ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準

GB/T44775—2024

集成電路三維封裝

芯片疊層工藝過程和評價要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementfordiestackprocessandevaluation

2024-10-26發布2025-05-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T44775—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

設備儀器和工裝夾具

4.1、………………1

材料

4.2…………………2

注意事項

4.3……………2

詳細要求

5…………………2

環境

5.1…………………2

典型工藝流程

5.2………………………3

工藝準備

5.3……………4

待疊層芯片確認

5.4……………………5

引線鍵合類芯片疊層工藝

5.5…………5

倒裝類芯片疊層工藝

5.6………………7

標識轉運貯存

5.7、、……………………8

記錄

5.8…………………8

評價要求

6…………………8

引線鍵合類芯片疊層工藝的評價要求

6.1……………8

倒裝類芯片疊層工藝的評價要求

6.2…………………13

Ⅰ

GB/T44775—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本文件由全國集成電路標準化技術委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第五十八研究所神州龍芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世偉高娜燕肖漢武帥喆黃海林肖隆騰何慧穎

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44775—2024

集成電路三維封裝

芯片疊層工藝過程和評價要求

1范圍

本文件規定了集成電路三維封裝中使用引線鍵合工藝及倒裝工藝進行的芯片疊層工藝過程和評價

要求

。

本文件適用于集成電路三維封裝中使用引線鍵合及倒裝工藝進行疊層的電路

。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

潔凈室及相關受控環境第部分控粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

集成電路倒裝焊試驗方法

GB/T35005—2018

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

芯片堆疊diestack

將包含兩層或多層有源電子器件的芯片水平集成在一個電路里

。

4一般要求

41設備儀器和工裝夾具

.、

疊層工藝所需設備儀器應定期進行鑒定和校準工裝夾具應完好無損潔凈規格尺寸應與工藝要

。、,

求相適應常用設備儀器及工裝夾具見表所示

,1。

表1常用設備儀器及工裝夾具

序號名稱主要技術要求用途

貼片機裝片精度XY不超過旋轉小于或等于點膠裝片工藝

1:20μm,0.5°、

熱壓