ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術

體硅壓阻加工工藝規范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthebulksiliconpiezoresistanceprocess

2016-08-29發布2017-03-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32815—2016

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

硅片壓阻區制備

4.3……………………1

硅片隔離區制備

4.4……………………5

硅片背腔腐蝕

4.5………………………6

硅片引線制備

4.6(G)…………………10

玻璃片金屬電極制備

4.7………………12

硅玻璃鍵合

4.8-………………………14

鍵合片硅面刻蝕

4.9……………………15

工藝保障條件要求

5………………………17

人員要求

5.1……………17

環境要求

5.2……………17

設備要求

5.3……………17

原材料要求

6………………18

安全操作要求

7……………19

用電安全

7.1……………19

化學試劑

7.2……………19

排放

7.3…………………19

檢驗

8………………………19

總則

8.1…………………19

檢驗方法和要求

8.2……………………19

Ⅰ

GB/T32815—2016

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位北京大學中機生產力促進中心大連理工大學東南大學北京青鳥元芯微

:、、、、

系統科技有限公司

。

本標準主要起草人張大成王瑋李海斌楊芳黃賢何軍劉沖劉偉周再發劉軍山李婷

:、、、、、、、、、、、

姜博巖

。

Ⅲ

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術

體硅壓阻加工工藝規范

1范圍

本標準規定了采用體硅壓阻工藝進行器件加工時應遵循的工藝要求和質量檢驗要求

MEMS。

本標準適用于硅基制造技術中基于背腔腐蝕和硅玻璃鍵合的體硅壓阻加工工藝的加工和

MEMS-

質量檢驗

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量管理體系測量過程和測量設備的要求

GB/T19022

微機電系統技術術語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設計規范

GB50073

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

體硅壓阻工藝流程包括硅片壓阻區制備硅片隔離區制備硅片背腔腐蝕硅片引線制備玻璃片電

、、、、

極制備硅玻璃鍵合以及鍵合片硅面刻蝕等部分其中的關鍵工藝用表示

、-,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇應結合所制造的器件的性能要求和后續工藝需求確定如型輕摻雜電阻率

..,n、、

為等

2Ωcm。

422硅片晶面的選擇應以后續的工藝選擇為依據當后續工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

..