號。截止目前，公司

6、擁有50臺MOCVD設(shè)備，一期廠房33000平米（廠區(qū)占地面積86580平米），新工廠2011年12月份正式投產(chǎn)，LED的外延片和芯片銷售情況良好，正積極擴充芯片產(chǎn)能以適應(yīng)持續(xù)增長的市場需要。目前，我公司量產(chǎn)水平達到120lm/W，處于國內(nèi)先進水平。公司已建立國內(nèi)半導(dǎo)體照明行業(yè)合作及技術(shù)交流咨詢平臺；培植具有自主知識產(chǎn)權(quán)的民族品牌為主要任務(wù)。以實現(xiàn)科研成果的工程化和產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移，解決目前我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)瓶頸為主要的發(fā)展方向。通過國際合作，實現(xiàn)引進消化吸收再創(chuàng)新，并最終形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端技術(shù)，提升半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平。利用市場機制，合理配置資源，完善產(chǎn)學(xué)研關(guān)系，加快科技成果轉(zhuǎn)化速

7、度，將中科公司打造成為半導(dǎo)體照明領(lǐng)域“國內(nèi)第一、世界前三”的領(lǐng)軍企業(yè)。公司持續(xù)專注于瞄準(zhǔn)更高端的技術(shù)水平，積極開發(fā)更高品質(zhì)的LED外延片及芯片，擴大產(chǎn)能規(guī)模。進一步做大做強，使中科公司成為中國LED高端外延片、芯片研發(fā)、制造領(lǐng)導(dǎo)者和標(biāo)桿！第二節(jié) 公司設(shè)備簡介MOCVD是金屬有機化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù).它以族、族元素的有機化合物和V、族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種-V族、-族化合

8、物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200,用射頻感應(yīng)加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。 MOCVD技術(shù)具有下列優(yōu)點:(l)適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導(dǎo)體; (2)非常適合于生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料; (3)可以生長超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡; (4)生長易于控制; (5)可以生長純度很高的材料; (6)外延層大面積均勻性良好; (7)可以進行大規(guī)模生產(chǎn)。 MOCVD系統(tǒng)組成因

9、為MOCVD生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的，但一般來說,MOCVD設(shè)備是由源供給系統(tǒng)、氣體輸運和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護報警系統(tǒng)、自動操作及電控系統(tǒng)等組成。 l)源供給系統(tǒng) 包括族金屬有機化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運到反應(yīng)室。為了保證金屬有機化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒

10、溫器中，溫度控制精度可達0.2以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機化合物，另一類是氫化物，其輸運方法分別與金屬有機化合物源和氫化物源的輸運相同。 2)氣體輸運系統(tǒng) 氣體的輸運管都是不銹鋼管道。為了防止存儲效應(yīng)，管內(nèi)進行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測，保證反應(yīng)系統(tǒng)無泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時間快、精度高的質(zhì)量流量計和電磁閥、氣動閥等來實現(xiàn)。在 真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過濾器，以

11、防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent，管道。 3)反應(yīng)室和加熱系統(tǒng) 反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計上下了很大功夫，設(shè)計出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來控制溫度，一般溫度控制精度可達到0.2或更低。 4)尾氣處理系統(tǒng) 反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要

12、有高溫?zé)峤鉅t再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。 5)安全保護及報警系統(tǒng) 為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統(tǒng)。 6)手動和自動控制系統(tǒng) 一般MOCVD設(shè)備都具有手動和微機自動控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開關(guān)、各個管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問題會自動報警，是操作者能及時了解設(shè)備運轉(zhuǎn)的情況。此外，MOC

13、VD設(shè)備一般都設(shè)在具有強排風(fēng)的工作室內(nèi)。 目前全球及國內(nèi)的MOCVD系統(tǒng)隨著化合物半導(dǎo)體器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍光LED)市場的不斷擴大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長。目前國際上實力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有:德國Aixtron公司、美國的Emcore公司、英國的Thomass(1999年被Aixtron兼并)等。因為MOCVD系統(tǒng)最關(guān)鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復(fù)性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。Aixtron采用行星反應(yīng)(Planetary Reactor)，Emcore采用TurboDisc反應(yīng)室(該業(yè)務(wù)己出售

