1、 SM7022 SM7022 內(nèi)部方框圖 管腳說(shuō)明名稱(chēng)管腳序號(hào)管腳說(shuō)明GND 1,2 芯片地,同時(shí)也是內(nèi)置高壓MOS管SOURCE端口FB 3 反饋輸入端口VDD 4 芯片電源端,工作電壓范圍可達(dá)9V39VDRAIN 5,6,7,8 內(nèi)置高壓MOS管的DRAIN,同時(shí)芯片啟動(dòng)時(shí),也做芯片的啟動(dòng) 極限參數(shù)極限參數(shù)(TA= 25符號(hào)說(shuō)明范圍單位V DS(max芯片DRAIN腳最高耐壓-0.3730 VV DS(ST芯片啟動(dòng)時(shí),DRAIN腳最高耐壓-0.3400 V VDD 芯片電源電壓-0.339 VI vdd嵌位電流10 mA I FB最大反饋電流 3 mA V ESD ESD電壓4000 VT

2、 J結(jié)溫-40150 T STG存儲(chǔ)溫度-55150 熱阻參數(shù)符號(hào)說(shuō)明SM7022 單位R thJA熱阻(1 45 /W注(1:芯片要焊接在有200mm2銅箔散熱的PCB板,銅箔厚度35um,銅箔連接到所有的GND腳。電氣工作參數(shù)(除非特殊說(shuō)明,下列條件均為T(mén) A=25,VDD=18V符號(hào)說(shuō)明條件范圍單位最小典型最大BV DS漏源擊穿電壓730 V I DSS DRAIN端關(guān)斷態(tài)漏電流0.1 mA R DS(on源漏端導(dǎo)通電阻I D=0.2A 12 Ohm V DDON VDD開(kāi)啟電壓13 14.5 16 V V DDOFF VDD關(guān)閉電壓7 8 9 V V DDHYS VDD遲滯閾值電壓 6

3、.5 V V DDOVP VDD過(guò)壓保護(hù)閾值39 V I DD1VDD工作電流I FB=2.0mA 0.4 mA I DD2VDD工作電流I FB=0.5mA;I D=50mA 1.0 mA I DDCH芯片充電電流V DS=100V; VDD=5V -220 uAF OSC芯片振蕩頻率60 KHzG ID I FB/I DRAIN增益560I LIMIT峰值電流閾值V FB=0V 700 mA I FBSD FB關(guān)斷電流0.9 mA R FB FB輸入電阻I D=0mA 1.23 Kohm T LEB前置消隱時(shí)間300 nS T ON(min最小導(dǎo)通時(shí)間700 nS T OVT過(guò)溫保護(hù)溫度1

4、50 T HYS過(guò)溫遲滯閾值溫度30 功能表述 電路圖說(shuō)明上圖中D1-D4、C2組成全波整流,D6、R1、C3組成RCD 吸收回路,消除變壓器T2漏感產(chǎn)生的尖峰電壓,避免擊穿SM7022內(nèi)部的高壓MOS 管。輸出部分U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8組成采樣反饋電路,R5、R6決定系統(tǒng)的輸出電壓,輸出電壓VOUT 等于:2.5V R6R6R5V OUT +=R3、R4限制U2光耦PC817B 的電流,避免影響反饋回路。C8的加入使得系統(tǒng)反饋更加穩(wěn)定,避免振蕩。 VDD 電壓部分SM7022芯片工作電壓范圍寬,達(dá)到9V39V ,此特性可以很方便的應(yīng)用在某些特殊的領(lǐng)域,比如電池充電器等。當(dāng)開(kāi)

5、關(guān)電源啟動(dòng)后,C2電容上的電壓會(huì)通過(guò)T2原邊線(xiàn)圈、芯片內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng)MOS 管向芯片VDD 電容C4充電。當(dāng)C4電容電壓達(dá)到16V ,內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)MOS 管關(guān)閉,同時(shí)PWM 開(kāi)啟,系統(tǒng)開(kāi)始工作。當(dāng)C4電容電壓下降到9V 以下,關(guān)閉PWM 信號(hào),同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào),使系統(tǒng)重新啟動(dòng)。這就是欠壓保護(hù)。 FB 部分 通過(guò)高壓MOS 的電流I D 分成兩個(gè)部分,其中一部分為I S ,這部分電流為芯片采樣電流。I S 與I D 成比例關(guān)系:S ID D I G =I通過(guò)上圖可知:V R I I FB S 23.02(=+,由此可以得到:-FBS I -2R V230=I . 以上公式合并,可得到:S

6、M7022 AC/DC PWM 功率開(kāi)關(guān) v1.6 I D = G ID ( 0.23V - IFB R2 如果將 FB 腳對(duì)地短接，此時(shí) IFB 的電流等于： I FB = - 0.23V R1 1 1 + R1 R 2 再將上式合并，最終得到 IDLIM： I DLIM = G ID 0.23V ( 然而在實(shí)際應(yīng)用中，F(xiàn)B 腳是上拉的方式接入到 VDD，不可能對(duì)地短路。當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)或者短路時(shí)，此時(shí) FB 腳的電壓比較接近于 0V，通過(guò)內(nèi)部高壓 MOS 管漏極電流則為最大值 IDLIM。 IFB = - 0.23V R1 GID = ID IFB 從上圖可以看出，IFB 電流大，ID 的電流就

7、小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD 時(shí)， 芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這對(duì)于系統(tǒng)工作在空載或者輕 載至關(guān)重要。 u 過(guò)壓保護(hù) 當(dāng)芯片 VDD 的電壓超過(guò) VDDOVP 時(shí)，會(huì)觸發(fā)內(nèi)部復(fù)位信號(hào)，導(dǎo)致系統(tǒng)重新啟動(dòng)。 注：如需最新資料或技術(shù)支持，請(qǐng)與我們聯(lián)系 -6- SM7022 AC/DC PWM 功率開(kāi)關(guān) v1.6 u 典型應(yīng)用方案 12V/0.8A 反激電源應(yīng)用方案 原理圖： F1 D1 LT 1 R1 D5 LT 2 1 T1 C3 D7 C6 L1 12V/0.8A C X1 R T1 D2 D4

8、 C1 D3 C2 C7 D6 8 C Y1 GND D RAIN SM7022 2 GND FB VD D D RAIN 7 C4 3 4 D RAIN D RAIN 6 R4 R3 R5 R6 R7 5 C5 U1 R2 U2 C8 U3 R8 BOM 清單： 位號(hào) CX1 C1 C2 C3 C4 C5 C6、C7 參數(shù) X 電容 10uF/400V 15uF/400V 102/1KV 103 10uF/50V 470uF/35V 位號(hào) C8 D1、D2 D3、D4 D5、D6 D7 LT L1 參數(shù) 104 IN4007 IN4007 FR107 SR3100 UU9.8 3uH 位號(hào) R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 參數(shù) 100K/1W 9.1K 100 270 1K 47K 33K 位號(hào) R8 U1 U2 U3 F1 Y1 RT1 參數(shù) 5.1K