1/8. 晶體中微粒的排列按照一定的方式不斷的做周期性重 指數(shù)：某一晶面分別在三個晶軸上的截距的倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比稱為此晶面 排列的緊密程度,稱為配位數(shù)致密度：晶胞原子所占體積與晶胞總體積之比稱為點陣原子的致密度固體物理學(xué)元胞：選取體積最小的晶胞,稱為元元胞的三邊的平移矢量稱為基本平移矢量〔或者基矢；突出反映晶體結(jié)構(gòu) 相同的原子組成,原子與晶格的格點相重合而且每個格點周圍的情況都一 樣復(fù)式格子：晶體由兩種或者兩種以上的原子構(gòu)成,而且每種原子都各自 構(gòu)成一種相同的布拉菲格子,這些布拉菲格子相互錯開一段距離,相互套購ll2/8.為晶格振動能量的量子叫聲子非簡諧效應(yīng)：在晶格振動勢能中考慮了δ2 在 連續(xù)的,在區(qū)域的邊界上能量是不連續(xù)的,把這樣的區(qū)域稱為布里淵區(qū)答：按照愛因斯坦溫度的定義,愛因斯坦模型的格波的頻率大約為1013Hz,屬于光學(xué)支頻率,但光學(xué)格波在低溫時對熱容的貢獻非常小,低溫下對熱容瓷中晶界對材料性能有很大的影響,試舉例說明晶界的作用荷不平衡,故晶界是缺陷富集區(qū)域,易吸附或產(chǎn)生各種熱缺陷和雜質(zhì)缺陷,與體微觀粒子〔如電子相比,晶界微觀粒子所處的能量狀態(tài)有明顯差異,稱的受主態(tài)能級,在晶界產(chǎn)生能級勢壘,顯著影響電子的輸出行為,使瓷。從能帶理論的角度簡述絕緣體,半導(dǎo)體,導(dǎo)體的導(dǎo)電或絕緣機制答：⑴在金屬能帶中,價帶與導(dǎo)帶迭合,價帶中存在空能級或者價帶全滿但3/8.導(dǎo)帶中有電子,故電子易遷移進入較高能量狀態(tài)的空能級中,金屬具有優(yōu)異的導(dǎo)電性⑵在絕緣體的能帶中,其價帶全部填滿,而導(dǎo)帶全部為空能級,在中,絕緣體的導(dǎo)電性很差⑶半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與絕緣體相似,但其禁帶較窄<<3.0eV>,因而在外電場激發(fā)下<如熱激發(fā)>,電子可由價帶躍進導(dǎo)帶中而導(dǎo)電,如果在禁帶中靠近導(dǎo)帶<或價帶>的位置引入附加能級<施主或受主>將顯著提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電性. 畫出鈣鈦礦的晶體結(jié)構(gòu),并指出它是由哪幾種布拉菲格子組成的 33123氫鍵結(jié)合,氫原子不但與一個氧原子結(jié)合成共價鍵O-H,而且還和另一個氧原子結(jié)合,但結(jié)合較弱,鍵較長,用O-H表示,氧原子本身則組成一個四面經(jīng)典的自由電子理論的要點,用其解釋金屬的電性能答:要點:金屬晶體就是靠自由價電子和金屬離子所形成的點陣間的相互作稱為金屬鍵.互碰撞<作用>忽略不計⑷電子氣體通過與離子實的碰撞而達到熱平衡,電4/8.價電子的數(shù)目是較多的且基本上不隨溫度而變,所以當(dāng)溫度升高的時候,金屬電導(dǎo)率的變化主要取決去電子運動的速度.因為晶格中的原子和離子不是靜止的,它們在晶格的格點上作一定的振動,且隨溫度升高這種振動會加劇,證實這種振動對電子的流動起著阻礙作用,溫度升高,的成功之處金屬中的電子不受任何其他外力的作用,彼此間也無相互作用,可把它無窮大,所以可把金屬中的電子看成是在具有一定深度勢阱中運動的自由。成功之處:1解釋了金屬鍵的本質(zhì);2對電子的比熱問題進行了較好的解釋 長光學(xué)支格波與長聲學(xué)支格波本質(zhì)上有何差異? 答:長光學(xué)支格波的特征是每個元胞的不同原子做相對振動,振動頻率較高,同原子沒有相對位移,元胞做整體運動,振動頻率較低,它包含了晶格振動振動模式,波速是一常數(shù),任何晶體都存在聲學(xué)支格波,但簡單晶格<非復(fù)式格子>晶體不存在光學(xué)支格波. 