1、測控1131班 模電題目一、填空題1、 RC正弦波振蕩電路由 放大電路 、 正反饋網(wǎng)絡 、 選頻網(wǎng)絡 和穩(wěn)幅環(huán)節(jié)四部分組成。2、PN結(jié)最重要的特性是_單向?qū)щ娦訽，它是一切半導體器件的基礎(chǔ)。3、半導體三極管按結(jié)構(gòu)可分為_ PNP _型和_ NPN_型二類。4、 有源濾波器按其工作頻率不同可分為 低通 、 高通 、 帶通 和 帶阻 四種類型。5、晶體三極管屬于 電流 控制器件，而場效應管屬于 電壓 控制器件。6、 同相放大電路 和反向放大電路是兩種最基本的線性應用電路。7、同相放大電路中，輸出通過負反饋的作用，使Vn自動地跟蹤Vp，使VpVn，這種現(xiàn)象稱為 虛短 。8、當負載電阻R=1

2、k時，電壓放大電路輸出電壓比負載開路（R=）時輸出電壓減少20%，則該放大電路的輸出電阻Ro為 250 。9、根據(jù)實際應用所要求的輸入信號和輸出信號之間的關(guān)系，放大電路可分為 電壓放大、電流放大、 互阻放大和互導放大 四種類型。10、在如圖所示單電源互補對稱電路中，設VCC=12V，RL=8，C的電容量很大，vi為正弦波，在忽略管子飽和壓降VCES情況下，該電路的最大輸出功率Pom= 2.25W 11、濾波電路用于濾去整流輸出電壓中的紋波，一般由 電抗 元件組成，如在負載電阻兩端并聯(lián)電容器。12、二極管正向偏置時，其正向?qū)娏饔?#160; 多數(shù)載流子 的擴散運動形成。13、雜質(zhì)半導體中的少

3、數(shù)載流子濃度取決于 溫度     14、硅穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時，工作于 反向電擊穿狀態(tài)   二、選擇題1、差動放大電路的輸入電壓ui1=10mv,ui2=0mv,它的共模和差模輸入電壓uic和uid分別是（A）。 A 5mv 10mv B 10mv 5mv C 5mv 5mv D 10mv 10mv2、在橋式整流電路中，若整流橋中有一個二極管開路，則輸出（A ) A 輸出電壓只有半周波形B 輸出電壓仍為全波波形C 輸出電壓無波形，且變壓器或整流管可能燒壞D 對電路無實質(zhì)性影響3、集成運放的互補輸出級采用 (B)A共基接法

4、 B共集接法C 共射接法D 差分接法4、 N型半導體主要是依靠（ A ）導電的半導體。A電子 B.空穴 C.三價硼元素 D.五價銻元素5、某放大器電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入12K的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（ C ）A10K B.2K C4K D.3K6、多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比,其通頻帶（ B ）A變寬 B. 變窄 C. 不變 D. 與單級放大電路有關(guān)7、

5、為了使高內(nèi)阻信號源與低阻負載能很好地配合,可以在信號源與低阻負載間接入（ C ）A 共發(fā)射極電路 B. 共基極電路C. 共集電極電路 D. 共集-共基串聯(lián)電路8、放大電路中三極管的發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，則三極管處于：（ B ） A.飽和狀態(tài) B.截止狀態(tài) C. 放大狀態(tài) D.不確定 9、差分放大電路的差模信號是兩個輸入信號的（A） A.差 B.和 C.平均值 D.直流分量 10、在一個放大電路中，測得某三極管各極對地的電位為U1=3V，U2=3V，U3=2.7V，則可知該管為（ A ）。A. PNP鍺管 B. N

6、PN硅管 C. NPN鍺管 D. PNP硅管11、放大電路中三極管的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏，則三極管處于：（ A ） A.飽和狀態(tài) B.截止狀態(tài) C. 放大狀態(tài) D.不確定12、放大電路中三極管的發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，則三極管處于：（B ） A.飽和狀態(tài) B.截止狀態(tài) C. 放大狀態(tài) D.不確定13、通過測量得到電路中三極管的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏，則三極管處于：（ A ）A.飽和狀態(tài) B.截止狀態(tài) C. 放大狀態(tài) D.反向放大14、在一個放大電路中，測得某三極管各極對地的電位為U1=12V，U2=4V，U3=3.3V，則可知該管為（ B ）。A PNP鍺管 BNPN硅管 CNPN鍺管 DP

