1、第二章第二章 放大器的根本原理放大器的根本原理第一節(jié)第一節(jié) 晶體二極管晶體二極管第二節(jié)第二節(jié) 晶體三極管晶體三極管第三節(jié)第三節(jié) 根本放大電路根本放大電路第四節(jié)第四節(jié) 射極輸出器射極輸出器第五節(jié)第五節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路第一節(jié)第一節(jié) 晶體二極管晶體二極管一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性二、二、PN結(jié)及其單導(dǎo)游電性結(jié)及其單導(dǎo)游電性三、晶體二極管及其特性三、晶體二極管及其特性*四、特殊二極管四、特殊二極管*一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 1. 半導(dǎo)體半導(dǎo)體(semiconductor) 半導(dǎo)體的物理特性半導(dǎo)體的物理特性 物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電性能分為物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電性能分為 導(dǎo)

2、導(dǎo) 體體 絕緣體絕緣體 半導(dǎo)體半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干具有獨(dú)特的性質(zhì)。半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干具有獨(dú)特的性質(zhì)。溫度升高時(shí)，純真的半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干顯著添溫度升高時(shí)，純真的半導(dǎo)體的導(dǎo)電才干顯著添加；加； 在純真半導(dǎo)體資料中參與微量的在純真半導(dǎo)體資料中參與微量的“雜質(zhì)元素雜質(zhì)元素，它的電導(dǎo)率就會(huì)成千上萬倍地增長(zhǎng)；，它的電導(dǎo)率就會(huì)成千上萬倍地增長(zhǎng)； 純真的半導(dǎo)體遭到光照時(shí)，導(dǎo)電才干明顯提高純真的半導(dǎo)體遭到光照時(shí)，導(dǎo)電才干明顯提高。 簡(jiǎn)化原子構(gòu)造模型如圖的簡(jiǎn)化方式。簡(jiǎn)化原子構(gòu)造模型如圖的簡(jiǎn)化方式。+4慣性核慣性核價(jià)電子價(jià)電子硅和鍺的簡(jiǎn)化原子模型硅和鍺的簡(jiǎn)化原子模型半導(dǎo)體的晶體構(gòu)造半導(dǎo)體的晶體構(gòu)造 單晶半導(dǎo)體構(gòu)造特

3、點(diǎn)單晶半導(dǎo)體構(gòu)造特點(diǎn) 共價(jià)鍵共價(jià)鍵:由相鄰兩個(gè)原子各拿出一個(gè)價(jià)電子組成由相鄰兩個(gè)原子各拿出一個(gè)價(jià)電子組成價(jià)電子對(duì)所構(gòu)成的聯(lián)絡(luò)。價(jià)電子對(duì)所構(gòu)成的聯(lián)絡(luò)。 晶體共價(jià)鍵構(gòu)造平面表示圖晶體共價(jià)鍵構(gòu)造平面表示圖+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價(jià)鍵共價(jià)鍵2.2.半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理 本 征 半 導(dǎo) 體 本 征 半 導(dǎo) 體 I n t r i n s i c Semiconductor 純真的、構(gòu)造完好的單晶半導(dǎo)體純真的、構(gòu)造完好的單晶半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。，稱為本征半導(dǎo)體。 物質(zhì)導(dǎo)電才干的大小取決于其中能物質(zhì)導(dǎo)電才干的大小取決于其中能參與導(dǎo)電的粒子參與導(dǎo)電的粒子載流子的多少。載流子的多少