從導(dǎo)電率的角度簡述絕緣體,半導(dǎo)體,導(dǎo)體的導(dǎo)電或絕緣機制 答:⑴從電導(dǎo)率角度講,由于金屬的可自由移動電子較多,所以電導(dǎo)率很大,并且電導(dǎo)率隨著溫度的升高而降低.⑵從電導(dǎo)率角度講,由于絕緣體的可自由移動電子很少,所以電導(dǎo)率很小,并且電導(dǎo)率隨著溫度的升高而升高.5/8. 的影響 答:①點缺陷:本征熱缺陷<弗倫克爾缺陷,肖脫基缺陷>,雜質(zhì)缺陷<置換,填隙>,色心,極化子.線缺陷:刃性位錯,螺旋位錯;面缺陷:小角晶界,晶界,堆2323 簡述石墨的結(jié)構(gòu)特點,并說明其結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系 意平面上,使晶體呈層狀;另一個價電子則較自由的在整個層中運動,具有金屬鍵的性質(zhì),這是石墨具有較好導(dǎo)電本領(lǐng)的根源層與層之間又依靠分子晶體的瞬時偶極矩的互作用而結(jié)合,這又是石墨質(zhì)地疏松的根源. 簡述離子晶體中缺陷對電導(dǎo)率有何影響? 答:由于離子晶體是正負(fù)離子在庫侖力的作用下結(jié)合而成的,因而使離子晶沒有的特性,理想的離子晶體是典型的絕緣體,滿價帶與空帶之間有很寬的禁帶,熱激發(fā)幾乎不可能把電子由滿價帶激發(fā)到空帶上去,但實際上離子晶體都有一定的導(dǎo)電性,其電阻明顯地依賴于溫度和晶體的純度.因為溫度升陷有關(guān).6/8.從能帶理論可以這樣理解離子晶體的導(dǎo)電性:離子晶體中帶點的點缺陷可以是束縛電子或空穴,形成一種不同于布洛赫的局域態(tài).這種局域態(tài)的能級處于滿帶和空帶的能隙中,且離空帶的帶地或者滿帶的帶頂較近,從而于半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性.答：電子云重疊——泡利不相容原理排斥力的來源：相鄰的原子靠的很近,以至于它們層閉合殼層的電子云發(fā)生重疊時,相鄰的原子間使產(chǎn)生巨大排斥力,也就是說,原子間的排斥作用來自相鄰原子層閉合殼層電子云的答：在低溫下,本征半導(dǎo)體的能帶與絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)相同,但本征半導(dǎo)體的禁帶較窄,禁帶寬度通常小于2eV,由于禁帶窄,本征半導(dǎo)體禁帶下滿帶述德瓦爾斯力的起源和特點答：德瓦爾斯力：是分子間微弱的相互作用力,主要由靜電力〔偶極子-偶極子相互作用〔極性分子之間,誘導(dǎo)力〔偶極子-誘導(dǎo)偶極子相互作用〔極地分子和非極地分子之間,色散力〔非極性分子的誘導(dǎo)偶極子-誘導(dǎo)偶極子特點：①存在于所有分子間②作用圍在幾個A③沒有方向性和飽和性7/8. 為什么形成一個肖特基缺陷所需能量比形成一個弗倫克爾缺陷所需能量 原子的相互作用能,和晶體部一個原子與其他原子的相互作用能的差值,形成一個弗倫克爾缺陷是,晶體留下一個空位,多一個填隙原子,因此形成一個弗作用能,和晶體部一個原子與其他原子相互作用能的差值,填隙原子與相鄰原子的距離非常小,它與其他原子的排斥力的相互作用能是負(fù)值,所以填隙原子與其它原子相互作用能的絕對值,比晶體表面一個原子與其他原子相因此,原子間〔主要是密置層間比較容易相對位移,從而使金屬有較好的延 答：正常格點的原子脫離晶格位置變成填隙原子,同時原格點成為空位,這8/8.種產(chǎn)生一個填隙原子將伴隨產(chǎn)生一個空位的缺陷稱為弗倫克爾缺陷,填隙動頻率要高,空位附近原子與空位另一邊原子的距離比正常格點原子間的距離大得多,它們之間的力系數(shù)比正常格點原子間的力系數(shù)小得多,所以空 答：金屬結(jié)合中,受到最小能量原