標準解讀

《GB/T 29506-2013 300 mm硅單晶拋光片》是中國國家標準之一，該標準規定了直徑為300毫米（即12英寸）的硅單晶拋光片的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面的內容。適用于半導體器件制造用的高純度單晶硅材料加工而成的圓形薄片。

技術要求方面涵蓋了尺寸公差、表面質量、電阻率及其均勻性、位錯密度、微缺陷密度等多項指標，旨在確保產品能夠滿足下游應用對于材料性能的基本需求。其中，特別強調了對拋光面平整度、粗糙度的要求，以保證后續工藝過程中良好的圖形轉移效果；同時，也對摻雜類型（P型或N型）、摻雜濃度等電學性質做了詳細說明，這對于控制最終半導體器件的工作特性至關重要。

在試驗方法部分，則提供了測定上述各項參數的具體操作步驟和技術條件，包括但不限于使用光學干涉儀測量厚度偏差與TTV值、四探針法測試電阻率分布情況、X射線衍射分析晶體完整性等。這些方法均基于國際通用的標準，并結合國內實際情況進行了適當調整，以確保檢測結果準確可靠。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2013-05-09 頒布
  • 2014-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29506—2013

300mm硅單晶拋光片

300mmpolishedmonocrystallinesiliconwafers

2013-05-09發布2014-02-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29506—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司中國有色金屬工業標準計量質量研究所

:、。

本標準主要起草人閆志瑞孫燕盛方毓盧立延張果虎向磊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T29506—2013

300mm硅單晶拋光片

1范圍

本標準規定了直徑型晶向電阻率規格的硅單晶拋光片

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm

的術語和定義技術要求試驗方法檢測規則以及標志包裝運輸貯存等

、、、、、、。

本標準適用于直徑直拉單晶磨削片經雙面拋光制備的硅單晶拋光片產品主要用于滿足

300mm,

集成電路用線寬技術需求的襯底片

IC90nm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

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硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

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GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅片局部平整度非接觸式標準測試方法

GB/T19922

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578X

硅片切口尺寸測試方法

GB/T26067

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法

YS/T679

硅片翹曲度的無接觸自動掃描測試方法

SEMIMF13

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