4、。 在本征半導(dǎo)體中，激發(fā)出一個(gè)自在電子，同時(shí)便在本征半導(dǎo)體中，激發(fā)出一個(gè)自在電子，同時(shí)便產(chǎn)生一個(gè)空穴。電子和空穴總是成對(duì)地產(chǎn)生，稱產(chǎn)生一個(gè)空穴。電子和空穴總是成對(duì)地產(chǎn)生，稱為電子空穴對(duì)。為電子空穴對(duì)。 本征激發(fā)本征激發(fā)Intrinsic Excitation 產(chǎn)生本征激發(fā)的條件：加熱、光照及射線照射。產(chǎn)生本征激發(fā)的條件：加熱、光照及射線照射。 空穴的運(yùn)動(dòng)本空穴的運(yùn)動(dòng)本質(zhì)上是價(jià)電子質(zhì)上是價(jià)電子填補(bǔ)空穴而構(gòu)填補(bǔ)空穴而構(gòu)成的。成的。BA空穴自在電子自在電子晶體共價(jià)鍵構(gòu)造平面表示圖晶體共價(jià)鍵構(gòu)造平面表示圖+4+4+4+4+4+4+4+4+4C共價(jià)鍵共價(jià)鍵 由于空穴帶正電荷，且可以在原子間挪動(dòng)，由于空穴

5、帶正電荷，且可以在原子間挪動(dòng)，因此，空穴是一種載流子因此，空穴是一種載流子(carrier)(carrier)。 半導(dǎo)體中有兩種載流子：自在電子載流子半導(dǎo)體中有兩種載流子：自在電子載流子簡(jiǎn)稱電子和空穴載流子簡(jiǎn)稱空穴，簡(jiǎn)稱電子和空穴載流子簡(jiǎn)稱空穴， 它們均可在電場(chǎng)作用下構(gòu)成電流。它們均可在電場(chǎng)作用下構(gòu)成電流。 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體l本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率很小，而且受溫度和光本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率很小，而且受溫度和光照等條件影響甚大，不能直接用來制造半導(dǎo)照等條件影響甚大，不能直接用來制造半導(dǎo)體器件。體器件。 l本征半導(dǎo)體的物理性質(zhì)：純真的半導(dǎo)體中摻本征半導(dǎo)體的物理性質(zhì)：純真的半導(dǎo)體中摻入微量元素，導(dǎo)電才干

6、顯著提高。入微量元素，導(dǎo)電才干顯著提高。 l摻入的微量元素?fù)饺氲奈⒘吭亍半s質(zhì)。雜質(zhì)。 l摻入了摻入了“雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為“雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體。常用的雜質(zhì)元素常用的雜質(zhì)元素 三價(jià)的硼、鋁、銦、鎵三價(jià)的硼、鋁、銦、鎵 五價(jià)的砷、磷、銻五價(jià)的砷、磷、銻 經(jīng)過控制摻入的雜質(zhì)元素的種類和數(shù)量來制成經(jīng)過控制摻入的雜質(zhì)元素的種類和數(shù)量來制成各種各樣的半導(dǎo)體器件。各種各樣的半導(dǎo)體器件。 雜質(zhì)半導(dǎo)體分為：雜質(zhì)半導(dǎo)體分為：N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體(Negative Type Semiconductor )l在本征半導(dǎo)體中參與微量的五價(jià)元素，在本征半

7、導(dǎo)體中參與微量的五價(jià)元素，可使半導(dǎo)體中自在電子濃度大為添加，可使半導(dǎo)體中自在電子濃度大為添加，構(gòu)成構(gòu)成N型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 l摻入的五價(jià)雜質(zhì)原子占據(jù)晶體中某些硅摻入的五價(jià)雜質(zhì)原子占據(jù)晶體中某些硅或鍺原子的位置。如下圖?；蜴N原子的位置。如下圖。N型半導(dǎo)體晶體構(gòu)造表示圖型半導(dǎo)體晶體構(gòu)造表示圖 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共價(jià)鍵共價(jià)鍵 摻入五價(jià)原子摻入五價(jià)原子摻入五價(jià)摻入五價(jià)原子占據(jù)原子占據(jù)Si原子位置原子位置 在 室 溫 下在 室 溫 下就可以激發(fā)就可以激發(fā)成自在電子成自在電子 P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體(Positive Type Semiconductor ) 在本征半導(dǎo)體