14、給Veeeo公司)、Thomas Swan(該公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反應(yīng)室。 目前國內(nèi)擁有的進口MOCVD系統(tǒng)數(shù)十臺，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數(shù)，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。MOCVD設(shè)備將或族金屬有機化合物與或族元素的氫化物相混合后通入反應(yīng)腔，混合氣體流經(jīng)加熱的襯底表面時，在襯底表面發(fā)生熱分解反應(yīng)，并外延生長成化合物單晶

15、薄膜。與其他外延生長技術(shù)相比，MOCVD技術(shù)有著如下優(yōu)點：（1）用于生長化合物半導(dǎo)體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應(yīng)室，因此，可以通過精確控制氣態(tài)源的流量和通斷時間來控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等。可以用于生長薄層和超薄層材料。 （2）反應(yīng)室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時，可以迅速進行改變，減小記憶效應(yīng)發(fā)生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進行異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格、量子阱材料的生長。 （3）晶體生長是以熱解化學(xué)反應(yīng)的方式進行的，是單溫區(qū)外延生長。只要控制好反應(yīng)源氣流和溫度分布的均勻性，就可以保證外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長，便于

16、工業(yè)化大批量生產(chǎn)。 （4）通常情況下，晶體生長速率與族源的流量成正比，因此，生長速率調(diào)節(jié)范圍較廣。較快的生長速率適用于批量生長。 （5）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進行包含該元素的材料的MOCVD生長。而可供選擇作為反應(yīng)源的金屬有機化合物種類較多，性質(zhì)也有一定的差別。 （6）由于對真空度的要求較低，反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)較簡單。 （7）隨著檢測技術(shù)的發(fā)展，可以對MOCVD的生長過程進行在位監(jiān)測。 實際上，對于MOCVD和MBE技術(shù)來說，采用它們所制備的外延結(jié)構(gòu)和器件的性能沒有很大的差別。MOCVD技術(shù)最吸引入的地方在于它的通用性，只要能夠選取到合適的金屬有機源就可以進行外延生長。而且

17、只要保證氣流和溫度的均勻分布就可以獲得大面積的均勻材料，適合進行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。 MOCVD技術(shù)的主要缺點大部分均與其所采用的反應(yīng)源有關(guān)。首先是所采用的金屬有機化合物和氫化物源價格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險性，并且，反應(yīng)后產(chǎn)物需要進行無害化處理，以避免造成環(huán)境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對反應(yīng)過程進行仔細控制以避免引入非故意摻雜的雜質(zhì)。 通常MOCVD生長的過程可以描述如下：被精確控制流量的反應(yīng)源材料在載氣（通常為H2，也有的系統(tǒng)采用N2）的攜帶下被通入石英或者不銹鋼的反應(yīng)室，在襯底上發(fā)生表面反應(yīng)后生長外延層，襯底是放置在被加

18、熱的基座上的。在反應(yīng)后殘留的尾氣被掃出反應(yīng)室，通過去除微粒和毒性的尾氣處理裝置后被排出系統(tǒng)。 （1）氣體操作系統(tǒng)： 氣體操作系統(tǒng)包括控制族金屬有機源和V族氫化物源的氣流及其混合物所采用的所有的閥門、泵以及各種設(shè)備和管路。其中，最重要的是對通入反應(yīng)室進行反應(yīng)的原材料的量進行精確控制的部分。主要包括對流量進行控制的質(zhì)量流量控制計（MFC），對壓力進行控制的壓力控制器（PC）和對金屬有機源實現(xiàn)溫度控制的水浴恒溫槽（Thor·mal Bath）。 （2）反應(yīng)室： 反應(yīng)室是MOCVD生長系統(tǒng)的核心組成部分，反應(yīng)室的設(shè)計對生長的效果有至關(guān)重要的影響。不同的MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)廠家對反應(yīng)室的設(shè)計也

