1、電子元件基礎知識杭州技師學院內部培訓資料汪振中編1.電阻（正確的叫法為電阻器）1. 電阻的實物外形如下圖示： m S甞左* ilKTL'卜J 72.電阻在底板上用字母 R （Resistor）表示圖形如下表示:MW3.從結構分有：固定電阻器和可變電阻器電阻的分類：1從材料分有：碳膜電阻器、金屬膜電阻器、線繞電阻器、熱敏電阻等從功率分有：1/16W、1/8W、1/4W （常用）、1/2W、1W、2W、3W 等4.電阻的單位及換算:1 MQ （兆歐姆）=1000 KQ （千歐姆）=1000 000 Q （歐姆）r 一種為直接用數字表示出來5.電阻阻值大小的標示:r四道色環電阻其中均有一I一

2、種是用顏色作代碼間接表示出來 < 五道色環電阻 >道色環為誤I六道色環電阻J差值色環顏色黑棕紅橙黃綠藍rtrL紫灰白金銀無數值01234567890.10.01誤差值± 1%± 2%± 5%± 10%± 20%6.電阻顏色環代碼表:四道色環電阻的色環順序的識別方法 如右圖：橙橙黑金常用五道色環電阻的誤差值色環 顏色是金色或銀色，即誤差值色環 為第四道色環，其反向的第一道色 環為第一道色環。四道色環電阻阻值的計算方法：阻值=第一、二道色環顏色代表的數值 X 10第三道色環顏色所代表的數值 即上圖電阻的阻值為：3 3 X 10°

3、; = 33 Q （歐姆）第三道色環顏色決定此電阻的單位，其關系如下:銀色零點幾幾Q歐姆金色幾點幾Q歐姆黑色幾十幾Q歐姆棕色幾百幾十Q歐姆紅色幾點幾KQ千歐姆橙色幾十幾KQ千歐姆黃色幾百幾十KQ千歐姆綠色幾點幾MQ兆歐姆藍色幾十幾MQ兆歐姆四道色環電阻阻值的快速讀取方法： 第一、二道色環顏色所代表的數值不變,其中第一個幾表示色環電阻當中的第一個色環代表的數值第二個幾表示色環電阻當中的第二個色環代表的數值五道色環電阻的色環順序識別如右圖:常用五道色環電阻的誤差值色 環顏色是棕色或紅色，即第五道色環 就是誤差色環，第五道色環的顏色環 與其它顏色環相隔較疏，如右圖所 示，第五道色環的反向第一道色即為

4、 第一道色環。五道色環電阻阻值的計算方法：阻值=第一、二、三道色環顏色所代表的數值即上圖電阻阻值為：4 4 0 X 10 -2 = 4.4 Q （歐姆）4MMik.p.第四道色環顏色所代表的數值X 10五道色環電阻阻值的快速讀取方法：第一、二、三道色環顏色所代表的數值不變，第四道色環即決定此電阻的單位，其關系如下:銀色幾點幾幾Q歐姆金色幾十幾點幾Q歐姆黑色幾百幾十幾Q歐姆棕色幾點幾幾KQ千歐姆紅色幾十幾點幾KQ千歐姆橙色幾百幾十幾KQ千歐姆黃色幾點幾幾MQ兆歐姆綠色幾十幾點幾MQ兆歐姆7在底板上即插機時不用分方向其中第一個幾表示色環電阻當中的第一色環所代表的數值 第二個幾表示色環電阻當中的第二

5、色環所代表的數值 第三個幾表示色環電阻當中的第三色環所代表的數值7.電阻的方向性:補：電阻值標注方法1.直標法：直標法是將電阻器的標稱值用數字和文字符號直接標在電阻體上，其允許偏差則用百分數表示，末 標偏差值的即為±20%的允許偏差。1,允許偏差見表2。2.文字符號法：文字符號法是將電阻器的標稱值和允許偏差值用數字和文字符號法按一定的規律組合標志在電阻 體上。電阻器的標稱值的單位標志符號見表允許偏差(±0.001±0.002±0.005±0.01±0.02±0.05±0.1±0.25文字符號YXELPWB