8、中參與微量的三價(jià)元素，可使在本征半導(dǎo)體中參與微量的三價(jià)元素，可使半導(dǎo)體中的空穴濃度大為添加，構(gòu)成半導(dǎo)體中的空穴濃度大為添加，構(gòu)成P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 空位空位AP型半導(dǎo)體晶體構(gòu)型半導(dǎo)體晶體構(gòu)造表示圖造表示圖+4+4+4+4+4+3+4+4+4共價(jià)鍵共價(jià)鍵空位吸引臨近空位吸引臨近原子的價(jià)電子填原子的價(jià)電子填充，從而留下一充，從而留下一個(gè)空穴。個(gè)空穴。在在P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中，空穴數(shù)等于中，空穴數(shù)等于負(fù)離子數(shù)與自在負(fù)離子數(shù)與自在電子數(shù)之和，空電子數(shù)之和，空穴帶正電，負(fù)離穴帶正電，負(fù)離子和自在電子帶子和自在電子帶負(fù)電，整塊半導(dǎo)負(fù)電，整塊半導(dǎo)體中正負(fù)電荷量體中正負(fù)電荷量相等，堅(jiān)持電中相等，堅(jiān)持電中性

9、。性。 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和分散運(yùn)動(dòng)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和分散運(yùn)動(dòng) 漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng) 有電場(chǎng)力作用時(shí)，電子和空穴便產(chǎn)生定向運(yùn)有電場(chǎng)力作用時(shí)，電子和空穴便產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)，稱為漂移運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流稱為動(dòng)，稱為漂移運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流稱為漂移電流。漂移電流。 分散運(yùn)動(dòng)分散運(yùn)動(dòng) 由于濃度差而引起的定向運(yùn)動(dòng)稱為分散運(yùn)動(dòng)，由于濃度差而引起的定向運(yùn)動(dòng)稱為分散運(yùn)動(dòng)，載流子分散運(yùn)動(dòng)所構(gòu)成的電流稱為分散電流。載流子分散運(yùn)動(dòng)所構(gòu)成的電流稱為分散電流。二、二、 PN結(jié)及其單導(dǎo)游電性結(jié)及其單導(dǎo)游電性 PN結(jié)結(jié)(PN Junction )： 是指在是指在P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處構(gòu)型半導(dǎo)體的交界處構(gòu)成的

10、空間電荷區(qū)。成的空間電荷區(qū)。 PN結(jié)是構(gòu)成多種半導(dǎo)體器件的根底。結(jié)是構(gòu)成多種半導(dǎo)體器件的根底。 二極管的中心是一個(gè)二極管的中心是一個(gè)PN結(jié)；三極管中包含結(jié)；三極管中包含了兩個(gè)了兩個(gè)PN結(jié)。結(jié)。 l濃度差引起載流子的分散。濃度差引起載流子的分散。 l 1. PN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成 l分散的結(jié)果構(gòu)成自建電場(chǎng)。分散的結(jié)果構(gòu)成自建電場(chǎng)?？臻g電荷區(qū)也稱作空間電荷區(qū)也稱作 “耗盡區(qū)耗盡區(qū) “勢(shì)壘區(qū)勢(shì)壘區(qū) 自建電場(chǎng)阻止分散，加強(qiáng)漂移。自建電場(chǎng)阻止分散，加強(qiáng)漂移。 動(dòng)態(tài)平衡。動(dòng)態(tài)平衡。 分散分散=漂移漂移 2.PN2.PN結(jié)的導(dǎo)電特性結(jié)的導(dǎo)電特性 PN結(jié)的單導(dǎo)游電性結(jié)的單導(dǎo)游電性 PN結(jié)外加正向電壓結(jié)外加正向電

11、壓 如下圖，電源的正極接如下圖，電源的正極接P區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接N區(qū)，這種接區(qū)，這種接法叫做法叫做PN結(jié)加正向電壓結(jié)加正向電壓或正向偏置。或正向偏置。lPN結(jié)外加正向電壓時(shí)結(jié)外加正向電壓時(shí)P正、正、N負(fù)，空間負(fù)，空間電荷區(qū)變窄。電荷區(qū)變窄。 l l不大的正向電壓，產(chǎn)生相當(dāng)大的正向電流。不大的正向電壓，產(chǎn)生相當(dāng)大的正向電流。 l l外加電壓的微小變化，分散電流變化較大。外加電壓的微小變化，分散電流變化較大。 PN結(jié)外加反向電壓結(jié)外加反向電壓 電源的正極接電源的正極接N區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接P區(qū)，這種接區(qū)，這種接法叫做法叫做PN結(jié)加反向電壓或反向偏置。結(jié)加反向電壓或反向偏置。 lPN結(jié)加反向電壓時(shí)

