2022-03-09發布I本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定起草。本文件代替GB/T26069—2010《硅退火片規范》,與GB/T26069—2010相比，除結構調整和編輯性改動外，主要技術變化如下：a)“范圍”一章增加了包裝、標志、運輸、貯存、隨適用范圍(見第1章，2010年版的第1章);b)增加了術語“退火片”“技術代”及其定義(見第3章);c)增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成電路線寬所需的硅單晶退火片的技術規格(見第4章);d)增加了退火片的基本要求應符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508的要求(見5.1);e)更改了硅片標識、徑向氧含量、厚度及允許偏差、局部光散射體等要求，刪除了直徑、邊緣表面條件、平整度、滑移、體微缺陷(BMD)刻蝕帶深度等要求，增加了主參考面或切口晶向、邊緣輪廓、背表面狀態、潔凈區寬度(DZ)等要求(見第5章，2010年版的4.2);f)刪除了徑向電阻率變化、晶向g)更改了厚度、總厚度變化、局部平整度的測量方法(見6.3,2010年版的5.11和5.13);h)更改了翹曲度的測量方法(見6.4,2010年版的5.12);i)增加了背表面光澤度的測量方法(見6.6);j)更改了表面金屬含量的測試方法(見6.8,2010年版的5.17);k)增加了體金屬(鐵)含量的測試方法(見6.10);1)增加了潔凈區寬度及體微缺陷密度的檢驗方法(見6.11);m)更改了組批方式(見7.2,2010年版的6.2);n)全檢項目中增加了導電類型、幾何參數、表面金屬含量和氧化誘生缺陷(見7.3.1);o)增加了檢驗結果的判定(見7.5);p)更改了包裝(見8.1,2010年版的7.2);q)增加了隨行文件(見8.5)。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位：有研半導體硅材料股份公司、山東有研半導體材料有限公司、浙江眾晶電子有限公司、洛陽鴻泰半導體有限公司、開化縣檢驗檢測研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海納半導體有限公司、中環領先半導體材料有限公司。本文件及其所代替文件的歷次版本發布情況為：——2010年首次發布為GB/T26069—2010;——本次為第一次修訂。1本文件規定了硅單晶退火片(以下簡稱退火片)的分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、本文件適用于通過退火工藝在硅單晶拋光片表面形成一定寬度潔凈區的硅片，產品用于技術代180nm～22nm的集成電路。2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T2828.1—2012計數抽樣檢驗程序第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法GB/T6616半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法GB/T6624硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB/T12962硅單晶GB/T12965硅單晶切割片和研磨片GB/T14264半導體材料術語GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法GB/T29504300mm硅單晶GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法GB/T29508300mm硅單晶切割片和磨削片GB/T32280硅片翹曲度和彎曲度的測試自動非接觸掃描法GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法YS/T28硅片包裝YS/T679非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試表面光電壓法3術語和定義GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。在中性或還原氣氛中進行高溫退火而導致硅拋光片近表面潔凈區內無晶體缺陷[包括晶體原生凹2技術代technologygeneration在集成電路制造中特定工藝的特征尺寸，即由特定工藝決定的所能光刻或制作的最小尺寸。注：技術代也稱為技術節點。4分類退火片按技術代分為180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、32nm和22nm七種規格，其他規格由供需雙方協商確定。5技術要求5.1基本要求退火片的基本要求應符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508及表1的規定。除導電類型、電阻率外的基本要求指標，僅由供方提供各項檢驗結果。