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--內頁可以根據需求調整合適字體及大小--期末復習資料匯總(總7頁)PAGE12第三章雙極結型晶體管填空題1、晶體管的基區輸運系數是指（基區中到達集電結的少子）電流與（發射結注入基區的少子

）電流之比。由于少子在渡越基區的過程中會發生（

擴散

），從而使基區輸運系數（

變大

）。為了提高基區輸運系數，應當使基區寬度（

小于

）基區少子擴散長度。2、晶體管中的少子在渡越（

）的過程中會發生（

），從而使到達集電結的少子比從發射結注入基區的少子（

）。3、晶體管的注入效率是指（

）電流與（

）電流之比。為了提高注入效率，應當使（

）區摻雜濃度遠大于（

）區摻雜濃度。4、晶體管的共基極直流短路電流放大系數α是指發射結（正

）偏、集電結（

零）偏時的（

集電結

）電流與（

發射結

）電流之比。5、晶體管的共發射極直流短路電流放大系數β是指（

發射

）結正偏、（

集電

）結零偏時的（

集電結

）電流與（

基區）電流之比。6、在設計與制造晶體管時，為提高晶體管的電流放大系數，應當（

）基區寬度，（

）基區摻雜濃度。7、某長方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長度和寬度分別為300μm和60μm，若要獲得1kΩ的電阻，則該材料的長度應改變為（