6、C允許偏差(%)±.5±1±±0±0±30文字符號DFGJKMN注：大多數電阻器的允許偏差值J、M三類。6.2愆例如：6R2J表示該電阻標稱值為則表示電阻值為 1.5MQ，允許偏差為 ±20%。允許偏差為±5%; 3K6K表示電阻值為 3.6K Q,允許偏差為±10%; 1M5M表1電阻值文字符號單位及進位關系名稱RQ (100)歐姆KKQ (103)千歐MMQ (106)兆歐GGQ (109)吉歐TTQ (1012)太歐表2II3.色標法：普通的電阻器用四色環表示，精密電阻用五色環表示。緊靠電阻體一端頭

7、的色環為第一環，露著電 阻體本色教多的另一端頭為末環。4.數碼標志法：在產品和電路圖上用三為數字來表示元件的標稱值的方法稱之為數碼標志法。常見于貼片電阻 或進口器件上。在三位數碼中，從左至右第一、二位數表示電阻標稱值的第一、二位有效數字，第三位數為倍率10n的“n'（即前面兩位數后加“ 0的個數），單位為Q。例如標識為222的電阻器，其阻值為 2200 Q既2.2K Q;表識為105的電阻器為1MQ ;標志為47的電阻器阻值為4.7 Q。需要注意的是要將這種標志法與傳統的方法區別開 來：如標志為220的電阻器其電阻為 22Q，只有標志為221的電阻器其阻值才為 220Q。標志為0或00

8、0的電阻 器，實際是跳線，阻值為0Q。在一些微調電阻器阻值的標志法除了用三位數字外還有用兩位數字的。如標志為53表示5, 14和54分別表示10和50。一些精密貼片電阻器也有用四位數字表示法，如1005表示10等。、電容（正確的叫法為電容器）1. 電容的實物外形如下圖所示：Qis®i A 八老：2. 電容在底板上用字母 C表示，圖形如下表示:173.電容的分類I從構造上分有：從結構上分有：固定電容和可調電容有極性電容：電解電容、鉭電容等無極性電容：云母電容、紙質電容、瓷片電容（扁仔）（微法）=1012 pF （皮法）4. 電容的標稱有容量和耐壓之分電容容量的單位及換算：1 F （法拉

9、）=106 uFf 一種用數字直接標示出來5. 電容容量的標示一種用色環作代碼接表示出來（其原理和色環電阻識別一樣）用數字直接標示方法如下圖:100 uF / 25V47 uF / 25VO.OluF上圖扁仔的標示是用103來表示的其算法如下:« IKIH rtf0.01uF / 1KV 0.022uF / 250V10 X 103 = 0.01 uF = 10000 pF另電容的耐壓表示此電容只能在其標稱的電壓范圍內使用，如超過使用電壓范圍否則 會損壞炸裂或失效。6. 電容的方向性：在底板上即插機時有極性電容要分方向，無極性電容不用分方向。詳見附圖。三、晶體管（一）、晶體二極管1.

10、 晶體二極管的實物外形如下圖:13. 二極管在底板上用字母D、ZD、LED表示，圖形如下表示:卜2-按構造分有：硅二極管和鍺二極管4二極管的分類 < 按種類分有：整流二極管（IN4001）、開關二極管（IN4148）、穩壓二 I極管（4.7V）、發光二極管、雙向二極管、光電二極管等5. 二極管的標稱方法：用字母和數字直接表示出來，每一個型號代表不同的用途。6二極管的識別：一般整流二極管的封裝是黑色的，穩壓二極管玻璃封裝的，發光二極管是塑料封裝的。（如附圖所示）7. 二極管的方向性：在底板上即插機時要分方向；其分法如下圖所示：（三）晶體三極管1 .晶體三極管的實物外形如下圖:2.晶體三極管

11、在底板上用字母 BG表示圖形如下圖表示:G QNPN PNP從結構上分有:3.三極管的分類從頻率上分有:L從功率上分有:硅三極管和鍺三極管，當中又分 PNP型和NPN型 低頻管、高頻管、超高頻管小功率管、中功率管、大功率管4. 三極管的標稱方法：直接用字母和數字表示出來，不同型號代表不同的用途。5. 三極管的方向性：在底板上即插機時要分方向；三極管的極性有a基極、b集電極 c發射極，此三個極一般不能從外觀鑒別，只能用儀表測量出來。補充：三極管、場效應管晶體三極管的結構和類型晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的P

