犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６２４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

犛狋犪狀犱犪狉犱犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狋犺犲狊狌狉犳犪犮犲狇狌犪犾犻狋狔

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜６６２４—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５《硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要有如下變化：

———修改了高強(qiáng)度匯聚光源照度要求，由不小于１６０００ｌｘ改為不小于２３００００ｌｘ；

———增加了凈化室級(jí)別要求；

———擴(kuò)大了照度計(jì)測(cè)量范圍為０ｌｘ～３３００００ｌｘ；

———增加了測(cè)量長(zhǎng)度工具；

———更改檢測(cè)條件中光源與硅片之間的距離要求。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位：上海合晶硅材料有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：徐新華、王珍。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ６６２４—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜６６２４—２００９

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在一定光照條件下，用目測(cè)檢驗(yàn)單晶拋光片（以下簡(jiǎn)稱拋光片）表面質(zhì)量的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面質(zhì)量檢驗(yàn)。外延片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)也可參考本方法進(jìn)行。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

３術(shù)語(yǔ)

本標(biāo)準(zhǔn)涉及的術(shù)語(yǔ)應(yīng)符合ＧＢ／Ｔ１４２６４的規(guī)定。

４方法原理

硅拋光片表面質(zhì)量缺陷在一定光照條件下可以產(chǎn)生光的漫反射，且能通過(guò)目測(cè)觀察，據(jù)此可目測(cè)檢

驗(yàn)其表面缺陷。

５設(shè)備和器具

５．１高強(qiáng)度匯聚光源：照度不小于２３００００ｌｘ。

５．２大面積漫射光源：可調(diào)節(jié)光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈，使檢測(cè)面上的光強(qiáng)度為４３０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．３凈化室：凈化室級(jí)別應(yīng)該與硅片表面顆粒檢測(cè)的水平相一致，不低于１００級(jí)。

５．４凈化臺(tái)：大小能容納檢測(cè)設(shè)備，凈化級(jí)別優(yōu)于１００級(jí)，離凈化臺(tái)正面邊緣２３０ｍｍ處背景照度為

５０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．５真空吸筆：吸筆頭可拆卸清洗，拋光片與其接觸后不留下任何痕跡，不引入任何缺陷。

５．６照度計(jì)：應(yīng)可測(cè)到０ｌｘ～３３００００ｌｘ。

５．７公制尺：精度不低于１ｍｍ。

６試樣

按照規(guī)定的抽樣方案或商定的抽樣方案從清洗后的拋光片中抽取試樣。

７檢測(cè)