1、電子技術(shù)總復(fù)習(xí)一、填空1P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（空穴）；N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（自由電子）。2半導(dǎo)體二極管有硅管和鍺管之分。硅二極管的正向?qū)妷簽椋?.6）（0.8）V，死區(qū)電壓為（ 0.5 ）V；鍺二極管的正向?qū)妷簽椋?.2）（0.3）V，死區(qū)電壓為（ 0.1 ）V。3半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦?。加（正）向電壓時導(dǎo)通；加（反）向電壓時截至。硅二極管的正向?qū)妷簽椋?.6）（0.8）V；鍺二極管的正向?qū)妷簽椋?.2）（0.3）V。4某穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=5V，最大耗散功率PZM=100mW，則其最大穩(wěn)電流IZM=（20）mA。 5某穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=6V，最大穩(wěn)定電流

2、IZM=20mA，則其最大耗散功率PZM=（120）mW。6晶體管有（集電 ）極、（ 基 ）極和（ 發(fā)射 ）極三個電極，分別用字母（ C ）、（ B ）和（E ）表示。7晶體管的輸出特性曲線可分為（ 放大 ）區(qū)、（ 截止 ）區(qū)和（ 飽和 ）區(qū)。晶體管處于放大區(qū)的條件是發(fā)射結(jié)（ 正 ）向偏置，集電結(jié)（ 反 ）向偏置。8電子電路中的晶體管有放大、飽和截至三種工作狀態(tài)。測得某電子電路中a、b、c三個晶體管各極的電位如圖所示。則晶體管a工作于（飽和）狀態(tài)，晶體管b工作于（截止）狀態(tài)，晶體管c工作于（放大）狀態(tài)。9放大電路如圖a所示，其晶體管的輸出特性及放大電路的交、直流負載線如圖b所示，圖中Q為靜態(tài)工

3、作點。則晶體管=（50），靜態(tài)IC=（2mA），UCE=5V，電阻RB（250k），RC=（2.5k），最大不失真輸出電壓Uom=（3V）。10理想運算放大器的理想化條件是Auo（ ），rid（ ），rod（ 0 ），KCMRR（ ）。11負反饋放大電路有（串聯(lián)電壓 ）負反饋、（ 串聯(lián)電流 ）負反饋、（ 并聯(lián)電壓 ）負反饋和（ 并聯(lián)電流 ）負反饋四種類型。12正弦波振蕩電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是：（1）（相位 ）條件，即必須是（ 正 ）反饋；（2）（幅度 ）條件，即（ 1 ）。13在單相半波整流電路中，設(shè)整流變壓器副邊電壓有效值為10V，則整流電壓的平均為（ 4.5 ）V，二極管承受的最大反相電

4、壓為（ 14.1 ）V，若負載電流平均值為2A，則流過二極管的電流平均值為（4.44 ）A。14設(shè)整流變壓器副邊電壓有效值為U。單相半波整流電路整流電壓的平均值為（ 0.45 ）U，二極管承受的最大反相電壓為（ 2 ）U；單相全波整流電路整流電壓的平均值為（ 0.9 ）U，二極管承受的最大反相電壓為（ 2 2 ）U；單相橋式整流電路整流電壓的平均值為（ 0.9 ）U，二極管承受的最大反相電壓為（ 2 ）U。157頁15在圖1.1（a）的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，已知UZ=5V，晶體管T的UBE=0.7V，則UO=（ 4.3 ）V。在圖1.1（b）的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，已知UZ=5V，UXX=5V，則UO

5、=（ 10）V。16有0出1，全1出0是（ 與非 ）門的邏輯特點。17將邏輯式化簡后的結(jié)果為Y=（ A ）。18將十進制數(shù)（27）10轉(zhuǎn)換為二進制數(shù)為（ 11011 ）。19在決定一件事情的條件中，全部條件滿足結(jié)果才發(fā)生的邏輯關(guān)系稱為（ 與門 ）邏輯。20在決定一件事情的條件中，只要有一個條件滿足結(jié)果就發(fā)生的邏輯關(guān)系稱為（ 或門 ）邏輯。21測得某邏輯電路的輸入變量A、B和輸出變量Y的波形如圖1.2所示，則Y=（ AB ）。22觸發(fā)器有單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和無穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器之分。D觸發(fā)器屬于（ 雙穩(wěn)態(tài) ）觸發(fā)器，JK觸發(fā)器屬于（ 雙穩(wěn)態(tài) ）觸發(fā)器，時鐘脈沖發(fā)生器屬于（ 無穩(wěn)態(tài) ）觸發(fā)器。二、

