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模擬電子技術半導體二極管的認知構成：PN結+引線+管殼=二極管(Diode)PN陽極陰極符號：陽(正)極

陰(負)極

分類：按材料分硅二極管鍺二極管按用途分普通二極管整流二極管穩壓二極管開關二極管按結構工藝分點接觸型面接觸型平面型

半導體二極管的認知三角代表正向電流，豎線代表反向截止二極管按其結構可分為點接觸型、面接觸型和平面型。結面積小結電容小小電流高頻結面積大結電容大大電流低頻結面積可控低頻或高頻高頻檢波、開關低頻整流電路面積大的可用于低頻整流，面積小的可用于高頻電路數字脈沖電路

半導體二極管的認知1.二極管的伏安特性注意：考慮體電阻、引線電阻等與PN結伏安特性略有不同，不過坐標原點正向特性：死區0.5V硅管，0.1V鍺管Uon(Uth)死區電壓、起始導通電壓、門坎電壓、閾值電壓非線性區指數規律變化UonUthThreshold準線性區

正向壓降UF

：硅管(0.6

0.8)V取0.7v鍺管(0.1

0.3)V取0.2V反向特性：ID=IS<0.1

A(硅)幾十

A(鍺)越小越好反向擊穿特性：實際擊穿電壓比PN結的要小擊穿了管子不一定損壞OuD/VID/mA正向特性Uon反向特性ISU(BR)死區

半導體二極管的認知1.二極管的伏安特性T

升高時，Uon以

(2

2.5)mV/

C下降溫度每升高10

C，IS約增大1倍一般，硅管允許結溫150~200

C

鍺管允許結溫75~100

C溫度升高，擴散加強，同一電流下正向壓降降低，正向曲線左移；溫度升高，本征激發加強，少子增加，反向曲線下移604020–0.0200.4–25–50ID

/mAUD/V20C90C

半導體二極管的認知2.二極管的主要參數1.

IFM—

最大整流電流(最大正向電流)2.

URM—

最高反向工作電壓，(1/3~1/2)

U(BR)

3.

IR

—

反向電流(隨溫度變化,越小單向導電性越好)4.

fM—

最高工作頻率(主要取決于PN結結電容大小)

半導體二極管的認知3、二極管直流電阻和交流電阻(1)直流電阻

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