12、N結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區引出相應的電極，分別為基極發射區和基區之間的 PN結叫發射結，集電區和基區之間的三極管發射區-發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致， 動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。管和鍺晶體三極管都有 PNP型和NPN型兩種類型。b發射極e和集電極CoPN結叫集電結。 故發射極箭頭向里； 發射極箭頭指向也是PNP型基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶

13、體三極引腳的排列方式具有一定的規律，如圖對于小功率金屬封裝三極管， 按e b C；對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向e be。O三極管的封裝形式和管腳識別常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，圖示底視圖位置放置，使三個引腳構成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為 自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為圖2対常用晶體三的帥®S引腳排列在使用中不確定管腳排列的三極管，必須進行測量確定各目前，國內各種類型的晶體三極管有許多種，管腳的排列不盡相同，管腳正確的位置，或查找晶體管使用手冊，明確三極管的特性及相應的技術參數和資料。晶體三極管的電流放大作用晶體三極管具有電流放大作用，其

14、實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將 de/ Il的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數，用符號“3表示。電流放大倍數對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。晶體三極管的三種工作狀態截止狀態：當加在三極管發射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當于開關的斷開狀態，我們稱三極管處于截止狀態。放大狀態：當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并處于某一恰當的值時，三極管的發射結正向偏置，集電結反向偏

15、置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數片 Ic/ ，這時三極管處放大狀態。飽和導通狀態：當加在三極管發射結的電壓大于 PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基 極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電 極和發射極之間相當于開關的導通狀態。三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。根據三極管工作時各個電極的電位高低，就能判別三極管的工作狀態，因此，電子維修人員在維修過程中，經常要拿多用電表 測量三極管各腳的電壓，從而判別三極管的工作情況和工作狀態。使用多

16、用電表檢測三極管三極管基極的判別：根據三極管的結構示意圖，我們知道三極管的基極是三極管中兩個PN結的公共極，因此，在判別三極管的基極時，只要找出兩個 PN結的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調至電阻擋的RX1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表 筆換到三極管的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一 個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多沒量12次，總可以找到基極。三極管類型的判別：三極管只有兩種

17、類型，即PNP型和NPN型。判別時只要知道基極是P型材料還N型材料即可。當用多用電表RX1k擋時，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時導通，則說明三極管的基極為P型材料，三極管即為NPN型。 如果紅表筆接基極導通，則說明三極管基極為N型材料，三極管即為PNP型。電子三極管在弗萊明為改進無線電檢波器而發明二極管的同時，美國物理學博士弗雷斯特也在潛心研究檢波器。正當他的研究步步深入時， 傳來了英國的弗萊明發明成功真空二極管的消息，使他大受震動。是改弦易轍還是繼續下去呢？他想到弗萊明的二極管可用于整流 和檢波，但還不能放大電信號。于是，德弗雷斯特又經過兩年的研制，終于改進了弗萊明的二極管，作出了新

18、的發明。在二極管的陰極和陽極中間插入第三個具有控制電子運動功能的電極（棚極）。棚極上電壓的微弱信號變化，可以調制從陰極流向陽極的電流,因此可以得到與輸入信號變化相同，但強度大大增加的電流。這就是德弗雷斯特發明的三極管的放大”作用。1912年，德弗雷斯特又成功地做了幾個三極管的連接實驗，得到了比單個三極管大得多的放大能力。很快，德弗雷斯特研制出 第一個電子放大器用于電話中繼器，放大微弱的電話信號，他是在電話中使用電子產品的第一人。此外，三極管還可振蕩產生電磁 波，也就是說，所以，國外許多人都將三極管的發明看作是電子工業真正的誕生。MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為 其主要

19、特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層, 溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極 增強型是指：當 Vgs=0時管子是呈截止狀態，加上正確的 導電溝道。耗盡型則是指，當 轉向截止。MOSFET （ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor ），屬于絕緣柵型。因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Q）。它也分N溝道管和PS接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂Vgs后，多數載流子被吸引到柵極，從而增強”了該區域的載流子，形成以N溝道為例，它是在 P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區 與襯

20、底在內部連通，二者總保持等電位。圖電源正極，源極接電源負極并使 Vgs=0時，溝道電流（即漏極電流） 區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的 道管開始導通，N+和漏擴散區N+，再分別引出源極 S和漏極D。源極 1（ a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從 P型材料（襯底）指身 N型溝道。當漏接 Id=0。隨著Vgs逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散N型溝道，當Vgs大于管子的開啟電壓 Vtn （一般約為+2V）時，N形成漏極電流 ID。°IfiS0 0（H）國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1 （雙柵管）。它們