12、，空間電荷區(qū)變寬，自結(jié)加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，自建電場(chǎng)加強(qiáng)，多子的分散電流近似為零。建電場(chǎng)加強(qiáng)，多子的分散電流近似為零。 l反向電流很小，它由少數(shù)載流子構(gòu)成，與少反向電流很小，它由少數(shù)載流子構(gòu)成，與少子濃度成正比。子濃度成正比。 l少子的值與外加電壓無關(guān)，因此反向電流的少子的值與外加電壓無關(guān)，因此反向電流的大小與反向電壓大小根本無關(guān)，故稱為反向大小與反向電壓大小根本無關(guān)，故稱為反向飽和電流。飽和電流。 l溫度升高時(shí)，少子值迅速增大，所以溫度升高時(shí)，少子值迅速增大，所以PN結(jié)結(jié)的反向電流受溫度影響很大。的反向電流受溫度影響很大。PN結(jié)的反向擊穿結(jié)的反向擊穿 l 加大加大PNPN結(jié)的反向電壓

13、結(jié)的反向電壓到某一值時(shí)，反向電到某一值時(shí)，反向電流忽然劇增，這種景流忽然劇增，這種景象稱為象稱為PNPN結(jié)擊穿，發(fā)結(jié)擊穿，發(fā)生擊穿所需的電壓稱生擊穿所需的電壓稱為擊穿電壓，如下圖為擊穿電壓，如下圖。 l 反向擊穿的特點(diǎn)：反反向擊穿的特點(diǎn)：反向電壓添加很小，反向電壓添加很小，反向電流卻急劇添加。向電流卻急劇添加。UBRUV ImA 0 圖圖 PN結(jié)反向擊穿結(jié)反向擊穿 雪崩擊穿、齊納擊穿雪崩擊穿、齊納擊穿 雪 崩 擊 穿 通 常 發(fā) 生 在 摻 雜 濃 度 較 低 的雪 崩 擊 穿 通 常 發(fā) 生 在 摻 雜 濃 度 較 低 的 P N 結(jié) 中 。結(jié) 中 。(UBR6v)齊 納 擊 穿 通 常 發(fā)

14、 生 在 摻 雜 濃 度 較 高 的齊 納 擊 穿 通 常 發(fā) 生 在 摻 雜 濃 度 較 高 的 P N 結(jié) 中 。結(jié) 中 。(UBR6v)雪崩擊穿和齊納擊穿均為電擊穿。雪崩擊穿和齊納擊穿均為電擊穿。 熱擊穿熱擊穿 熱擊穿那么為破壞性擊穿，這時(shí)熱擊穿那么為破壞性擊穿，這時(shí)PN結(jié)的耗散功率已結(jié)的耗散功率已超越允許值。超越允許值。 三、晶體二極管及其特性三、晶體二極管及其特性1.半導(dǎo)體二極管的構(gòu)造和類型半導(dǎo)體二極管的構(gòu)造和類型 在在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。管。按構(gòu)造分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三按構(gòu)造分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。大類

15、。 (1)點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積結(jié)面積小，結(jié)電容小，小，結(jié)電容小，用于檢波和變用于檢波和變頻等高頻電路。頻等高頻電路。(a)(a)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 二極管的構(gòu)造表示圖二極管的構(gòu)造表示圖 PN結(jié)面積大，結(jié)面積大，用于工頻大電流整用于工頻大電流整流電路。流電路。(c)(c)平面型平面型 往往用于往往用于集成電路制造中。集成電路制造中。PN 結(jié)面積可大結(jié)面積可大可小，用于高頻可小，用于高頻整流和開關(guān)電路整流和開關(guān)電路中。中。n (3) 平面型二極管 n (2)面接觸型二極管面接觸型二極管 n(4) 二極管的代表符號(hào)二極管的代表符號(hào) (b)(b)面接觸型面接觸型陽極陽極陰極陰極半導(dǎo)體

