第14章半導體器件14.1半導體的導電特性14.2PN結及其單向導電性14.3二極管14.4穩(wěn)壓二極管14.5雙極型晶體管14.6光電器件對于元器件，學習重點放在特性、參數(shù)、技術指標和正確使用方法，不過于追究其內部機理。討論器件的目的在于應用。學會用工程觀點分析問題，就是根據(jù)實際情況,對器件的數(shù)學模型和電路的工作條件進行合理的近似,以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結果。對電路進行分析計算時，只要能滿足技術指標,就不要過分追究精確的數(shù)值。工程上允許一定的誤差，可采用合理估算的方法。14.1半導體的導電特性本征半導體雜質半導體半導體中的電流物質按導電性能分類導體（＞105）絕緣體（10-22~10-14）半導體，是指電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-9~102歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。如硅、鍺等，半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。

14.1.1本征半導體完全純凈的、晶格完整的半導體，稱為本征半導體。制造半導體器件的半導體材料的濃度要達到99.9999999%，例如硅和鍺。四價元素：在原子最外層軌道上的四個價電子。共價鍵：相鄰原子共有電子對。絕對零度（-273.15°C）時晶體中無自由電子。晶體中原子的排列方式本征半導體中的載流子載流子：半導體結構中獲得運動能量的帶電粒子。有溫度環(huán)境就有載流子。絕對零度時晶體中無自由電子。本征半導體中的載流子是自由電子和空穴。因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對。自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，且方向相反。本征半導體中載流子的濃度溫度升高熱運動加劇載流子增多導電能力增強本征半導體中載流子濃度的特點本征半導體中載流子的濃度很低，導電性能很差。本征半導體中載流子的濃度與溫度密切相關。本征半導體要點歸納本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。溫度越高->載流子的濃度越高->本征半導體的導電能力越強。雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。摻入雜質的本征半導體稱為雜質半導體。雜質半導體分類：N型半導體P型半導體14.1.2N型半導體和P型半導體摻入五價元素多子和少子多子由摻雜形成，取決于摻雜濃度。少子由熱激發(fā)形成，取決于溫度。問題雜質半導體的導電能力由誰決定？為什么用雜質半導體制作器件？雜質半導體多子濃度由什么決定?雜質半導體少子濃度由什么決定?雜質半導體歸納雜質半導體中兩種載流子濃度不同，分為多數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子和少子）。雜質半導體中多子數(shù)量取決于摻雜濃度，少子數(shù)量取決于溫度。雜質半導體中起導電作用的主要是多子。N型半導體中電子是多子，空穴是少子。P型半導體中空穴是多子，電子是少子。半導體中的兩種電流1.漂移電流：由載流子的漂移運動形成的電流。漂移運動：由電場力引起的載流子定向運動。2.擴散電流：由載流子的擴散運動形成的電流。擴散運動：由于載流子濃度不均勻（濃度梯度）造成的運動。以上2種電流的方向與載流子的方向有關?？昭娏鞯姆较蚺c運動方向一致。電子電流的方向與運動方向相反。14.2PN結及其單向導電性1.PN結的形成2.PN結的單向導電性3.PN結的伏安特性PN結是構成半導體器件的核心結構。PN結是指使用半導體工藝使N型和P型半導體結合處所形成的特殊結構。PN結是半導體器件的心臟。PN結的形成在一塊本征半導體的兩側通過擴散不同的雜質，分別形成N型半導體和P型半導體。因濃度差多子的擴散運動由雜質離子形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)形成內電場內電場促使少子漂移，阻止多子擴散多子擴散和少子漂移達到動態(tài)平衡PN結建立在在N型和P型半導體的結合處，由于擴散運動，使空穴和電子形成不能移動的負離子和正離子狀態(tài)。PN結稱為---空間電荷區(qū)耗盡層、阻擋層。PN結很窄（幾個到幾十個m)。PN結形成歸納空間電荷區(qū)中沒有載流子。空間電荷區(qū)中內電場阻礙多子（P中的N中的電子）的擴散運動?？臻g電荷區(qū)中內電場推動少子（P中的電子、N中得空穴）的漂移運動。P中的電子和N中的空穴（都是少子）數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。PN結的單向導電性若外加正向電壓，使電流從P區(qū)流到N區(qū)，PN結呈低阻性，所以電流大。若外加反向電壓，PN結呈高阻性，所以電流小。外加電壓使PN結中：P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏。P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。擴散電流>漂移電流擴散運動<漂移運動在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結單向導電性歸納正向特性：P（+），N（-）外電場消弱內電場，PN結電阻小，電流大，導通；I的大小與外加電壓有關；反向特性：P（-），N（+）外電場增強內電場，PN結電阻大，反向電流很小，截止；I反的大小與少子的數(shù)量有關，與溫度有關。返回PN結的伏安特性uiU(BR)0u>0，u↑→i↑正向特性反向特性|u|↑>U（BR），－反向擊穿u<0，i≈-IS，恒定不變按指數(shù)規(guī)律快速增加小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管1.2.1半導體二極管的結構PN結+引線+封裝=二極管。PN陽極陰極D14.3.2伏安特性返回2.反向特性硅：Is<0.1A，鍺：Is＝幾十A。U（BR）=幾十伏uiU(BR)0UonIS20℃1.正向特性開啟電壓Uon：正向電壓超過某一數(shù)值后，才有明顯的正向電流。硅：Uon=0.5V；鍺：Uon=0.1V正向導通電壓U范圍： 硅：0.6~0.8V（計算時取0.7V），U=0.7鍺：0.1~0.3V（計算時取0.2V），U=0.2使用時應加限流電阻。反向電流很小，與溫度有關；|U|