19、有所不同。但是，最終的目的是相同的，即避免在反應(yīng)室中出現(xiàn)離壁射流和湍流的存在，保證只存在層流，從而實現(xiàn)在反應(yīng)室內(nèi)的氣流和溫度的均勻分布，有利于大面積均勻生長。 （3）加熱系統(tǒng)： MOCVD系統(tǒng)中襯底的加熱方式主要有三種：射頻加熱，紅外輻射加熱和電阻加熱。在射頻加熱方式中，石墨的基座被射頻線圈通過誘導(dǎo)耦合加熱。這種加熱形式在大型的反應(yīng)室中經(jīng)常采用，但是通常系統(tǒng)過于復(fù)雜。為了避免系統(tǒng)的復(fù)雜性，在稍小的反應(yīng)室中，通常采用紅外輻射加熱方式。鹵鎢燈產(chǎn)生的熱能被轉(zhuǎn)化為紅外輻射能，石墨的基座吸收這種輻射能并將其轉(zhuǎn)化回?zé)崮堋Ｔ陔娮杓訜岱绞街校瑹崮苁怯赏ㄟ^金屬基座中的電流流動來提供的。 （4）尾氣處理系統(tǒng)： 由

20、于MOCVD系統(tǒng)中所采用的大多數(shù)源均易燃易爆，雨其中的氫化物源又有劇毒，因此，必須對反應(yīng)過后的尾氣進行處理。通常采用的處理方式是將尾氣先通過微粒過濾器去除其中的微粒（如P等）后，再將其通入氣體洗滌器（Scrubber）采用解毒溶液進行解毒。另外一種解毒的方式是采用燃燒室。在燃燒室中包括一個高溫爐，可以在9001 000下，將尾氣中的物質(zhì)進行熱解和氧化，從而實現(xiàn)無害化。反應(yīng)生成的產(chǎn)物被淀積在石英管的內(nèi)壁上，可以很容易去除。GaN外延層與襯底之間的晶格失配會導(dǎo)致GaN薄膜產(chǎn)生高缺陷密度和機械應(yīng)變，而熱膨脹失GaN外延層在生長后的冷卻期間出現(xiàn)應(yīng)變，因此在選擇襯底時通常要考慮如下因素：盡量選用同列的材

21、料作為襯底；失配度越小越好；材料的熱膨脹系數(shù)相近；用于微波器件時，最好選取微波介能良好的半絕緣體襯底；用于光電器件時，最好采用低阻襯底；用于激光器時，要易于解理以形成量的腔面。目前外延GaN使用的襯底材料主要有藍寶石、SiC、Si等。4-2-1量子阱及InGaN/GaN量子阱簡介異質(zhì)結(jié)是指兩種不同半導(dǎo)體材料形成的p-n結(jié)，通常可用窄帶隙的半導(dǎo)體材料夾在中間形成。當(dāng)中間窄帶隙材料的厚度非常薄，跟德布羅意波長可比時，由于阱內(nèi)載流子的受限制將導(dǎo)致某一方向上能級的量子化，因此稱為量子阱。 當(dāng)電子與空穴復(fù)合而產(chǎn)生光時，這些光被稱為自發(fā)輻射，其光的方向如圖2.5所示，是多方向的，這就是發(fā)光二極管的發(fā)光特性

22、。目前要得到高功率LED就要得到非常高的自發(fā)輻射。為了消除晶格失配和熱失配的影響，通常在生長過程中都會在外延材料和襯底材料之間加入很薄的一個緩沖層，用于釋放晶格失配和熱失配產(chǎn)生的晶格應(yīng)力。1.擴晶，把排列的密密麻麻的晶片弄開一點便于固晶。 2.固晶，在支架底部點上導(dǎo)電/不導(dǎo)電的膠水(導(dǎo)電與否視晶片是上下型PN結(jié)還是左右型PN結(jié)而定）然后把晶片放入支架里面。 3.短烤，讓膠水固化焊線時晶片不移動。 4.焊線，用金線把晶片和支架導(dǎo)通。 5.前測，初步測試能不能亮。 6.灌膠，用膠水把芯片和支架包裹起來。 7.長烤，讓膠水固化。 8.后測，測試能亮與否以及電性參數(shù)是否達標(biāo)。 9。分光分色，把顏色和電

