1、1濕法刻蝕2濕法刻蝕的特點優點：選擇比高（一般高于100：1） 生產速率高 設備比較便宜缺點: 各向同性，不適合形成3um以下的圖形 化學試劑用量大，并且污染環境 氣泡形成及化學蝕刻液無法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻3濕法刻蝕的用處曾經在特征尺寸大于3um的時代廣泛使用，現在被干法刻蝕替代現在用于： 漂去氧化膜 去除殘留物 無圖形薄膜的去除 大尺寸圖形刻蝕4二氧化硅的濕法刻蝕HF酸溶液（極高的選擇比）化學反應:SiO2 + 6HF H2SiF6(氟硅酸) + 2H2O 氫氟酸對二氧化硅的蝕刻速率相當高，在制程上很難控制，因此在實際應用上都是使用稀釋后的氫氟酸溶液，或是添加氟化

2、銨作為緩沖劑的混合液，來進行二氧化硅的蝕刻典型的緩沖氧化硅蝕刻液(BOE : Buffer Oxide Etcher)(體積比6:1之氟化銨(40%)與氫氟酸(49%)對于高溫成長氧化層的蝕刻速率約為1000/min。5 Si 濕法刻蝕呢 ？6Si的濕法刻蝕 在半導體制程中，單晶硅與復晶硅的蝕刻通常利用硝酸與氫氟酸的混合液來進行。此反應是利用硝酸將硅表面氧化成二氧化硅，再利用氫氟酸將形成的二氧化硅溶解總反應式：Si + HNO3（濃） + 6HF =H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O上述的反應中可添加醋酸作為緩沖劑，以抑制硝酸的解離。而蝕刻速率的調整可藉由改變硝酸與氫氟酸的比例，

3、并配合醋酸添加與水的稀釋加以控制（注：單純的濃硝酸不能和硅片直接反應，因為反應生成的SiO2薄膜會阻擋反應繼續進行）7氮化硅的濕法刻蝕熱 (150 to 200 C) (85%)H3PO4溶液對硅、二氧化硅有高選擇比。 應用于 “硅的局部氧化”（LOCOS） 和 STI氮化硅去除。Si3N4 + 4 H3PO4 Si3(PO4)4 + 4NH3其蝕刻速率與氮化硅的成長方式有關，以PVD輔助CVD形成之氮化硅，由于組成結構(SixNyHz相較于Si3N4) 較以高溫低壓化學氣相沉積方式形成之氮化硅為松散，因此蝕刻速率較快許多。但在高溫熱磷酸溶液中光阻易剝落，因此在作氮化硅圖案蝕刻時，通常利用二氧

4、化硅作為屏蔽。一般來說，氮化硅的濕式蝕刻大多應用于整面氮化硅的剝除。對于有圖案的氮化硅蝕刻，最好還是采用干式蝕刻為宜。8鋁的濕法刻蝕80% 磷酸, 5% 乙酸, 5% 硝酸和 10 % 水的熱溶液 (42 to 45C)2Al+6（H+）=2（Al+）+3H2蝕刻反應的機制是藉由硝酸將鋁氧化成為氧化鋁，接著再利用磷酸將氧化鋁予以溶解去除，如此反復進行以達蝕刻的效果。溫度越高蝕刻速率越快，一般而言蝕刻速率約為1000-3000 /min，而溶液的組成比例、不同的溫度及蝕刻過程中攪拌與否都會影響到蝕刻的速率。濕式蝕刻鋁的同時會有氫氣泡的產生，這些氣泡會附著在鋁的表面，而局部地抑制蝕刻的進行，造成蝕

5、刻的不均勻性，可在蝕刻過程中予于攪動或添加催化劑降低接口張力以避免這種問題發生。9鈦的濕法刻蝕1:1 雙氧水 (H2O2) 和酸 (H2SO4) 混合溶液。Ti+2H2O2+2H2SO4=Ti(SO4)2+4H2O雙氧水會和Si反應生成SiO2，如需保護Si，則要阻擋層。 自對準鈦硅化物的形成10光刻膠的濕法刻蝕 光刻膠濕法刻蝕方法比較多，大體分為兩種 氧化去膠氧化去膠 溶劑去膠11氧化去膠氧化去膠-H-H2 2SOSO4 4/H/H2 2O O2 2工藝工藝該去膠工藝主要是利用H2SO4/H2O2的強氧化性，將膠中的主要成分C、H氧化形成CO2和H2O，從而達到去膠的目的。藥液配比： H2S

6、O4（濃）：H2O2=10：1（體積比）120（+-10）H2SO4/H2O2去膠工藝不適用于AL后去膠12氧化去膠工藝氧化去膠工藝-SC1-SC1工藝工藝藥液配比：NH4OH：H2O2：H2O1：1：5或1：2：10（體積比）去膠原理：SC-1液中的H2O2具有很強的氧化性，可以把有機物和無機物等雜質氧化成高價離子和氧化物而清除。氨水是充當絡合劑的作用，與雜質離子形成絡合物溶于水中被清除。由于NH4OH易揮發、H2O2易分解，因此，該藥液的有效時間較短，目前，規定換液2小時（1：1：5，75+-5 ）或12小時（1：2：10，50+-5 ）內有效；該去膠工藝主要用于SDG、POLY及SD注入后的去膠清洗（即干法去膠后去表面的膠絲或POLYMER清洗）13 溶劑去膠溶劑去膠