21、的管腳排列（底視圖）見圖2。VGS=0時即形成溝道，加上正確的Vgs時，能使多數載流子流出溝道，因而耗盡”了載流子，使管子MOS場效應管比較 嬌氣”這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C ），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。下面 介紹檢測方法。1 .準備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體

22、與大地保持等電位。2 .判定電極將萬用表撥于RX100檔, 的電阻值應為幾百歐至幾千歐, 與管殼接通，據此很容易確定3 檢查放大能力（跨導）再把管腳分開，然后拆掉導線。首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是 S極。日本生產的3SK系列產品，S極S極。將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸 G極，表針應有較大的偏轉。 雙柵MOS場效應管有兩個柵極 G1、 G2。為區分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了

23、保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了。VMOS場效應管MOS場效應管。它是繼 MOSFET之后新發VMOS場效應管（VMOSFET ）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為 V型槽 展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（A108W）、驅動電流小（左右 0.1 rA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓 1200V ）、工作電流大（1.5A100A）、輸出功率高（1250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。 正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍 數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS

24、場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯 片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點：第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是 從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極 D。電流方向如圖中箭 頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化 硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型 MOS場效應管。典型產品有IRFPTSO國內生產VMOS場效應管的主要廠家有 877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等,VN4

25、01、VN672、VMPT2等。表1列出六種 VMOS管的主要參數。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。F面介紹檢測VMOS管的方法。1.判定柵極G將萬用表撥至RX1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大, 并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2 .判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3.測量漏-源通態電阻RDS （on）將G-S極短路，

26、選擇萬用表的 RX1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同， 測出的RDS (on)值比手冊中給出的典型值要高一些。 例如用500型萬用表RX1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS ( on) =3.2W，大于 0.58W (典型值)。4 .檢查跨導將萬用表置于RX1k (或RX100 )檔，紅表筆接S極，黑表筆接 管子的跨導愈高。D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大,注意事項：(1) VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于 N(2) 有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的(3) 目前市場上還有一種 V

27、MOS管功率模塊，專供交流電機調速器、有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。(4) 現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。1、2項不再適用。逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部PDM=30W，共源小信號低頻跨導 gm=2000gSo適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140X140X4( mm)的散熱器后，最大功率才能達到 30W場效應晶體管場效應

28、晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。108109Q)、噪聲小、功耗低、沒有二次場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與 其它電極完全絕緣 而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱 MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管 MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的 n MOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體材料的不同，結型和

29、絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。耗盡型與增場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而 MOS場效應晶體管又分為 N溝耗盡型和增強型;和增強型四大類。見附圖 1。P溝耗盡型nos晶體管蹈耗盡型瞄熠強型r溝増強型興號-襯底貉場族應 晶體管MOS場效應晶體管使用注意事項。MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括 MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨

30、便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫 紙包裝2. 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。6. 電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。場效應管的測試。下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法:3DJ型結型場效應管可

31、看作一只 NPN型的晶體三極管，柵極 G對應基極b,漏極D對應集電極c,源極S對應發射極e。所以只要 像測量晶體三極管那樣測 PN結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極，紅表筆分別接另D £2D外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是場效應管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極。對結型場效應管而言，漏極和源極 可以互換。對于有 4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。目前常用的結型場效應管和 MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖 所示。硅管、鍺管的判別硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時應加以區別。我們知道，硅 管和鍺管的PN結正向

32、電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管 的小。利用這一特性就可以用萬用表來判別一只晶體管是硅管還是鍺 管。判別方法如下: 電池的正極。 （數字式表的紅表筆接電源正極）將萬用表撥到R*100擋或R*1K擋。測量二極管時，萬用表的正端接二極管的負極，負端接二極管的正極；測量管時，萬用表的負端接基極，正端接集電極或發射極；測量 PNP型的三極管時，萬用表的正端接基極，負端接集電極或發射極。 按上述方法接好后，如果萬用表的表針指示在表盤的右端或靠近滿刻度的位置上（即阻值較小），那么所測的管子是硅管。果萬用表的表針在表盤的中間或偏右一點的位置上（即阻值較大）測判三極管的口訣三極管的管型及管腳的判別是電