23、壓大致上一致的產(chǎn)品分出來。 10，包裝。 3.2.3 MOCVD技術(shù)生長GaN晶體薄膜的基本物理化學(xué)過程在GaN或其它的III族氮化物半導(dǎo)體材料的MOCVD法制備中，采用金屬有機物（MO）源作為III族元素的先驅(qū)物，采用氨氣（NH3）作為N原子的先驅(qū)物。將MO源和NH3引入反應(yīng)室，反應(yīng)氣體在高溫襯底的表面和表面附近發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并在襯底表面淀積獲得GaN或其它的III族氮化物外延材料。襯底表面和上方所發(fā)生的物理化學(xué)過程如下：（1）MO源和氨氣注入反應(yīng)室；（2）MO源與氨氣在反應(yīng)室上方充分混合，并向下輸運到襯底表面附近；（3）襯底表面附近，高溫導(dǎo)致源材料的分解和其它氣相反應(yīng)，形成對薄膜生長非常有

24、用的薄膜先驅(qū)和副產(chǎn)品；（4）薄膜先驅(qū)輸運到生長表面；（5）薄膜先驅(qū)被吸附在生長表面；（6）薄膜先驅(qū)向生長點擴散；（7）在表面，薄膜原子通過表面化學(xué)反應(yīng)相互結(jié)合進入生長薄膜中；（8）表面反應(yīng)的副產(chǎn)品從表面解吸附出來脫離表面；（9）副產(chǎn)品離開淀積區(qū)輸運到主氣流區(qū)被帶向反應(yīng)室出口。TMGa與NH3在襯底表面形成GaN的基本物理模型如圖3.1。第三節(jié) 公司產(chǎn)品介紹 外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)

25、不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來做方片，就直接做電極(P極，N極)，也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片(這里面也有好東西，如方片等)。半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。 歷史上，外延片

26、是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為220m，而襯底Si厚度為610m(150mm直徑片和725m(200mm片)。 外延沉積既可(同時)一次加工多片，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿產(chǎn)品和所有重要200 mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。外延產(chǎn)品  外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個方面，CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域，并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲器應(yīng)用

27、方面的閃速存儲器和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件。“奇異(exotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重摻雜區(qū)進行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的。  目前，200 mm晶片中，外延片占1/3。2000年，包括掩埋層在內(nèi)，用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69%，DRAM占11%，分立器件占20%。到2005年，CMOS邏輯將占55%，DRAM占30%，分立器件占15%。  LED外延片-襯底材料  襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技

28、術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面：  1結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小;  2界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強;  3化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕;  4熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小;  5導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu);  6光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小;  7機械性能好，器件容易加工，包括

29、減薄、拋光和切割等;  8價格低廉;  9大尺寸，一般要求直徑不小于2英?。  襯底的選擇要同時滿足以上九個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有三種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底以及Si襯底。評價襯底材料必須綜合考慮下列因素：  1.襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低;  2.襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的

30、匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降，還會在器件工作過程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞;  3.襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性，在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因為與外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降;  4.材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要，襯底材料的制備要求簡潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。  當(dāng)前用于GaN基LED的襯底材料比較多，但是能用于商品化的襯底目前只有三種，即藍寶石和碳化硅以及硅襯底。其它諸如GaN、ZnO襯底還

31、處于研發(fā)階段，離產(chǎn)業(yè)化還有一段距離。氮化鎵：  用于GaN生長的最理想襯底是GaN單晶材料，可大大提高外延膜的晶體質(zhì)量，降低位錯密度，提高器件工作壽命，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度。但是制備GaN體單晶非常困難，到目前為止還未有行之有效的辦法。氧化鋅：  ZnO之所以能成為GaN外延的候選襯底，是因為兩者具有非常驚人的相似之處。兩者晶體結(jié)構(gòu)相同、晶格識別度非常小，禁帶寬度接近(能帶不連續(xù)值小，接觸勢壘小)。但是，ZnO作為GaN外延襯底的致命弱點是在GaN外延生長的溫度和氣氛中易分解和腐蝕。目前，ZnO半導(dǎo)體材料尚不能用來制造光電子器件或高溫電子器件，主要是