6、選擇1對半導(dǎo)體而言，其正確的說法是（ C）。AP型半導(dǎo)體由于多數(shù)載流子為空穴，所以它帶正電； BN型半導(dǎo)體由于多數(shù)載流子為自由電子，所以它帶負電；CP型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體本身都不帶電。2附圖所示電路的二極管是理想器件，AO兩端的電壓UAO為（ C ）。A4V；B-4V；C-10V； D14V。3在圖示電路中，二極管D1、D2、D3的工作狀態(tài)為（ B ）。AD1、D2截止，D3導(dǎo)通 BD1導(dǎo)通，D2、D3截止 CD1、D2、D3均導(dǎo)通 DD1、D2、D3均截止4在圖示電路中，二極管D1、D2、D3的工作狀態(tài)為（ A ）。AD1、D2截止，D3導(dǎo)通 BD1導(dǎo)通，D2、D3截止 CD1、D2、D3均

7、導(dǎo)通 DD1、D2、D3均截止5在圖示電路中，穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V和7V，穩(wěn)壓管的正向壓降忽略不計，則UO=（ A ）。A5VB7VC0V6在圖示電路中，穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V和7V，正向壓降忽略不計，則UO=（ A ）。A5VB7VC0V7NPN型晶體管處于放大狀態(tài)的條件是各級電位（ A ）。AVCVBVEBVCVBVE CVCVBVE8PNP型晶體管處于放大狀態(tài)的條件是（ B ）。AVCVBVEBVCVBVECVCVBVE9測得某放大電路中某PNP晶體管三個極的電為分別為-9V，-6.2V，-6V，則-6.2的那個極為（ B ）極。A集電極； B基極；

8、 C發(fā)射極；10測得某放大電路中的某NPN晶體管三個極的電位分別為9V，2.5V，3.1V，則這三個極分別為（D ）。AC，B，E； BE，B，C； CE，C，B； DC，E，B。11對某電路中一個NPN晶體管進行測試，測得UBE0，UBC0，UCE0，則該管工作在（A ）。A放大區(qū)； B飽和區(qū)； C截止區(qū)。12晶體管的控制方式為（D ）。A輸入電壓控制輸出電壓； B輸入電壓控制輸出電流；C輸入電流控制輸出電壓。 D輸入電流控制輸出電流。13在固定偏置共發(fā)射極放大電路中，當(dāng)減小RB時，（ C ）。A集電極靜態(tài)電流減小，集電極與發(fā)射極之間的靜態(tài)電壓減小；B集電極靜態(tài)電流減小，集電極與發(fā)射極之間的

9、靜態(tài)電壓增大；C集電極靜態(tài)電流增大，集電極與發(fā)射極之間的靜態(tài)電壓減小；D集電極靜態(tài)電流增大，集電極與發(fā)射極之間的靜態(tài)電壓增大。14射極輸出器（A ）。A有電流放大作用，沒有電壓放大作用；B有電壓放大作用，沒有電流放大作用；C有電流放大作用，也有電壓放大作用；D沒有電流放大作用，也沒有電壓放大作用。15若將分壓式偏置放大電路中的發(fā)射極旁路電容去掉，則其交流電壓放大倍數(shù)的絕對值（ B ）。A增大； B減??； C不變。16采用差動放大電路的目的是為了（ B ）。A電壓放大B抑制零漂C增強帶負載能力17圖2.1所示的差分放大電路的電壓放大倍數(shù)Ad=為（ A ）。 A B C D18OTL功率放大電路的

10、低頻響應(yīng)（ B ）。A比OCL功率放大電路好B比OCL功率放大電路差 C與OCL功率放大電路一樣好19OCL功率放大電路的低頻響應(yīng)（ A ）。A比OTL功率放大電路好B比OTL功率放大電路差 C與OTL功率放大電路一樣好20在圖示的運算放大器電路中，IL=（ C ）。AB C21射極輸出器屬于（ B ）負反饋。A串聯(lián)電流； B串聯(lián)電壓； C并聯(lián)電流； D并聯(lián)電壓。22在圖示的運算放大器電路中，UO=（ B ）。A15VB7.5V C30V23反相比例運算電路屬于（ D ）負反饋。A串聯(lián)電流 B串聯(lián)電壓 C并聯(lián)電流 D并聯(lián)電壓24同相比例運算電路屬于（ B ）負反饋。A串聯(lián)電流 B串聯(lián)電壓 C并

11、聯(lián)電流 D并聯(lián)電壓25某測量放大電路，要求輸入電阻高，輸出電流穩(wěn)定，應(yīng)引入（ A ）負反饋。A串聯(lián)電流 B串聯(lián)電壓 C并聯(lián)電流 D并聯(lián)電壓26在單相半波整流電容濾波電路中，設(shè)整流變壓器二次電壓有效值為U，二極管承受的最大反向電壓為（ B ）U。A； B； C； D。27在下面A、B、C各圖中，Y恒為0的是圖（C ）。28與相等的為（ B ）。A B C29將化簡后得（ A ）。A B C30二進制數(shù)（101011），可轉(zhuǎn)換十進制數(shù)（ A）。A（43）10； B（33）10； C（65）10； D（23）10。31與相等的是（ B ）。A； B； C； D。三、正誤判斷題1半導(dǎo)體二極管加正向電壓

