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第二章邏輯代數(shù)理論與電路實(shí)現(xiàn)2.2邏輯運(yùn)算的電路實(shí)現(xiàn)

主講人：黃麗亞=AB一、二極管構(gòu)成的門(mén)電路假設(shè)二極管為理想二極管0V邏輯03V邏輯13V0ABF12V=A+B3V0ABF二極管與門(mén)電路二極管或門(mén)電路二、三極管開(kāi)關(guān)特性(1)截止條件：e結(jié)反偏，c結(jié)反偏(2)飽和條件：e結(jié)正偏，c結(jié)正偏；

在數(shù)字電路中，只利用截止區(qū)（關(guān)態(tài)）和飽和區(qū)（開(kāi)態(tài)）。二、三極管開(kāi)關(guān)特性2.2.1MOS管的開(kāi)關(guān)特性SGDN＋N＋P型硅襯底絕緣層(SiO2)襯底引線(xiàn)B半導(dǎo)體金屬電極N溝道增強(qiáng)型MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖(EnhancementNMOSFET)iD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊2.2.1MOS管的開(kāi)關(guān)特性MOS管導(dǎo)通MOS管截止截止區(qū)：靠近源極S和漏極D處的溝道均夾斷。可變電阻區(qū)：靠近源極S和漏極D的溝道均未夾斷恒流區(qū)：靠近源極S處溝道未夾斷，漏極D處夾斷SGDiD0uDSUGS＝6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊2

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