32、材料質(zhì)量達不到器件水平和P型摻雜問題沒有得到真正解決，適合ZnO基半導(dǎo)體材料生長的設(shè)備尚未研制成功。藍寶石：  用于GaN生長最普遍的襯底是Al2O3。其優(yōu)點是化學(xué)穩(wěn)定性好，不吸收可見光、價格適中、制造技術(shù)相對成熟。導(dǎo)熱性差雖然在器件小電流工作中沒有暴露明顯不足，卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。碳化硅：  SiC作為襯底材料應(yīng)用的廣泛程度僅次于藍寶石，目前中國的晶能光電的江風(fēng)益教授在Si襯底上生長出了可以用來商業(yè)化的LED外延片。Si襯底在導(dǎo)熱性、穩(wěn)定性方面要優(yōu)于藍寶石，價格也遠遠低于藍寶石，是一種非常有前途的襯底。SiC襯底有化學(xué)穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性能好、導(dǎo)熱性能好、

33、不吸收可見光等，但不足方面也很突出，如價格太高，晶體質(zhì)量難以達到Al2O3和Si那么好、機械加工性能比較差，另外，SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來研發(fā)380納米以下的紫外LED。由于SiC襯底有益的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，可以較好地解決功率型GaN LED器件的散熱問題，故在半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域占重要地位。  同藍寶石相比，SiC與GaN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，SiC具有藍色發(fā)光特性，而且為低阻材料，可以制作電極，使器件在包裝前對外延膜進行完全測試成為可能，增強了SiC作為襯底材料的競爭力。由于SiC的層狀結(jié)構(gòu)易于解理，襯底與外延膜之間可以獲得高質(zhì)量的解理

34、面，這將大大簡化器件的結(jié)構(gòu);但是同時由于其層狀結(jié)構(gòu)，在襯底的表面常有給外延膜引入大量的缺陷的臺階出現(xiàn)。  實現(xiàn)發(fā)光效率的目標(biāo)要寄希望于GaN襯底的LED，實現(xiàn)低成本，也要通過GaN襯底導(dǎo)致高效、大面積、單燈大功率的實現(xiàn)，以及帶動的工藝技術(shù)的簡化和成品率的大大提高。半導(dǎo)體照明一旦成為現(xiàn)實，其意義不亞于愛迪生發(fā)明白熾燈。一旦在襯底等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，其產(chǎn)業(yè)化進程將會取得長足發(fā)展。 第四節(jié) 生產(chǎn)工藝流程介紹LED外延片生產(chǎn)工藝流程詳解在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍寶石和SiC，Si）上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜，這就是L

35、ED外延生長的基本原理。從LED工作原理可知，外延材料是LED的核心部分，事實上，LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延材料。外延技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在，金屬有機物化學(xué)氣相淀積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)技術(shù)生長III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。1外延片工藝基本流程如下：襯底結(jié)構(gòu)設(shè)計緩沖層生長N型GaN層生長多量子阱發(fā)光層生長P型GaN層生長退火檢測（光熒光、X射線）外延片外延片設(shè)計、加工掩模版光刻離子刻蝕N型電極（鍍膜、退火、刻蝕）P型電極（鍍膜、退火、刻蝕）劃片

36、芯片分檢、分級2生產(chǎn)工藝流程具體介紹如下： 固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。 切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。 退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300500，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護層。 倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。 分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。 研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過

37、程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。 清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機溶劑。 RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。具體工藝流程如下： SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。 DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程

38、產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。 APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。 DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。 磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、RCA清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。 腐蝕A/B：經(jīng)切片及

39、研磨等機械加工后，芯片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產(chǎn)生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。 分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。 粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在1020um。此處產(chǎn)生粗拋廢液。 精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度硅片。產(chǎn)生精拋廢液。 檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。 檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則

