半導體器件 柔性可拉伸半導體器件 第2部分：柔性器件的電子遷移率、亞閾值擺幅和閾值電壓評價方法 征求意見稿_第1頁
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GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半導體器件柔性可拉伸半導體器件第2部分：柔性器件的電子遷移率、亞閾值擺幅和閾值電壓評價方法本文件規定了用于評價和確定柔性薄膜晶體管(TFT)器件性能特征的術語、定義、符號、配置和評價方法。為了準確評價柔性TFT器件在實際使用中彎曲狀態下的性能和可靠性，本標準規定了評價方法柔性薄膜晶體管flexiblethin-filmS亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，由下面的公式中，cd和cox分別代表耗盡層電容和柵氧化電容。柵源電壓，在此電壓下漏極電流的大小達到一個GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2IDSgm4測試方法為了研究柔性薄膜晶體管的可靠性，進行了如下的彎曲4.2彎曲前電特性測試GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-310V，使用亮度為300cd/m2的白光發光二極管進行光照，襯底溫度保持在20℃和60℃;正偏壓（PBS）試驗在黑暗條件下，VGS為+20v，VDS為0.1V，襯底溫度保持在20℃和60℃。在固定VDS在測試過程中，在室溫下，在0.1v的固定漏極電壓下，通過將柵極電壓從-30V掃到30V，測量漏極μFE=·····················L——通道長度；W——為通道寬度。?1·······································GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-44.3彎曲下電特性測試為了表征機械應力對柔性薄膜晶體管的影響，將應變施加在薄膜晶體管上，通過改變曲率半徑R使器件上下彎曲，如圖3所示。彎曲方向平行或垂直于漏極到源極的電流路徑。首先將薄膜晶體管彎曲到對薄膜晶體管的通電流、關電流和柵極泄漏電流進行在彎曲狀態下，所有彎曲半徑(R)采用式(3)轉換為百分比應簡單的機械疲勞測試是通過將柔性TFT反復彎曲(即在恒定R下)并壓扁多達50000次來完成的。襯底溫度保持在20℃和60℃。在不從彎曲裝置中取出的情況下，周期性地測量薄膜晶體管VGS為20V，VDS為10V，襯底溫度保持在20℃和60℃,進行NBS穩定性試驗。采用亮度為300cd/m2的白光發光二極管，在照明條件下，VGS為-20V，VDS為10V，進行彎曲狀態下的負偏置光照應力測試，襯底溫度保持在20℃和60℃。在機械彎曲狀態下，VGS為+20V，VDS為0.1V，在黑暗條件下，襯底溫度保持4.4測試報告測試報告應包括以下內容:b)被測器件的材料層，包括柵極、絕緣層、有源層、源極和漏極；GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC629515?柵極和漏極電壓；?彎曲狀態下時間；?

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