7、NP硅管15、集成運算放大電路中，中間級一般采用共射電路，其目的是 （ D ）A抑制零點漂移 B減小輸出阻抗 C阻抗匹配 D提高電壓放大倍數(shù)16、兩級放大電路，Au1= -20，Au2= 50，若輸入電壓Ui=5mv，則輸出電壓Uo為（ C）A-200mv B-250mV C-5V D5V17、為更好的抑制零漂移，集成運放的輸入級大多采用( B )A直接耦合電路 B差動放大電路 C阻容耦合電路 D反饋放大電路18、同相比例運算電路的一個重要特點是（ D ）。A反相輸入端為“虛地” B輸入電阻較反相比例運算電路的小C電流并聯(lián)負反饋 D存在共模輸入電壓19、有源濾波電路的分類不包括下面哪一種 (

8、A )A 低阻濾波電路 B 高通濾波電路 C 帶通濾波電路 D 帶阻濾波電路三、判斷題1.微變等效電路不能進行靜態(tài)分析，也不能用于功放電路分析。 (）2.甲類乙類和甲乙類功放電路均存在有交越失真。 （×）3.引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 (）4、本征電導體是一種完全純凈的，結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體。（）5、半導體的電導率與材料內(nèi)單位體積中所含的電荷載流子的數(shù)目有關(guān)。電荷載流子的濃度越高，其電導率越高。 （）6、半導體內(nèi)載流子的濃度取決于材料的基本性質(zhì)、溫度值以及雜質(zhì)的存在。（）7、空穴的出現(xiàn)是半導體區(qū)別于導體的一個重要特點。 （）8、空穴移動的方向和電子移動的方向是相反的。 （）9

9、、在本征半導體中，共價鍵空穴或束縛電子移動產(chǎn)生電流的根本原因是由于共價鍵出現(xiàn)空穴引起的。 （）10、空穴越多，半導體中的載流子數(shù)目就越多，因此形成的電流就越大。（）11、PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾挥性诩油怆妷簳r才顯現(xiàn)出來。 （）12、PN結(jié)的單向?qū)щ娦躁P(guān)鍵在于它的耗盡區(qū)的存在，且其寬度隨外加電壓而變化。（）13、溫度升高時，半導體的反向電流也隨之增加。 （）14、穩(wěn)壓管正常工作時，都處于反向擊穿狀態(tài)， （）15、放大電路可分為四種類型 電壓放大 電流放大 互導放大 互導放大 （ ）16、電壓負反饋電流可以穩(wěn)定輸出電壓，但不一定能穩(wěn)定輸出電流 。（  ）17、理想運算放大

10、器在應用時總是具有“虛斷”和“虛短”特性。（ × ）18、乙類放大器的效率高于甲類，輸出功率也高于甲類。（ × ）19、發(fā)光二極管工作在正偏壓工作狀態(tài) 。（  ）20、若放大電路的放大倍數(shù)為負則引入的反饋一定是負反饋。（ × ） 21、若放大電路引入負反饋則負載電阻變化時輸出電壓基本不變。（ × ）22、 一個實際集成運放，其開環(huán)增益越高，輸入阻抗越小，共模抑制比越高，就越接近理想運放。 （ × ） 23、截止頻率是指通帶和阻

11、帶的界限頻率。 （ ）24、差分式放大電路對差模信號有很強的抑制能力。 （ × ）25、根據(jù)實際應用所要求的輸入信號和輸出信號之間的關(guān)系，放大電路可分為電壓放大、電流放大、互阻放大和互導放大四種類型。 (）四、計算題1. 一限幅電路如題圖1.1所示，R=1k,VREF=3V,二極管為硅極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解以下兩問：（1）vI=0V、4V、6V時，求相應的輸出電壓vo的值；（2）當vI=6sinwt(V)時，繪出相應的輸出電壓vo的波形。（15分） R + D + vI vo - VREF - 題圖1.1解：（1）理想模型電路圖如圖1.1（a）所示： 圖1.1（a）當v