40、從新刷洗，直至清潔。 包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。 第二章 專業(yè)知識運用第一節(jié) 片機清機維護作業(yè)指導(dǎo)1.清機維護操作步驟1準(zhǔn)備工作：專用、乙醇、力矩扳手一套、口罩、手套、吸水紙、鋁箔、無塵布、桌布、清機用刀、專用螺絲刀、無塵布、吸塵器。2.維護操作要求：一人操作，一人確認。3.維護操作前的準(zhǔn)備： 1）關(guān)閉所有MO源手動閥（先關(guān)開口再關(guān)出口） 2）關(guān)閉手套箱的清掃。4.清機維護操作步驟： 1）打開兩面的手套箱面板，注意拆卸下的面板固定螺絲放入裝置盒不得丟棄。 2）拆下EPITT的光纖注意光纖的進出口，用鋁箔包好。注：機臺無EPITT有AUBER無需拆下。 3）檢查反應(yīng)室燈是否完好、碟閥開合角度

41、以及內(nèi)部狀態(tài)微開關(guān)是否出現(xiàn)松動。 4）在主控界面中運行BEFORE. CLEAN程序。 5）用鋁箔熱反應(yīng)室加熱燈絲上，防止顆粒竄入燈絲內(nèi)腔內(nèi)及周邊。 6）用刮刀清理SH 注意上蓋邊圈的水管，刮刀清理時一人用吸塵器吸除掉下的顆粒物，確保車間內(nèi)潔凈度。 7）結(jié)束后用無塵布擦拭干凈上蓋邊圈的密封圈以及密封接觸面，若0-RING有損壞請及時更換。 8）SH清理完成后在主界面運行AFTER CLEAN程序。 9)取出J-line關(guān)閉反應(yīng)室，將鑰匙旋轉(zhuǎn)到MAINTENANCE MODE ON（位于左面板后部上方）。擰下固定反應(yīng)腔的五個螺絲，將鑰匙從SH ENABLE扭到CHAMBER ENABLE按綠色O

42、PEN緩慢升起反應(yīng)室上蓋，用吸塵器清理內(nèi)部灰塵顆粒，然后用乙醇擦拭干凈（上端O-RING/三五旋進入口O-RING）.上下密封接觸面等。 10）取出LINE SPRING擦拭干凈后放入。 11）按CLOSE鍵緩慢降下反應(yīng)蓋，用專業(yè)力矩套筒設(shè)為20N對角擰緊固定反應(yīng)室的5個螺絲。 12）將鑰匙打至SH enable，按綠色OPEN鍵打開反應(yīng)室放入J-line右磨盤并關(guān)閉反應(yīng)腔蓋。注意:打開兩面的手套箱面板，注意拆卸下的面板固定螺絲要放入裝置盒不得丟棄。操作結(jié)束要用無塵布擦拭干凈,否則會關(guān)閉不嚴(yán)密,如果關(guān)閉不嚴(yán),打開反應(yīng)蓋用無塵布重新擦拭.第二節(jié) 取片操作1.取片將真空筆外延片從定位邊輕輕挑起，吸

43、住它的背面，真空筆不能劃過片槽內(nèi)的其他位置。若片子出現(xiàn)滑動沒有吸住，一定要將其輕推至片槽中，重新操作取完片后，清理glovebox，將內(nèi)部浮灰吸走，并用無塵布擦拭，最后將雜物拿走。監(jiān)控是同樣會遇見過很多問題亮綠燈的狀態(tài)有兩種情況要注意分析藍燈代表警告紅燈代表報警，出現(xiàn)這種狀況的時候機器立即停止。處理的這種狀況一般是先報到師傅那，然后根據(jù)師傅的指示調(diào)解機器輸片號不能用手接觸表面，用專用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作。PL測試：轉(zhuǎn)移片子時用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作，專用鑷子不能與桌面直接接觸，必須放在指定位置。EL測試：轉(zhuǎn)移片子時用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作，專用鑷子不能與桌面直接接觸，