600μm

）。8、在緩變基區晶體管的基區中會產生一個（

），它對少子在基區中的運動起到（

）的作用，使少子的基區渡越時間（

）。9、小電流時α會（

）。這是由于小電流時，發射極電流中（

）的比例增大，使注入效率下降。10、發射區重摻雜效應是指當發射區摻雜濃度太高時，不但不能提高（

），反而會使其（

）。造成發射區重摻雜效應的原因是（

）和（

）。11、在異質結雙極晶體管中，發射區的禁帶寬度（

）于基區的禁帶寬度，從而使異質結雙極晶體管的（

）大于同質結雙極晶體管的。12、當晶體管處于放大區時，理想情況下集電極電流隨集電結反偏的增加而（

）。但實際情況下集電極電流隨集電結反偏增加而（

），這稱為（

）效應。13、當集電結反偏增加時，集電結耗盡區寬度會（

），使基區寬度（

），從而使集電極電流（

），這就是基區寬度調變效應（即厄爾利效應）。14、IES是指（集電

）結短路、（

發射）結反偏時的（發射）極電流。15、ICS是指（發射

）結短路、（集電

）結反偏時的（集電）極電流。16、ICBO是指（

發射）極開路、（集電

）結反偏時的（共基極反向截止）極電流。17、ICEO是指（

基

）極開路、（集電結）結反偏時的（共發射極反向截止

）極電流。18、IEBO是指（

集電

）極開路、（

發射

）結反偏時的（共基

）極電流。19、BVCBO是指（

發射

）極開路、（

）結反偏，當（

I‘cbo

）→∞時的VCB。20、BVCEO是指（

基

）極開路、（

）結反偏，當（

I‘ceo

）→∞時的VCE。21、BVEBO是指（集電

）極開路、（

）結反偏，當（

I‘ebo

）→∞時的VEB。22、基區穿通是指當集電結反向電壓增加到使耗盡區將（

）全部占據時，集電極電流急劇增大的現象。防止基區穿通的措施是（

）基區寬度、（

）基區摻雜濃度。23、比較各擊穿電壓的大小時可知，BVCBO（

大于

）BVCEO，BVCBO（

遠遠大于

）BVEBO。24、隨著信號頻率的提高，晶體管的αω,βω的幅度會（

減小

），相角會（

滯后

）。25、在高頻下，基區渡越時間τb對晶體管有三個作用，它們是：（

）、（

）和（

）。26、基區渡越時間τb是指（

）。當基區寬度加倍時，基區渡越時間增大到原來的（

）倍。27、晶體管的共基極電流放大系數|αω|隨頻率的（

減小

）而下降。當晶體管的|αω|下降到（

α0

）時的頻率，稱為α的截止頻率，記為（

fa）。28、晶體管的共發射極電流放大系數|βω|隨頻率的（

）而下降。當晶體管的|βω|下降到β0時的頻率，稱為β的（

），記為（

）。29、當f>>fβ時，頻率每加倍，晶體管的|βω|降到原來的（

）；最大功率增益Kpmax降到原來的（

）。30、當（

）降到1時的頻率稱為特征頻率fT。當（

Kp

）降到1時的頻率稱為最高振蕩頻率fM。31、當|βω|降到（1

）時的頻率稱為特征頻率fT。當Kpmax降到（1

）時的頻率稱為最高振蕩頻率fM。32、晶體管的高頻優值M是（

）與（

）的乘積。33、晶體管在高頻小信號應用時與直流應用時相比，要多考慮三個電容的作用，它們是（

）電容、（

）電容和（

）電容。34、對于頻率不是特別高的一般高頻管，τec中以（

）為主，這時提高特征頻率fT的主要措施是（

）。35、為了提高晶體管的最高振蕩頻率fM，應當使特征頻率fT（

），基極電阻rbb'（

），集電結勢壘電容CTC（

）。問答與計算題1、畫出NPN晶體管在飽和狀態、截止狀態、放大狀態和倒向放大狀態時的少子分布圖。2、畫出共基極放大區晶體管中各種電流的分布圖，并說明當輸入電流Ie經過晶體管變成輸出電流IC時，發生了哪兩種虧損？

3、倒向晶體管的電流放大系數為什么小于正向晶體管的電流放大系數？

6、先畫出雙極晶體管的理想的共發射極輸出特性曲線圖，并在圖中標出飽和區與放大區的分界線，然后再分別畫出包括厄爾利效應和擊穿現象的共發射極輸出特性曲線圖。7、什么是雙極晶體管的特征頻率fT寫出fT的表達式，并說明提高fT的各項措施。8、寫出組成雙極晶體管信號延遲時間τec的4個時間的表達式。其中的哪個時間與電流Ie有關？這使fT隨Ie的變化而發生怎樣的變化？9、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻率fM寫出fM的表達式，說明提高fM的各項措施。12、某均勻基區晶體管的WB=2μm,LB=10μm，試求此管的基區輸運系數β*之值。若將此管的基區摻雜改為指數分布，場因子η=6，則其β*變為多少？

13、某均勻基區NPN晶體管的WB=2μm,NB=1017cm-1,DB=18cm2s-1,τB=5×10–7s，試求該管的基區輸運系數β*之值。又當在該管的發射結上加的正向電壓，集電結短路時，該管的JnE和J15、某雙極型晶體管的R□B1=1000Ω,R□E=5Ω，基區渡越時間τb=10–9s,當IB=時,IC=10mA，求該管的基區少子壽命τb。16、某晶體管的基區輸運系數β*=，注入效率γ=，試求此管的α與β。當此管的有源基區方塊電阻R□B1乘以3，其余參數均不變時，其α與β變為多少？

17、某雙極型晶體管當IB1=時測得IC1=4mA，當IB2=時測得IC2=5mA，試分別求此管當IC=4mA時的直流電流放大系數β與小信號電流放大系數βO。18、某緩變基區NPN晶體管的BVCBO=120V，β=81，試求此管的BVCEO。21、某高頻晶體管的fβ=5MHz，當信號頻率為f=40MHz時測得其|βω|=10，則當f=80MHz時|βω|為多少？該管的特征頻率fT為多少？該管的β0為多少？22、某高頻晶體管的β0=50，當信號頻率f為30MHz時測得|βω|=5，求此管的特征頻率fT，以及當信號頻率f分別為15MHz和60MHz時的|βω|之值。23、某高頻晶體管的基區寬度WB=1μm，基區渡越時間τb=×10-10s,fT=550MHz。當該管的基區寬度減為μm，其余參數都不變時，fT變為多少？

