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文檔簡介

《光纖通信技術》課程課程團隊：馬曉明趙曉吉吳粵湘林琪雪崩光電二極管

APD的結構和分類01雪崩光電二極管原理02目錄01.APD的結構和分類設計動機：在光生電流尚未遇到后續電路的熱噪聲時已經在高電場的雪崩區得到放大，以提高接收機靈敏度。根據制作材料分類：Si—APD：中速，短波長800nmGe-APD：高速，長波長1300-1550InGaAs-APD光N+P+I電極防反射涂層P電極02.雪崩光電二極管原理光電流反向偏壓U輸出光電流暗電流02.雪崩光電二極管原理雪崩倍增效應：?PN結上加反向高壓，使耗盡層內的電場強度增加，進入耗盡層的光生載流子動能很大，更容易與晶格碰撞而產生新的電子-空穴對。?電子-空穴對又被電場加速獲得足夠大的動能，產生新的電子-空穴對。?依次類推，耗盡層內的載流子數目劇增，發生雪崩效應，從而使反向結電流倍增。02.PIN光電二極管原理光吸收光倍增光P+IPN+

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