2.3.1（1）；（2）導通；（4）；（5）；（6）；（7）。2.3.2（1）；（2）；（3）。2.3.3（1）導通；（3）；（4）。2.3.4（a）不通；（b）導通；（c）不通。2.3.5（a）；（b）；（c）。2.3.6（2-a）；（2-b）。2.3.7（a-1），V；（b-1），（c-1），（d-1），2.3.8（a-1），；（b-1），2.3.13（1）4.65mA；（2）；（2）。2.3.14（1），；（2）；（3）2.4.1（1）；（2）;(3)不能穩壓。2.4.2（2）；（3）不能。2.4.32.4.42.4.5（2），，3.1.3發射結正偏集電結反偏；都成立3.1.4PNP型3.1.5均是流出方向3.1.6正偏；反偏3.2.1輸入、輸出；基極、發射極；集電極、發射極；輸入、輸出3.2.3QUOTEUC3.2.4低，高。3.2.4+1對于PNP管，；對于NPN管，3.2.5A:2.8V→b,2.1V→e,8V→c,硅，NPN;B:3.0V→b,2.7V→e,7.2V→c,硅，NPN;C:3.0V→c,7.5V→b,8.2V→e,鍺，PNP;D:7.0V→b,2.0V→c,7.3V→e,鍺，PNP;3.2.6發射極，基極，集電極；NPN型3.2.7截止、放大、飽和三種狀態；對應的電壓為：發射結反偏；發射結正偏、集電結反偏；發射結正偏、集電結正偏3.2.8飽和狀態下3.2.9放大狀態下3.2.10開路模型對應于截止狀態；恒壓源模型對應于放大和飽和狀態3.2.12截止與飽和狀態；放大狀態3.2.143.2.15按截止、放大、飽和的順序分析；截止狀態；不是截止狀態；3.2.16和發射結；、、;放大狀態3.2.17，;；,,,3.2.18;,3.2.19,,3.2.203.2.213.2.22,3.2.23,3.2.29使合理3.2.30兩種情況均可能3.2.31(1)、(2)、(3)不安全，（4）安全3.3.123.3.133.3.14對，因為BJT的電壓和電流都是單極性的，只有在一定的直流分量條件下，才能通過波動的形式對交流信號產生響應。3.3.17基極和發射極兩個位置。3.4.2因為將造成，使be結電壓小于死區電壓，導致靜態電流全部為零。3.4.33.4.53.4.73.4.8:得到恰當的基極電流和集電極電流；：得到恰當的集-射極電壓。3.4.9造成輸入信號短路的電路：（a）和（d）；沒有基極靜態電流的電路：（b）和（e）;造成BJT燒壞的電路：（a）；極性接錯的電路：（c）和（e）；沒有放大電壓的電路：（f）。3.4.10（a）;(b);(c),;(d);(e);(f)。3.4.11（a）,,;(b);(c);(d)減小使Q點右移；（e）。3.4.12（a）減小或增加會使變大；（b）增加會使輸入阻抗變大；（c）增加會使輸出阻抗變大；（d）和變化將導致變化，變化將導致最大不失真輸出電壓幅度變化。3.4.143.4.15（a）通過調節或減小數值；（b）通過調節或增加數值；（c）減小輸入信號或增加。3.4.16僅僅需要改變的極性。3.4.18（a）,;（b）當做電壓源處理。3.4.19（a）正確。（b）正確。3.4.20（a）共射極放大電路，;（b）,。3.5.1對。3.5.2輸入阻抗遠遠大于負載阻抗；輸出阻抗遠遠小于信號源內阻；阻抗變換；（自行總結）。3.5.4（a）共集電極組態；（b）,,。3.5.5。3.5.6（a）:CE,:CB;（b）:CE,:CE;（c）:CC,:CE;（d）:CC,:CB;3.5.7(1)d和e輸入阻抗較大；(2)c輸入阻抗較小；(3)e源電壓放大倍數最大。3.5.8（a）,,;(b),,(c)，。3.6.1，,。3.6.2,,。3.7.1,。3.7.24-1-1JFET輸入電阻更大，因為它的柵極是處于反偏狀態，JFET適用于電壓控制信號，BJT適用于電流控制信號。4-1-2是PN結結構,不能正偏，BJT必須正偏。4-1-3（a）P溝道；（b）N溝道；箭頭表示可以形成電流的方向。4-2-1（1）結型、絕緣柵型、結型場效應管。（2）柵極處于不導電狀態。（4）跨導、gm4-2-2（a）N溝道耗盡型MOSFET；（b）N溝道耗盡型JFET；（c）P溝道增強型MOSFET;（d）P溝道耗盡型JFET;（e）P溝道耗盡型MOSFET;（f）N溝道增強型MOSFET；4-2-3（a）N溝道增強型MOSFET；（b）N溝道耗盡型MOSFET；（c）P溝道耗盡型JFET;（d）P溝道耗盡型MOSFET;（e）N溝道耗盡型JFET；（f）P溝道增強型MOSFET;4-3-1可以。