33、子技術初學者的一項基本功, 找基極；PN結，定管型；順箭頭，偏轉大；測不準，動嘴巴。為了幫助讀者迅速掌握測判方法,”下面讓我們逐句進行解釋吧。NPN型的三極，那么所測的管子是鍺管；如筆者總結出四句口訣：三顛倒,一、 三顛倒，找基極 大家知道，三極管是含有兩個 PN結的半導體器件。根據兩個型的三極管，圖1是它們的電路符號和等效電路。測試三極管要使用萬用電表的歐姆擋，并選擇RX100或RX1k擋位。紅表筆所連接的是表內電池的負極，黑表筆則連接著表內PN結連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導電類假定我們并不知道被測三極管是 NPN 型還是 PNP 型，也分不清各管腳是什么電極。測試的第

34、一步是判斷哪個管腳是基極。這 時，我們任取兩個電極 （如這兩個電極為 1、2），用萬用電表兩支表筆顛倒測量它的正、反向電阻，觀察表針的偏轉角度；接著，再 取 1、3兩個電極和 2、3兩個電極，分別顛倒測量它們的正、反向電阻，觀察表針的偏轉角度。在這三次顛倒測量中，必然有兩次 測量結果相近：即顛倒測量中表針一次偏轉大，一次偏轉小；剩下一次必然是顛倒測量前后指針偏轉角度都很小，這一次未測的那 只管腳就是我們要尋找的基極。PN 結，定管型找出三極管的基極后，我們就可以根據基極與另外兩個電極之間 PN 結的方向來確定管子的導電類型。將萬用表的黑表筆接觸 基極，紅表筆接觸另外兩個電極中的任一電極，若表頭

35、指針偏轉角度很大，則說明被測三極管為NPN 型管；若表頭指針偏轉角度很小，則被測管即為 PNP型。順箭頭，偏轉大e 呢 ?這時我們可以用測穿透電流 ICEO 的方法確定集電極 c 和發射找出了基極b,另外兩個電極哪個是集電極 c，哪個是發射極 極 e。Rce和Rec,雖然兩次測量中萬用表指針偏轉角度都很小，但仔細TC極Tb極Te極T紅表筆，電流流向正好與三極管符號中的箭 紅表筆所接的一定是發射極e。（1）用萬用電表的黑、紅表筆顛倒測量兩極間的正、反向電阻 觀察，總會有一次偏轉角度稍大，此時電流的流向一定是：黑表筆 頭方向一致 （“順箭頭 ”，）所以此時黑表筆所接的一定是集電極 c，e極Tb極T

36、C極T紅表筆，其電流流向也與 e,紅表筆所接的一定是集電極c。（2）對于PNP型的三極管，道理也類似于 NPN型，其電流流向一定是：黑表筆 三極管符號中的箭頭方向一致，所以此時黑表筆所接的一定是發射極四、 測不出，動嘴巴若在“順箭頭，偏轉大 ”的測量過程中，若由于顛倒前后的兩次測量指針偏轉均太小難以區分時，就要“動嘴巴 ”了。具體方法是：在順箭頭，偏轉大”的兩次測量中，用兩只手分別捏住兩表筆與管腳的結合部，用嘴巴含住（或用舌頭抵住）基電極b，仍用順箭頭,偏轉大”的判別方法即可區分開集電極 c與發射極e。其中人體起到直流偏置電阻的作用，目的是使效果更加明顯。高頻管和低頻管的判別 高頻管和低頻管因

37、其特性和用途不同而一般不能互相代用。這里介紹如何用萬用表來快速判別它高頻管與低頻管。判別方法為：首先用萬用表測量三極管發射極的反向電阻，如果是測量 PNP 型管，萬用表的負端接基極，正端接發射極；如果是測量 NPN 型管，萬用表的正端接基極，負端接發射極。然后用萬用表的R*1KQ擋測量，此時萬用表的表針指示的阻值應當很大，一般不超過滿刻度值的1/10。再將萬用表轉換到 R*10KQ擋，如果表針指示的阻值變化很大，超過滿刻度值的1/3，則此管為高頻管；反之，如果萬用表轉換到 R*10KQ擋后，表針指示的阻值變化不大，不超過滿刻度值的1/3，則所測的管子為低頻管。場效應晶體管的好壞的判斷。先用MF10型萬用表R*100KQ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Q擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。