AMOLED屏體驅動電路及工作原理陣列設計部AMOLED屏體驅動電路及工作原理陣列設計部顯示器驅動原理1TFTOLEDScanSource顯示器驅動原理1TFTOLEDScanSource信號寫入的充水比喻2信號寫入的充水比喻2逐行掃描介紹32334566623657778555632274765544323345666236577785556322747655443DataWriting1行2行3行4行逐行掃描介紹323345666236577785556322AMOLEDCircuitAAFPCbondingpadICFPCFanoutCELL_TESTVDDVDDVSSVinitVSSEMVinitSourcefanoutVSSCELL_TEST

ESDESDESDESDESDESDESDS1&S2&S3EMS1&S2&S34DemuxAMOLEDCircuitAAFPCbondingpaContent5屏體電路概覽CT電路Demux電路ESD電路EM電路Scan電路Pixel電路Content5屏體電路概覽CT電路Demux電路ESD電路D_RB1D_SW1D_SW2D_RB2R/B15.5/315.5/3R/B15.5/315.5/3CT電路介紹同一列同色CT電路8.5/6.5D_SW8.5/6.58.5/6.5D_RD_GD_B同一列間隔色CT電路D_SW1D_SW2D_RB1D_RB2D_RB1D_SW1D_SW2D_RB2R/B15.5/31

特點：一根Data線帶3路信號，通過時分開關分開到N（N>1）路source線；優點：1、減小下臺階寬度；2、減小IC輸出PIN個數；De-mux電路

7Mux_BMux_GMux_RData線Mux_RMux_GMux_BData特點：一根Data線帶3路信號，通過時分開關ESDCircuit功能：靜電積累的釋放；高于Vgh+Vth，低于Vgl-Vth的電壓均可通過ESD泄放掉；VinVGHVGLESDCircuit功能：靜電積累的釋放；VinVGHVGLGIP簡介9BorderCOGspaceA/ADriverApracticablesinglechipsolutiontohighresolutiona-SiTFTLCD.(e.g.3.5”WVGA)Thewidthofborderswilldecreasefrom3.0mmto1.6mmCOGspacewilldecreasefrom7.4mmto4.3mmASG(AmorphousSiliconGatedriver)GIP(GateInpanel)GOA(GateOnArray)ARD(AmorphousSiliconRowdriver)GIP簡介9BorderCOGspaceA/ADriver10GIP簡介10GIP簡介11GIP簡介11GIP簡介12CKVGHOUTQBQGIP簡介12CKVGHOUTQBQGIP簡介Scan-SIN寫入T1CK1CK2SINSCANP1P31、VGH和SCK2同時輸出；Scan-SIN寫入T1CK1CK2SINSCANP1P31Scan-SCK2低電平輸出至Scan走線T2CK1CK2SINSCANP1P31、VGH輸出通道關閉；SCK2輸出通道保持；Scan-SCK2低電平輸出至Scan走線T2CK1CK2SScan-高電平保持T3CK1CK2SINSCANP1P31、VGH持續輸出；Scan-高電平保持T3CK1CK2SINSCANP1P31EM-EIN寫入T1CK1CK2CK3EINEM1、高電平輸出；2、ECK1輸出給下下一行作為EIN；EM-EIN寫入T1CK1CK2CK3EINEM1、高電平輸EM-ECK1輸出至SRT2CK1CK2CK3EINEM1、ECK1輸出給下一行，作為EIN；EM-ECK1輸出至SRT2CK1CK2CK3EINEM1、EM-EM輸出低電平T6CK1CK2CK3EINEM·1、輸出低電平；2、EM輸出低電平同時觸發VGH輸出至SR；EM-EM輸出低電平T6CK1CK2CK3EINEM·1、輸PixelCircuitPixel電路示意圖Pixel電路時序圖EMSn&Sn+1Sn-119PixelCircuitPixel電路示意圖PixelAMOLED，是利用薄膜晶體管搭配電容儲存信號來控制OLED的亮度表現。為了達到一定電流驅動的目的，每個子像素至少需要兩個TFT和一個儲存電容來構成。當開關TFT被掃描信號線(Scanline)信號選中時，開關TFT導通，數據信號線（Dataline）上數據電壓（Vdata）被傳遞到驅動TFT的柵極上；當掃描信號不選中開關TFT時，由于存儲電容的存在，Vdata將保持在驅動TFT的柵極上；此時驅動TFT工作在飽和區：不同的Vdata對應不同的Vgs，DTFT將Vdata轉換為相應的電流Ids來驅動OLED發出不同亮度的光。AMOLED驅動原理AMOLED，是利用薄膜晶體管搭配電容儲存信號來控制OLED211.22T1C電路的缺點

當DrivingTFT工作于線性區時：當DrivingTFT工作于飽和區時：針對SwitchingTFT在驅動過程中只作為開關的角色，TFT的Vth，遷移率的變化幾乎不影響其工作。特別是LTPS型TFT，其遷移率較大，TFT的電阻較小，對信號失真影響更小。而DriverTFT是長期工作在飽和區，Ids對遷移率，Vth漂移，W/L變動，Cox變動都有敏感的響應，而AMOLED的顯示亮度又會敏感地與Ids相關。因此DriverTFT的遷移率，Vth漂移，W/L變動，Cox變動都會影響AMOLED的顯示均勻性。除此以外，由于上述公式為理想模型下的TFT，而實際工作的TFT其Ids與Vds也相關，因此Vdd的變化也會影響到Ids的大小，因此Vdd信號的IR-Drop會影響AMOLED的顯示均勻性。為了減小上述因素的影響，需要對2T1C電路進行補償，所以發明了如5T1C，4T2C，7T1C電路，他們都可以在某些方面做補償，我司目前使用的7T1C電路具有Vth補償功能，基本可以滿足顯示效果要求。211.22T1C電路的缺點

當DrivingTFT22T1時段：初始化階段此時M5和M4打開，Vref電壓充入C1和OLED正極。充入C1給M7的柵極一個負的初始電壓，方便后續Vdata通過M7充入C1。充入OLED正極給OLED一個負電壓，對OLED進行初始化。1.37T1C工作原理Sn-1Sn-1Sn22T1時段：初始化階段1.37T1C工作原理Sn-1Sn23T2時段：C1充電時段此時Vdata通過M7充入C1，此時的M7的漏極和柵極相連，形成二極管。充入C1的電壓為Vdata-|Vth|。Sn-1Sn-1Sn1.37T1C工作原理23T2時段：C1充電時段Sn-1Sn-1Sn1.37T124T3時段：讀寫發光時段因此流過OLED的電流與Vth無關，即Vth被補償。Sn-1Sn-1SnVsg-|Vth|=VDD-(Vdata-|Vth|)-|Vth|=VDD-Vdata1.37T1C工作原理24T3時段：讀寫發光時段Sn-1Sn-1SnVsg-|V252T1CVS7T1C

優點缺點2T1C1、結構簡單，版圖面積小