耗盡型FET在沒有柵源電壓時可以形成漏極電流，可以利用該電流來設置靜態工作點UGSQ4-3-2（a）因為UDS（b）因為UGS（c）因為UGS(d)因為UGS4-3-3（a）不能。因為JFET的柵源電壓UGS是處于正偏，應把R（b）不能。柵極缺少上拉電阻，無法實現UGS>UT的要求。應在4-3-4（1）RS增加,導致UGS減小，gm減小，Au下降。（2）CS開路后，uGS電壓減小,Au下降。R4-3-5Au=?5,R4-3-7（1）（a）共源極放大電路；（b）共漏極放大電路；（c）共柵極放大電路。（2）4-3-8（1）R1=2KΩ（2）R（3）Au=gmRd4-3-9（1）AuRi4-3-10IDQ=0.22mA,4-3-11（1）R(2)VGS4-3-13VT1為共漏極組態；VT2為共射極組態；Au=?β4-3-14(1)(2)uo5.2.5（1）；（2）。5.2.6（1）；。（2）；（3）；（4），。5.2.7（1）,;(2)（3），。5.2.8（1）,;(2)5.2.9（1）；（2））、、；（3）,。5.2.10（1）,,;(2),;(3),。5.2.11,,。5.2.12、、，。5.2.13（1）;(2)、,。5.2.14（1）,,,,,;(2);(3);(4)。5.3.1（2）。5.3.2。5.3.3 ,。5.3.4。習題參考答案6.3.3（1）4.5W;(2)0.9W;(3)24V6.3.4（1）12.25W，10.04W，22.29W，54.96%;（2）25W，6.85W，31.85W，78.5%6.3.5（1）（2），令，得時管耗最大，相應的效率為50%。6.3.6（1）輸出電流的峰值為：IL=（VCC-VCES）/（R+RL）≈6/106=56.6mA，最大負載功率為Pom=IL2RL/2=0.16W；（2）R為直流負反饋電阻，可使輸出點直流電位基本恒定；此外，R還起到平衡輸入電阻以及負載短路下的限流作用。6.4.1（1）T1和T2組成互補功放電路，T3為輸入放大管，D1、D2為）T1、T2提供靜態偏置，消除交越失真；（2）靜態時（即vi=0）,負載兩端輸出電壓為零；（3）|V(BR)CEO|≥2VCC=18V，ICM≥VCC/RL=2.25A，PCM≈0.2Pomax=0.9W；（4）Pomax=(VCC-VCES)2/2RL=4.5W，PV=(2·Vom·VCC)/(π·RL)=8.598W，η=Pomax/PV=52.3%。6.4.2（1）靜態時A點電位為零，若不能滿足要求，一般可調節電阻R3。（2）（3）（4），每管管耗為：（5）T2和T3的參數應滿足以下條件：6.4.3（1）A點電位應為VCC/2，若不能滿足要求，一般可調節電阻R1。（2）各波形如下圖所示：（3）C2、R3組成自舉電路，當正半周輸出時，可提高A點電位，以消除輸出正峰的失真，從而提高輸出功率。電阻R3不能省略，沒有R3將失去自舉作用。R4不能省略，否則互補管輸出信號會產生交越失真。C3不能省略，其容量應盡量取得大些，如無C3，T3管將不能工作，C3兩端的電壓等于VCC/2。（4）6.4.4（1）（2），檢驗晶體管參數是否滿足要求：故最大輸出功率受器件Icm的限制不能為0.945W，應為（3）由上述計算可以看出：當D1開路時功率管將因管耗過大而損壞。6.4.5（1）R1、R2和T3組成“VBE擴大電路”。T3集電極與發射極間電壓VCE3為互補對稱輸出電路提供偏置電壓，來克服輸出波形中交越失真的問題。由于T3的VBE3基本上是固定值（0.6～0.7V），若能使流過電阻R1、R2的電流遠大于基極電流IB3，則因此，可通過調節電阻R1、R2的比值，來調節VCE3，進而調節功率管的工作狀態。（2）恒流源I為T1和T2管的有源負載，可提高本級的電壓放大倍數。（3）當正向電流過大時，VR3增大使D1導通，此時送到T4的基極電流將有一部分經D1旁路，從而使T4的輸出電流受到限制。同理，當負向電流過大時，D2導通，將T5基極電流的一部分經D2旁路，限制了T5和T6的電流，故D1、D2起到了過載保護作用。6.4.6改動后的電路如下圖所示：其中D1和D2是T2和T3的偏置二極管，可消除輸出信號的交越失真；D3和D4是T2和T3的保護電路；C3和R6是自舉電路，也可省掉C3和R6，而將RL接在R6的位置。6.5.1（1），晶體管的參數可按以下選擇：（2）（3）6.5.2（1）輸出三極管構成射隨器，a和e同相，而b和e反相。