44、必須放在指定位置。焊IN點之前，必須換上新的手套去操作，不能戴手套的手去碰自己的臉，保證接觸片子手套沒有油污。顯微鏡觀察：轉(zhuǎn)移片子時用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作，專用鑷子不能與桌面直接接觸，必須放在指定位置。質(zhì)檢部檢驗表面：轉(zhuǎn)移片子時用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作，專用鑷子不能與桌面直接接觸，必須放在指定位置。封裝選樣：需要真空包裝。外延片檢驗規(guī)范外延片檢測結(jié)果分析：正品、等外品、廢品。1） 正品：表面為鏡面，無顆粒沉積或表面顆粒沉積總數(shù)小于等于20顆EL的WLP在440470mm之間，強度平均值大于1500（襯底片為平面）或平均值大于2000（襯底片為圖形）的外延片為正品。2） 等外品

45、：位置A的外延片直接劃為等外品，EL的WLP小于440nm或者大于470nm，強度平均值小于1500大于1000（襯底片為平面）或平均值小于2000大于1500（襯底片為圖形）的外延片為等外品（有一項符合即可判定）；外延片測試過程中造成破裂碎片小于等于3片均判為等外品。3） 廢品：強度平均值小于1000（襯底片為平面）或平均值小于1500（襯底片為圖形）的外延片為廢品（有一項符合即可判定為廢品），外延片在測試過程中造成破裂碎片大于3片為廢品。正品分為以下五檔：A. 正常（表面沾污也算正常）B. 點狀：主要表現(xiàn)為外延片表面有1mm以下點狀顆粒（點狀可目視甄別），點狀顆粒少于等于20顆視為A。C.

46、 邊緣毛：主要表現(xiàn)為外延片邊緣有發(fā)毛的痕跡，圖形區(qū)距離襯底片邊緣一定距離，過渡區(qū)導(dǎo)致外延片表面有發(fā)毛現(xiàn)象，間距在2mm以上的（2mm以下視為A）。D. 霧狀（發(fā)道）：主要表現(xiàn)為顏色較正常區(qū)域淺，不確認時可用顯微鏡進行觀測。E. 發(fā)白：主要表現(xiàn)為正常區(qū)域的顏色白。注意:取片時拿盒子一定要正,否則片子會掉落.用真空吸筆取片一定要確定片子被吸住,否則會掉落報廢,如果掉落進里面,立即停止操作,請班長通知機臺長將反應(yīng)爐拆卸拿出,切忌不可隱瞞.第三節(jié) 更換MO源步驟： （1）.沖抽完畢后按照RECIPE提示關(guān)閉1/4手閥。（2）.Jump，Recipe&Abort Recipe后開始卸載舊MO源（

47、去除原使用的墊片）取出并擦拭干凈后稱量，做好各項記錄（用扳手?jǐn)Q開瓶口時需掌握好倆扳手間角度30-45°以便能手操作，同時需 另一個人穩(wěn)住源瓶，同時注意pigtail尾部連接處扭矩，以免損壞；稱重時需加源瓶進出口保護螺帽和墊片的重量。）。 (3).拆開新MO源包裝，用扳手寧開源瓶螺口，檢查源瓶口內(nèi)外附近是否有雜質(zhì)。稱重并記錄新MO源的數(shù)據(jù)、源瓶種類、源瓶編號、源瓶級別、源瓶稱重、源瓶標(biāo)重、MO凈重等。（用扳手?jǐn)Q開瓶口時需掌握好倆扳手間角度30-45°以便能手操作，同時需 另一個人穩(wěn)住源瓶）(4).在做完以上步驟同時，另一人準(zhǔn)備好He檢漏儀的安裝連接與開機（He檢漏儀的電源不能