12、時一定導(dǎo)通。2半導(dǎo)體二極管加反向電壓時一定截止。3穩(wěn)壓二極的動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。4硅穩(wěn)壓二極管正向?qū)〞r的正向壓降為0.60.8V。5晶體管集電極電流超過ICM，晶體管必定損壞。6晶體管無論工作于飽和、截止還是放大狀態(tài)，其集電極電流均為基極電流的倍。7. 運算放大器無論工作在線性區(qū)還是非線性區(qū)，都有和的結(jié)論。8. 運算放大器只有工作于線性區(qū)時，才有和的結(jié)論。9. 阻容耦合放大電路既可放大交流信號，也可放大直流信號。10. 直接耦合放大電路既可放大交流信號，也可放大直流信號。11. 放大器的輸出電阻越小，負載能力越強。12. 放大器的輸入電阻越大，取信號源的電流就越小，信號源的內(nèi)阻壓降也

13、越小。13. 共發(fā)射極放大電路電壓放大倍數(shù)的絕對值總是大于1的。14. 射極輸出器具有輸入電阻大輸出電阻小的特點。15. 反相比例運算電路電壓放大倍數(shù)的絕對值既可大于1也可小于1。16.射極輸出器的反饋類型為電流串聯(lián)負反饋。17. 同相比例運算電路的電壓增益只能大于或等于1。18. 串聯(lián)負反饋增大輸入電阻，并聯(lián)負反饋減小輸入電阻。19. 電流負反饋增大輸出電阻，電壓負反饋減小輸出電阻。20.負反饋放大電路只能減小失真而不能消除失真。21.負反饋放大電路能提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性。22.負反饋放大電路能完全消除波形失真。23.在單相橋式整流電路中，無論帶電容濾波或不帶電容濾波，二極管承受的最大反向電

14、壓均為整流變壓器二次側(cè)電壓的倍。24.組合邏輯電路的輸出狀態(tài)不僅與當(dāng)前的輸入狀態(tài)有關(guān)，而且與厡輸出狀態(tài)有關(guān)。25.時序邏輯電路的輸出狀態(tài)不僅與當(dāng)前的輸入狀態(tài)有關(guān)，而且與厡輸出狀態(tài)有關(guān)。26.把或非門當(dāng)非門使用時，不用的輸入端應(yīng)接地，或把所有的輸入端接在一起，作為非門的輸入端。27.把與非門當(dāng)非門使用時，應(yīng)將多余的輸入端懸空或接高電平，或把所有的輸入端接在一起，作為非門的輸入端。28.寄存器也可以由單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器或無穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器組成。 29.計數(shù)器也可以由單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器或無穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器組成。 四、 4解析題1放大電路如圖。已知RB1=270k，RC=3k， UC=6V，UBE=0.6V，晶體管的=50。

15、（1）求靜態(tài)IB、IC和UCE；（2）求晶體管的輸入電阻rbe；（3）畫出放大電路的微變等效電路；（4）求電壓放大倍數(shù)Au；（5）求放大電路的輸入電阻ri和輸出電阻ro。解（1）（2）（3）（4） （5），2放大電路如圖2.1所示。已知V，k，k，k，k，k，UBE=0.6V。（1）估算電路的靜態(tài)工作點（IB、IC、UCE）；（2）畫出電路的微變等效電路；（3）求晶體管的輸入電阻rbe；（4）求電壓放大倍數(shù)Au；（5）求輸入電阻ri和輸出電阻ro。 解（1）（2）（3）（4）（5），3在圖示的射極輸出器中，已知RB=100k，RE=1k，RS=1k，晶體管的=100，rbe=1k。(1) 畫出

16、微變等效電路；(2) 求電壓放大倍數(shù)Au；(3) 求輸入電阻ri和求輸出電阻ro。 3試用運算放大器實現(xiàn)運算。(1) 畫出運算電路；(2) 計算各電阻的阻值(設(shè)RF=100k)。解：（1）（2），4試用運算放大器實現(xiàn)運算。(1) 畫出運算電路；(2) 計算各電阻的阻值(設(shè)RF=100k)。解：（1）（2），5模擬運算電路如圖3.3所示。試求：（1）uo1的表達式；（2）uo2的表達式；（3）uo的表達式。6模擬運算電路如圖所示。試求：（1）uo1的表達式；（2）uo2的表達式。7整流電路如圖所示。試求：（1）整流電壓平均值UO1和UO2；（2）二極管D1、D2、D3中的平均電流ID1、ID2、ID3；（3）二極管D1、D2、D3承受的最高反向電壓UDRM1、UDRM2、UDRM3。8求圖示直流穩(wěn)壓電路輸