故電阻Rf的任意一端與輸出相連，如d點和e點相連，而電阻Rf的另一端則與輸出的反相端相連，即c點與b點相連。（2）（3）6.5.3（1）VREF＝VCC/2＝7.5Vvo1＝vo2＝7.5V（2）最大輸出功率和效率分別為（3）輸入電壓有效值6.5.4（1）Av1=2.5，Av2=-2.5；（2）；（3）Vip=4.8V7.1.1（1）線性；（2）加法、減法、差分；（3）反相比例運算電路；（4），1；（5）同相比例運算電路、反相比例求和電路、電容；（6）；（7）反相積分電路；（8）三角波。7.1.2同相輸入端和反相輸入端。7.1.3。7.1.4。7.1.5。7.1.6（1）A1同相比例，A2電壓跟隨器，A3反相求和電路；（2）。7.1.7。7.1.9（a）（b）（c）（d）。7.1.10。7.1.11。7.1.12（1），反相器；（2）。7.1.15（a）；（b）；（c）；（d）。7.1.16，。7.1.17A1同相比例，A2反相比例，A3反相求和電路；，，。7.3.11V。7.3.20.5V。7.3.3（a）過零比較器；（b）滯回比較器。7.3.40V，4V。7.3.5。7.3.3（a）；（b）。答案8.1.1（1）正向傳輸,反向傳輸,反饋網絡,閉環；（2）,,，，；（3）負反饋，正反饋，自激；（4）反饋系數，；（5）負反饋，正反饋；（6）降低，增加，降低，增加，降低。8.1.2（1）A（2）B（3）C（4）D（5）B（6）A8.1.3（1）×（2）×（3）√（4）×8.2.1（a）正反饋；（b）電流并聯負反饋；（c）電壓并聯負反饋。8.2.2（a）直流負反饋。（b）直流負反饋。（c）交、直流負反饋。（d）交、直流負反饋。（e）通過R3和R7引入直流負反饋，通過R6引入直流負反饋，通過R4引入交、直流負反饋。8.3．1（a）電壓并聯負反饋，減小，減小；（b）電流并聯負反饋，減小，增加；（c）電壓串聯負反饋，增加，減小；（d）電流串聯負反饋，增加，增加；8.4.1（a）負反饋，電壓并聯負反饋，交直流，；（b）正反饋，交直流。8.4.2（a）正反饋，交直流；（b）電流串聯負反饋，交直流。8.4.3一級負反饋，電壓并聯負反饋，二級電壓并聯負反饋，級間為電壓串聯負反饋。8.4.4（1）負反饋（2）電流串聯負反饋（3）8.4.5（1）負反饋（2）電壓串聯負反饋（3）8.4.6（1）（2）負反饋（3）電壓串聯負反饋（4）8.4.7（a）電流并聯負反饋，，（b）電壓串聯負反饋，，（c）電壓串聯負反饋，，（d）電壓串聯負反饋，，8.4.9串聯負反饋，根據虛短9.1.1帶通濾波電路(2)帶通濾波電路(3)低通濾波電路(4)有源濾波電路(5)低通濾波電路(6)帶阻濾波電路(7)有源二階帶阻濾波電路(8)線性(9)0.707(10)=(11)直流電壓放大倍數9.1.2(1)一階低通濾波器(2)一階高通濾波器(3)二階低通濾波器(4)二階高通濾波器(5)二階帶阻濾波器(6)二階帶通濾波器9.1.7一階高通。9.1.8一階高通和低通連成二階BPF。9.1.9帶阻濾波器。9.1.109.2.1一象限全正，二象限，，三象限，，四象限，。9.2.2(1)上負下正；(2)。9.2.3。9.2.4。9.2.5(1)根據已知條件，故上為負下為正。(2)9.2.69.3.11V。9.3.20.5V。9.3.3（a）過零比較器；（b）滯回比較器。9.3.40V，4V。9.3.5。9.4.1（1）√；（2）×；（3）×；（4）√；（5）×；（6）√；（7）×；（8）√；（9）×；（10）√。9.4.2（1）阻性，容性，感性；（2）阻性，感性，容性；（3）阻性。9.4.3正弦波振蕩電路產生自激振蕩條件,。9.4.4（a）斷開反饋輸入在發射極，輸出在集電極，為共基極放大電路，上負下正。在變壓器反饋式正弦波振蕩電路中，變壓器原、副邊線圏的繞向必須與放大電路輸出和輸入的相位關系相匹配，才能滿正弦波振蕩的相位條件。（b）中放大電路的直流通路中晶體管的基極和集電極短路，交流通路中晶體管的集電極和發射極短路，因面不但靜態工作點不合適，而且輸出交流信號恒為零。不能產生正弦以振蕩。9.4.5（a）能；（b）不能；（c）不能；（d）能。9.4.6文氏橋正弦波發生電路，過零比較器，反相積分器，滯回比較器。9.4.7≥。9.4.8⑧連③，⑨連④，⑤連④，⑥連①，⑦連②。9.4.9(1)，若電位器調至最大，則若電位器調至0，則，若電位器調至最大，則若電位器調至0，則，若電位器調至最大，則若電位器調至