標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 8553-2023 晶體盒總規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為晶體盒的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試及驗(yàn)收提供一套統(tǒng)一的技術(shù)要求與指導(dǎo)原則。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的晶體盒產(chǎn)品，包括但不限于石英晶體諧振器、壓電陶瓷濾波器等電子元器件所使用的封裝結(jié)構(gòu)。

根據(jù)《GB/T 8553-2023》，首先定義了晶體盒的基本術(shù)語和定義，明確了不同部件的名稱及其功能描述。接著，在材料選擇方面給出了具體指南，強(qiáng)調(diào)了材料應(yīng)具備良好的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性以及化學(xué)惰性，以確保在長時(shí)間使用或惡劣環(huán)境下仍能保持性能穩(wěn)定。

此外，對(duì)于晶體盒的設(shè)計(jì)提出了詳細(xì)的要求，包括尺寸公差、表面處理工藝、密封性等方面的規(guī)定。設(shè)計(jì)時(shí)需考慮到產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，如溫度變化范圍、振動(dòng)頻率等因素對(duì)晶體盒的影響，并通過合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來滿足這些需求。

在制造過程中，《GB/T 8553-2023》還規(guī)定了一系列的質(zhì)量控制措施，比如原材料檢驗(yàn)、生產(chǎn)過程監(jiān)控、成品檢測(cè)等環(huán)節(jié)的具體操作流程。同時(shí)，也列出了不同類型晶體盒所需進(jìn)行的電氣特性測(cè)試項(xiàng)目及其合格標(biāo)準(zhǔn)，確保每一件出廠的產(chǎn)品都能達(dá)到預(yù)期的功能表現(xiàn)。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-09-07 頒布
  • 2024-01-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31140

CCSL.21

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T8553—2023

代替GB/T8553—1987

晶體盒總規(guī)范

Genericspecificationforenclosuresforcrystalunits

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T8553—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替晶體盒總規(guī)范與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性

GB/T8553—1987《》,GB/T8553—1987,

改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

刪除了材料的技術(shù)要求和試驗(yàn)方法見年版的

a)(19873.2);

增加了封裝陶瓷封裝型式的晶體盒內(nèi)容見

b)SMD、[4.6.2.2b)、4.6.2.3.2、4.7、4.8.1.3、4.8.2.3、

表表

4.10.2.2、4.12.1.2.2、2、3];

增加了外觀涂覆層厚度要求和試驗(yàn)方法見

c)、(4.3);

增加了絕緣電阻的要求見

d)(4.4);

增加了抗折強(qiáng)度的要求見

e)(4.7);

增加了封裝后基座氣密性的要求見

f)(4.9);

增加了環(huán)境有害物質(zhì)限量要求見第章

g)(6)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國頻率控制與選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC182)。

本文件起草單位潮州三環(huán)集團(tuán)股份有限公司蘇州工業(yè)園區(qū)陽晨封裝技術(shù)有限公司深圳市麥

:()、、

捷微電子科技股份有限公司

。

本文件主要起草人邱基華陳炳龍樊應(yīng)縣

:、、。

本文件及所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———1987GB/T8553—1987;

本次為第一次修訂

———。

Ⅰ

GB/T8553—2023

晶體盒總規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了石英晶體元件用晶體盒的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法包裝標(biāo)志儲(chǔ)存和運(yùn)輸

、、、、、。

本文件適用于石英晶體元件用晶體盒包括基座殼罩引線焊腳等部分

,、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

環(huán)境試驗(yàn)概述和指南

GB/T2421—2020

環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)方法編寫導(dǎo)則術(shù)語和定義

GB/T2422—2012

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱試驗(yàn)

GB/T2423.3—20162:Cab:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧

GB/T2423.17—20082:Ka:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)密封

GB/T2423.23—20132:Q:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱主要用于元件的加

GB/T2423.50—20122:Cy:

速試驗(yàn)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安

GB/T2423.60—20082:U:

裝件強(qiáng)度

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

周期檢驗(yàn)計(jì)數(shù)抽樣程序及表適用于對(duì)過程穩(wěn)定性的檢驗(yàn)

GB/T2829—2002()

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

GB/T5593—2015

金屬覆蓋層覆蓋層厚度測(cè)量射線光譜法

GB/T16921—2005X

電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求

GB/T26572—2011

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)試驗(yàn)和有引線器件的可焊性和耐

IEC60068-2-20:20212-20:

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