16、二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片2. 二極管的伏安特性二極管的伏安特性 二極管的伏安特性曲線可用下式表示二極管的伏安特性曲線可用下式表示t (a)二極管實(shí)際伏安特性二極管實(shí)際伏安特性CDoBAUBRuDiDb b2CP10-202CP10-20的伏安特性曲線的伏安特性曲線iDmAuDV0 1 2 -100 -200 20 40 60 80 -20 -10 -30 uA7520c c2AP152AP15的伏安特性曲線的伏安特性曲線iDmAuDV0 0.4 -40 -80 20 40 80 -0.2 -0.1 -0.3 60 0.8 IS ：反向飽和電流：反向飽和電流UT ：溫度的電壓當(dāng)量：溫度的電壓當(dāng)

17、量在常溫在常溫(300 K)下，下， UT 26 mV 正向特性正向特性 死區(qū)電壓：硅管死區(qū)電壓：硅管 0.5V 鍺管鍺管 0.1V 線性區(qū)：硅管線性區(qū)：硅管 0.6V1V 鍺管鍺管 0.2V0.5V 對(duì)溫度變化敏感：對(duì)溫度變化敏感： 溫度升高溫度升高正向特性曲線左移正向特性曲線左移 溫度每升高溫度每升高1正向壓降正向壓降 減小約減小約2mV。 (a)二極管實(shí)際伏安特性二極管實(shí)際伏安特性正正向向特特性性CDoBAUBRuDiD 反向特性反向特性 反向電流：很小。反向電流：很小。 硅管硅管 0.1微安微安 鍺管鍺管 幾十個(gè)微安幾十個(gè)微安 受溫度影響大：受溫度影響大： 溫度每升高溫度每升高10 反

18、向電流添加約反向電流添加約1倍。倍。 反向擊穿特性反向擊穿特性 反向擊穿反向擊穿UBR:幾十伏以幾十伏以上。上。 (a)二極管實(shí)際伏安特性二極管實(shí)際伏安特性反向反向擊穿擊穿特性特性CDoBAUBRuDiD反向反向特性特性3. 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) 最大整流電流最大整流電流IF 最大反向任務(wù)電壓最大反向任務(wù)電壓UR 反向電流反向電流IR 最高任務(wù)頻率最高任務(wù)頻率fM 理想二極管等效電路理想二極管等效電路uDiD0 DK理想二極管等效電路理想二極管等效電路 可以忽略二極管的正向壓降和反向電流，把二極可以忽略二極管的正向壓降和反向電流，把二極管理想化為一個(gè)開關(guān)，如下圖。管理想化為一個(gè)開關(guān)

19、，如下圖。4. 二極管的等效電路及運(yùn)用二極管的等效電路及運(yùn)用 思索正向壓降的等效電路思索正向壓降的等效電路l 近似以為二極管正導(dǎo)游通時(shí)有一個(gè)固定的管近似以為二極管正導(dǎo)游通時(shí)有一個(gè)固定的管壓降壓降UD硅管取硅管取0.7V，鍺管取，鍺管取0.2V，于是，于是可用一固定電壓源來等效正導(dǎo)游通的二極管?？捎靡还潭妷涸磥淼刃д龑?dǎo)游通的二極管。 l 當(dāng)外加電壓當(dāng)外加電壓U0且且uUR+UD時(shí)，時(shí)，二極管二極管D導(dǎo)通，開封鎖合，輸出電壓導(dǎo)通，開封鎖合，輸出電壓uO = UR十十UD。 當(dāng)當(dāng)uUR+UD時(shí)，二極管時(shí)，二極管D截止，開關(guān)斷開，輸出截止，開關(guān)斷開，輸出電壓電壓uO=u。b 畫出畫出uO的波形。電路