27、某晶體管當IB1=時測得IC1=4mA，當IB2=時測得IC2=5mA，試分別求此管當IC=4mA時的直流電流放大系數β與增量電流放大系數β0。28、已知某硅NPN均勻基區晶體管的基區寬度WB=2μm，基區摻雜濃度nB=5×1016cm-3，基區少子壽命tB=1μs，基區少子擴散系數DB=15cm2s-1，以及從發射結注入基區的少子電流密度JnE=cm2。試計算基區中靠近發射結一側的非平衡少子電子濃度nB(0)、發射結電壓VBE和基區輸運系數β*29、已知某硅NPN緩變基區晶體管的基區寬度WB=μm，基區少子擴散系數DB=20cm2s-1，基區自建場因子η=20，試計算該晶體管的基區渡越時間tb。33、在N型硅片上經硼擴散后，得到集電結結深xjc=μm，有源基區方塊電阻R□B1=800Ω，再經磷擴散后，得發射結結深xje=μm，發射區方塊電阻R□e=10Ω。設基區少子壽命tB=10-7s，基區少子擴散系數DB=15cm2s-1，基區自建場因子η=8，試求該晶體管的電流放大系數α與β分別為多少？

35、已知某硅NPN均勻基區晶體管的基區寬度WB=μm，基區摻雜濃度nB=1017cm-3，集電區摻雜濃度nC=1016cm-3，試計算當VCB第五章絕緣柵場效應晶體管填空題1、N溝道MOSFET的襯底是（

）型半導體，源區和漏區是（

）型半導體，溝道中的載流子是（

）。2、P溝道MOSFET的襯底是（

）型半導體，源區和漏區是（

）型半導體，溝道中的載流子是（

）。3、當VGS=VT時，柵下的硅表面發生（

），形成連通（

）區和（

）區的導電溝道，在VDS的作用下產生漏極電流。4、N溝道MOSFET中，VGS越大，則溝道中的電子就越（

），溝道電阻就越（

），漏極電流就越（

）。5、在N溝道MOSFET中，VT>0的稱為增強型，當VGS=0時MOSFET處于（

）狀態；VT<0的稱為耗盡型，當VGS=0時MOSFET處于（

）狀態。6、由于柵氧化層中通常帶（

）電荷，所以（

）型區比（

）型區更容易發生反型。7、要提高N溝道MOSFET的閾電壓VT，應使襯底摻雜濃度nA（

），使柵氧化層厚度Tox（

）。8、N溝道MOSFET飽和漏源電壓VDsat的表達式是（

）。當VDS>=VDsat時，MOSFET進入（

）區，漏極電流隨VDS的增加而（

）。9、由于電子的遷移率μn比空穴的遷移率μp（

），所以在其它條件相同時，（

）溝道MOSFET的IDsat比（

）溝道MOSFET的大。為了使兩種MOSFET的IDsat相同，應當使N溝道MOSFET的溝道寬度（

）P溝道MOSFET的。10、當N溝道MOSFET的VGS<VT時，MOSFET（

）導電，這稱為（

）導電。11、對于一般的MOSFET，當溝道長度加倍，而其它尺寸、摻雜濃度、偏置條件等都不變時，其下列參數發生什么變化：VT（

）、IDsat（

）、Ron（

）、gm（

）。12、由于源、漏區的摻雜濃度（

）于溝道區的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結的耗盡區主要向（

）區擴展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區穿通問題（

）。13、MOSFET的跨導gm的定義是（

），它反映了（

）對（

）的控制能力。14、為提高跨導gm的截止角頻率ωgm，應當（

）μ，（

）L，（

）VGS。問答與計算題1、畫出MOSFET的結構圖和輸出特性曲線圖，并簡要敘述MOSFET的工作原理。2、什么是MOSFET的閾電壓VT寫出VT的表達式，并討論影響VT的各種因素。4、什么是有效溝道長度調制效應如何抑制有效溝道長度調制效應5、什么是MOSFET的跨導gm寫出gm的表達式，并討論提高gm的措施。6、提高MOSFET的最高工作頻率fT的措施是什么？

9、在nA=1015cm-3的P型硅襯底上制作Al柵N溝道MOSFET，柵氧化層厚度為50nm，柵氧化層中正電荷數目的面密度為1011cm-211、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=4×10-3AV-2，求當VGS=6V，VDS分別為2V、4V、6V、8V和10V時的漏極電流之值。12、某N溝道MOSFET的VT=,β=6×10-3AV-2，求當VDS=6V，VGS分別為、、、和時的漏極電流之值。14、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=4×10-3AV-2，求當VGS=6V，VDS分別為2V、4V、6V、8V和10V時的跨導gm之值。15、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=6×10-3AV-2，求當VDS=4V，VGS分別為2V、4V、6V、8