48、漏在機臺電源上，并注意周邊電源線保證不中斷）（5）.將準(zhǔn)備好的新MO源小心放入恒漏池：1）更換潔凈手套安裝UCR墊片令其卡緊借口 連接Pigtail時注意源瓶上的進出口標(biāo)志，勿要接反，接口緊固時注意緊固程度。(6）.準(zhǔn)備檢漏，在N5手閥未打開前，確保能夠抽到真空度1E-10級別。(7).以上完畢后，He檢儀STOP,打開1/4手閥，He檢儀START,確保真空度大于2E-9級別。 (8).He檢儀示數(shù)穩(wěn)定后進行He檢，檢漏時注意真空度變化，注意:更換MO源一定要做好記錄，MO源的用量，重量，更換原因，更換種類等等。連接Pigtail時注意源瓶上的進出口標(biāo)志，勿要接反，接口緊固時注意緊固程度。第

49、四節(jié) 檢漏 1）在主界面關(guān)閉反應(yīng)室前端所在進氣口G5、G62，抽反應(yīng)腔壓力為0 2）平功緩慢打開碟閥至100% 3）接上檢漏儀開檢漏口N6待檢漏儀抽到（x10-9mbar）開始檢漏 4）確認沒有泄露后并關(guān)閉檢漏口N6，關(guān)閉檢漏儀并移走它 5）打開反應(yīng)室所有進氣口G5，G6，G11，設(shè)定進入反應(yīng)室MFC為初始值 6）緩慢打開反應(yīng)室壓力到 1000mbar 7）鑰匙旋轉(zhuǎn)到MAINT ENANCE MODE OFF. 8）復(fù)查一遍確認沒有遺漏。 9）運行BASESTATE程序與OPEN ENABLE程序 10）確定無遺漏后裝上EPIFF光纖，裝上手套箱的面板手套箱然后開啟。 11）開所有MO源（先開

50、出口再開進口） 12）清機維護結(jié)束，填寫設(shè)備日常維護點查表設(shè)備履歷表。如果示數(shù)急速上升，則表示此處有漏，則需要將接口再擰緊些再檢漏直至He檢時不再上升，注意如果有一直漏，則需要重新安裝墊片，再重復(fù)以上操作；源瓶手閥左右各一孔，接口pigtail處兩孔1/4手閥處。 (9).檢漏完畢后，關(guān)閉1/4手閥與N5閥，按檢漏儀STOP鍵，按UENT按鈕，關(guān)閉電源，拆除檢漏連接，清理現(xiàn)場，往冷阱注入防凍液，打開恒漏池電源（注意閥門關(guān)閉順序，注入防凍液時防止液凍濺出造成機器報警，注意液面高度低于恒溫槽頂5mm，檢查溫控是否正常工作，如有異常按下Reset，檢漏儀過30mm后再搬開）。(10）運行按源后Rec

51、ipe（Afrer installing new xx MO）沖抽，按照提示打開1/4手閥，按照提示關(guān)閉1/4手閥（注意檢查程序是否正確，檢查對應(yīng)的line閥是否打開）。(11)跳過程序后（Jump recipe）按照程序提示將維護模式matainance mode）跳轉(zhuǎn)至OFF程序自動結(jié)束。(12)對更換MO源值rest運行程序使reactor氣壓降至600mbar左右，開啟所有源瓶（注意先緩慢打開出口再打開進口）。(13）將reactor氣壓恢復(fù)調(diào)至1020mbar（注意在氣路圖各個源處確認所有源均以打開同時查看流量是否正常）。(14）在機器進行運行時注意要填寫以下的資料(15）填寫完之后的放片程序：放片：將右邊第一片放在A1位置，然后依次放置在B1，B2B6，然后C1，C2.D1，D2D12運行程序：在電腦端選擇要運行的程序，然后運行注意：檢漏一定要按操作順序，不可顛倒。 檢漏時要嚴(yán)格操作，無關(guān)人員不得碰觸。 檢漏是非常精密的操作，設(shè)備運行時不可再動。第三章 產(chǎn)品檢驗一輸片號不能用手接觸表面，用專用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作。 二PL（RPM BLUE）測試：轉(zhuǎn)移片子時用鑷子夾住片子邊緣3mm以內(nèi)操作，專用鑷子不能與桌面直接接觸，必須放在指定位置。 RPM_BLUE操作流程 1首先打開機器的急停按鈕，使之處于開啟狀態(tài)。