12、I=0V時，二極管截止，所以vo=vI=0；當vI=4V時，二極管導通，所以vo=VREF=3V；當vI=6V時，同理，vo=VREF=3V。 （3分）恒壓降模型如圖圖1.1（b）所示：硅二極管VD=0.7V R + + vI D vo VD - VREF - 圖1.1（b）當vI=0V時，二極管截止，所以vo=vI=0；當vI=4V時，二極管導通，所以vo=VREF+0.7V=3.7V；當vI=6V時，同理，vo=VREF+0.7V=3.7V。 （4分）（2） 由于所加輸入電壓為振幅等于6的正弦電壓，正半周有一段幅值大于VREF。對于理想模型，當vI<=VREF時，vo=vI；當vI&

13、gt;VREF時，vo=VREF=3V （4分）對于恒壓降模型，當vI<=（VREF+VD)時，vo=vI；當vI>（VREF+VD)時，vo=VREF+0.7V=3.7V. （4分）2、電路如圖所示，A1、A2為理想運放，電容的初始電壓Vc(0) = 0。（1）寫出Vo與VI1、VI2和VI3之間的關(guān)系式；（2）寫出當電路中電阻R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = R 時，輸出電壓Vo的表達式。（10分）解：（1）、A1組成差分式運算電路，A2組成積分電路。A1的輸出電壓為Vo1 = （R3/(R2+R3)）*（1+R4/R1）*VI2(R4/R1)*VI1

14、 （3分）A2的輸出電壓為 （2分）（2）、當R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = R 時Vo1=VI2VI1 （2分） （3分）3、BJT的輸出特性如圖所示。求該器件的值；當ic=10mA和ic=20mA時，管子的飽和壓降Vces為多少? （15分）解：當iB=10A時，iC=2mA,故=iC/iB=200 （5分）當iC=10mA時，Vces0.3V （5分）當iC=20mA時，Vces0.8V （5分）4、如圖是一高輸入阻抗交流電壓表電路，設A、D都為理想器件，被測電壓i=Vi sint。（15分）（1）當i瞬時極性為正時，標出流過表頭M的電流方向，說明哪幾個二極管

15、導通；（2）寫出流過表頭M電流的平均值的表達式；（3）表頭滿刻度電流為100A，要求當Vi=1V時，表頭的指針為滿刻度，試求滿足次要求的電阻R的值；（4）若將1V的交流電壓表改為1V的直流電壓表，表頭指針為滿刻度時，電路參數(shù)R應如何改變？ 解：（1）i的瞬時極性為正時，二極管D1、D3導通，電流從A流向B (2分)（2）流過表頭M的電流平均值IM（平均值）=（0.9Vi）/R (2分)（3）R=9k (3分)（4）IM=100R=10k (3分)5、一放大電路的開環(huán)電壓增益為Avo=104，當它接成負反饋放大電路時，其閉環(huán)電壓增益為Avf=50，若Avo變化10%，問Avf變化多少？（10分）

16、解：由閉環(huán)增益公式：Avf=A/(1+AF) (1分)對兩邊求導dAvf / dA =(1+AF)-AF/(1+AF)2=1/(1+AF)2 (2分)故dAvf= dA/（1+AF）2 (2分)dAvf/Avf= dA/A(1+AF)=A vf dA /A2 (2分)dAvf/Af=Avf dA /AvoA=50/104*10%=0.05% (3分)6、電路如圖所示，Re1=Re2=100，BJT的=100，VBE=0.6V，電流源動態(tài)輸出電阻ro=100K。（1） 當Vi1=0.01V、V i2=-0.01V時，求輸出電壓V o=Vo1 Vo2的值；（2）當c1、c2間接入負載電阻RL=5.

17、6k時，求Vo 的值。（12分）解：（1）、當Vi1=0.01V、V i2=-0.01V時，Io=2mA Ic1=1/2I0=2/2mA=1mA（2分） rbel=200+（1+）Vt/IE1=2.8K （2分）Avd=-Rc/（rbel+（1+）Re1）= -43.41 （2分）V0=AvdVid= -0.87V （2分）（2）、Avd=-（Rc1|（1/2 RL）/（rbel+（1+）Re1）=-14.5 （2分）V0= AvdVid=-0.29V （2分）7、在某放大電路輸入端測量到輸入正弦信號電流和電壓的峰-峰值分別為5A和5mV，輸出端接2k電阻負載，測量到正弦電壓信號峰-峰值為1V。試計算該放大