技術代生長方式直拉法(CZ)或磁場拉晶法(MCZ)晶向晶向偏離度導電類型P摻雜劑硼晶體中共摻雜無摻雜或由供需雙方協商確定的氮或碳的共摻雜電阻率(中心點)供需雙方協商確定徑向電阻率變化氧含量供需雙方協商確定徑向氧含量變化≤10%(距邊緣10mm)碳含量晶體缺陷(位錯、系屬結構、孿晶、漩渦等)無標志選擇字母數字刻字或供需雙方協商確定主參考面或切口晶向<110>±1°或供需雙方協商確定邊緣輪廓供需雙方協商確定邊緣拋光供需雙方協商確定正表面薄膜無外吸雜無背封無背表面狀態供需雙方協商確定拋光3表1基本要求(續)技術代直徑及允許偏差200±0.20300±0.20300±0.20300士0.20300±0.20邊緣去除3322222退火氣氛供需雙方協商確定5.2幾何參數退火片的幾何參數應符合表2的規定，或由供需雙方協商確定。表2幾何參數技術代厚度及允許偏差725±20(切口標記)或675±15(參考面標記)775±20775±20775±20775±20775±20775±20總厚度變化(TTV)翹曲度(Warp)局部平整度(SFQR)nmGBIR為總平整度。”局部區域的尺寸為26mm×32mm,局部區域的其他尺寸也可由供需雙方協商。5.3表面質量退火片表面應無崩邊、劃傷(宏觀),其他表面質量應符合表3的規定，或由供需雙方協商確定。表3表面質量技術代正表面局部光散射體(個/片)總的LSELSELSELSELSELSE供需雙方協商確定供需雙方協商確定劃傷(微觀)總長度直徑直徑直徑直徑直徑直徑直徑霧無(強光燈下檢查)其他缺陷(溝槽、凹坑、小丘、橘皮、波紋、區域沾污等)無或由供需雙方協商確定4表3表面質量(續)技術代背表面光澤度無要求0.80(正表面光澤度的80%)表面沾污供需雙方協商確定其他缺陷供需雙方協商確定5.4表面金屬含量退火片正表面的金屬含量應符合表4的規定，或由供需雙方協商確定。表4表面金屬含量技術代NaAlKFeNi注：退火片的正表面金屬含量以每平方厘米的原子個數計。5.5其他性能5.5.1退火片的氧化誘生缺陷、體金屬(鐵)含量、潔凈區寬度(DZ)、體微缺陷密度(BMD)由供需雙方協商確定。5.5.2需方如對退火片的其他性能有特殊要求，由供需雙方協商確定。6試驗方法6.1退火片導電類型的測試按GB/T1550的規定進行。6.2退火片電阻率的測試按GB/T6616的規定進行。6.3退火片厚度、總厚度變化及平整度、局部平整度的測試按GB/T29507的規定進行。6.4退火片翹曲度的測試按GB/T32280的規定進行。6.5退火片正表面的局部光散射體、劃傷(微觀)等的測試按GB/T19921的規定進行。6.6退火片背表面光澤度的測試用光澤度儀進行。6.7退火片的其他表面質量檢驗按GB/T6624的規定進行。56.8退火片表面金屬含量的測試按GB/T39145的規定進行，或按供需雙方協商確定的方法進行。6.9退火片氧化誘生缺陷的檢驗按GB/T4058的規定進行。6.10退火片體金屬(鐵)含量的檢測按YS/T679的規定進行，或按供需雙方協商確定的方法進行。6.11退火片潔凈區寬度、體微缺陷密度的檢驗按供需雙方協商確定的方法進行。7檢驗規則7.1檢查和驗收7.1.1產品由供方進行檢驗，保證產品質量符合本文件及訂貨單的規定，并填寫質量保證書。7.1.2需方可對收到的產品按本文件的規定進行檢驗，如檢驗結果與本文件或訂貨單的規定不符時，應在收到產品之日起三個月內以書面形式向供方提出，或由供需雙方協商解決。退火片應成批提交驗收，每批應由相同規格的退火片組成，組批方式也可由供需雙方協商確定。7.3檢驗項目7.3.1每批退火片應對導電類型、電阻率、幾何參數、表面質量、表面金屬含量、氧化誘生缺陷進行檢驗。7.3.2退火片的體金屬(鐵)含量、潔凈區寬度、體微缺陷密度是否檢驗由供需雙方協商確定。7.4取樣7.4.1非破壞性測試項目的檢驗取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢驗水平Ⅱ,正常檢驗一次抽樣方案進行，或按供需雙方協商確定的抽樣方案進行。7.4.2破壞性測試項目的檢驗取樣按GB/T2828.1—2012中特殊檢驗水平S-2,正常檢驗一次抽樣方案進行，或按供需雙方協商確定的抽樣方案進行。7.5檢驗結果的判定7.5.1導電類型的檢驗結果中有任意一片不合格時，判該批產品為不合格。7.5.2電阻率、厚度及允許偏差、總厚度變化、翹曲度、局部平整度、表面質量(目檢)的接收質量限(AQL)見表5,或由供需雙方協商確定。表5退火片表面檢測項目和接收質量限序號檢驗項目接收質量限(AQL)1電阻率2厚度及允許偏差3總厚度變化4翹曲度5局部平整度6表5退火片表面檢測項目和接收質量限(續)序號檢驗項目接收質量限(AQL)6表面質量(目檢)崩邊劃傷(宏觀)其他正表面缺陷(溝槽、凹坑、小丘、橘皮、波紋、區域沾污等)累計1.0背表面劃傷、沾污、光澤度累計1.0累計累計2.07.5.3平整度、局部光散射體、劃傷(微觀)、霧、表面金屬、體金屬(鐵)含量、氧化誘生缺陷、潔凈區寬度、體微缺陷密度檢驗結果的判定由供需雙方協商確定。7.5.4抽檢不合格的產品，供方可對不合格項目進行逐片檢驗，除去不合格品后，合格品可以重新組批。退火片的包裝按YS/T28的規定進行，也可由供需雙方協商確定。8.2標志8.2.1在檢驗合格的退火片包裝盒上張貼標簽，其上注明：a)產品名稱；b)產品規格；c)產品批號；8.2.2退火片應成箱包裝，每箱外側應注明：a)供方名稱；b)產品