20、將輸出電壓限制在的波形。電路將輸出電壓限制在UR+UD以下，可以采用理想二極管等效電路來進(jìn)展分析，以下，可以采用理想二極管等效電路來進(jìn)展分析，那么那么uO的波形將近似在的波形將近似在UR電壓以上削頂。電壓以上削頂。bZZZIUrc1. 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管亦稱齊納二極管穩(wěn)壓二極管亦稱齊納二極管(Zener Diode)(Zener Diode)，與普通二極管不同之處是它正常任務(wù)在與普通二極管不同之處是它正常任務(wù)在PNPN結(jié)結(jié)的反向擊穿區(qū)。因其具有穩(wěn)定電壓作用，故的反向擊穿區(qū)。因其具有穩(wěn)定電壓作用，故稱為穩(wěn)壓管稱為穩(wěn)壓管Voltage RegulatorVoltage Regulat

21、or。 四、特殊二極管四、特殊二極管 它的伏安特性與二極管根本一樣，只是穩(wěn)壓管正常任它的伏安特性與二極管根本一樣，只是穩(wěn)壓管正常任務(wù)時(shí)是利用特性曲線的反向擊穿區(qū)。務(wù)時(shí)是利用特性曲線的反向擊穿區(qū)。 電流改動(dòng)而電壓根本不變的特性稱為穩(wěn)壓特性，穩(wěn)電流改動(dòng)而電壓根本不變的特性稱為穩(wěn)壓特性，穩(wěn)壓管就是利用這一特性任務(wù)的。壓管就是利用這一特性任務(wù)的。 U I OUZ IZ UZ IZ IZM b陰極陰極陽極陽極a穩(wěn)壓管的符號(hào)和特性曲線如下圖。穩(wěn)壓管的符號(hào)和特性曲線如下圖。穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)： (1)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZ UZ是穩(wěn)壓管反向擊穿后的穩(wěn)定任務(wù)電壓值。是穩(wěn)壓管反向擊穿后的穩(wěn)定任務(wù)電

22、壓值。 同一型號(hào)的管子，穩(wěn)定電壓值有一定的分同一型號(hào)的管子，穩(wěn)定電壓值有一定的分散性。散性。(2)穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZIZ是穩(wěn)壓管任務(wù)時(shí)的參考電流數(shù)值，是穩(wěn)壓管任務(wù)時(shí)的參考電流數(shù)值，手冊(cè)上給出的穩(wěn)定電壓和動(dòng)態(tài)電阻都是指在這手冊(cè)上給出的穩(wěn)定電壓和動(dòng)態(tài)電阻都是指在這個(gè)電流下的值。個(gè)電流下的值。 (3)動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻rZ rZ是穩(wěn)壓管在穩(wěn)定任務(wù)范圍內(nèi)管子兩端是穩(wěn)壓管在穩(wěn)定任務(wù)范圍內(nèi)管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流變化量之比即電壓的變化量與相應(yīng)電流變化量之比即 rZ越小，表示穩(wěn)壓作用越好。一個(gè)穩(wěn)壓管越小，表示穩(wěn)壓作用越好。一個(gè)穩(wěn)壓管rZ的大的大小與任務(wù)電流有關(guān)，任務(wù)電流越大，小與任務(wù)電流有關(guān)，任務(wù)電流越大，rZ越小。越小。(4)額定功耗額定功耗PZM PZM是由管子允許溫升限定的最大功率損耗。是由管子允許溫升限定的最大功率損耗。 (5)電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù) l 溫度變化溫度變化1時(shí)，穩(wěn)定電壓變化的百分?jǐn)?shù)，定義為電時(shí)，穩(wěn)定電壓變化的百分?jǐn)?shù)，定義為電壓溫度系數(shù)。它是表示穩(wěn)壓管溫度穩(wěn)定性的參數(shù)。壓溫度系數(shù)。它是表示穩(wěn)壓管溫度穩(wěn)定性的參數(shù)。l 電壓溫度系數(shù)越小，溫度穩(wěn)定性越好。電壓溫度系數(shù)越小，溫度穩(wěn)