擊穿電壓，擊穿導通，反向電流急劇增加；EDED溫度對二極管伏安特性的影響0uiU(BR)UonIS20℃80℃原因：溫度增加，少子增加，PN結變窄，內電場減弱，開啟電壓減小，正向曲線左移。溫度增加，Uon減小，IS增加。正向曲線左移，反向曲線下移。T（℃）↑→在電流不變情況下管壓降u↓→反向飽和電流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移返回14.3.3主要參數(shù)1.最大整流電流IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。手冊上給出的URWM一般是UBR的一半。二極管擊穿后單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。3.反向峰值電流（最大反向電流）IRM指二極管加反向工作峰值電壓時的反向電流值。反向電流大，說明管子的單向導電性差，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。二極管的應用理想二極管U>0,D導通；UD=0，I取決于外電路；相當于一個閉合的開關。U<0,D截止；I=0,UD(負值)取決于外電路；相當于一個斷開的開關。uiO解：S斷開時，D導通，RV1(6V)UO+－UD+－S閉合時，D截止，RV2(12V)UO+－例已知二極管導通時UD=0.7V估算S斷開和閉合時的UO

DRSV1(6V)V2(12V)UO+－當幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受正向電壓高的二極管先導通。廣泛應用于數(shù)字電路門電路中。二極管的特點：單向導電性二極管的應用：開關、箝位、隔離、檢波、整流等，大量應用在模擬電路和數(shù)字電路。14.4穩(wěn)壓二極管反向擊穿區(qū)反向擊穿特性越抖，說明穩(wěn)壓性能越好。返回主要參數(shù)穩(wěn)定電壓Uz

穩(wěn)壓二極管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。穩(wěn)定電流Iz、最大穩(wěn)定電流IZMIz是穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流值，對應Uz的值,作為參考的最小電流對待。動態(tài)電阻類似二極管的動態(tài)電阻，反映了穩(wěn)壓區(qū)電壓變化量與電流變化量之比，rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好，一般為幾歐到幾十歐。主要參數(shù)電壓溫度系數(shù)au環(huán)境溫度每變化1°C引起穩(wěn)壓值變化的百分數(shù)。溫度升高，Uz增加，正溫度系數(shù)。溫度升高，Uz減小，負溫度系數(shù)。額定功耗PZMIZM為最大穩(wěn)定電流二極管與穩(wěn)壓管的區(qū)別二極管運用在正向區(qū)穩(wěn)壓二極管運用在反向擊穿區(qū)

穩(wěn)壓二極管在工作時應反接，并串入一只電阻。R---限流電阻（保護穩(wěn)壓管）---調整電阻（當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，起穩(wěn)壓作用）UODZRRL+－R---串聯(lián)在穩(wěn)壓電路中；---必不可少！

---取值合適（使穩(wěn)壓管工作在擊穿區(qū)）例：已知UZ=6V，最小穩(wěn)定電流IZmin=5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax=25mA負載電阻RL=600Ω，求限流電阻R的取值范圍UODZRRLILIRIDZ+－UI=10V解：由：得：uiO△u△iIZUZIZM14.5雙極型晶體管晶體管的結構及類型晶體管的電流分配和放大作用晶體管的共射特性曲線晶體管的主要參數(shù)BipolarJunctionTransistor------BJT簡稱晶體管或三極管雙極型器件兩種載流子（多子、少子）雙極型晶體管晶體管具有的能力電流控制（currentcontrol）電流放大（currentamplify）

E標注箭頭，箭頭的方向表示流經(jīng)該晶體管的電流方向。PNP型晶體管和NPN型晶體管導電時電流方向不同返回14.5.2電流分配和放大原理放大的含義：1.放大的對象是變化量2.放大是指對能量的控制作用

輸入端輸入一個小的變化量，控制能量使輸出端產(chǎn)生一個大的變化量，能量來自電源。放大器電源uIuO晶體管放大的工作條件①內部條件發(fā)射區(qū)高摻雜(故管子e、c極不能互換)基區(qū)很薄(幾個微米)

②外部條件

發(fā)射結(eb結)正偏集電結(cb結)反偏

返回發(fā)射結正偏，集電結反偏VC>VB>VEVC<VB<VEB（P）C（N）IBIEICNPN型三極管E（N）IBIEICPNP型三極管C（P）B（N）E（P）發(fā)射結正偏VB>VE集電結反偏VC>VB

發(fā)射結正偏VB<VE集電結反偏VC<VB三極管的三種連接方式

共什么極是指電路的輸入端及輸出端以這個極作為公共端。①共基極接法；②共發(fā)射極接法，③共集電極接法。

注意:無論那種接法，為了使三極管具有正常的電流放大作用，必須給發(fā)射結加正向偏置電壓，發(fā)射區(qū)才能起到向基區(qū)注入載流子的作用；必須給集電結加反向偏置電壓（一般幾～幾十伏），在集電結才能形成較強的電場，才能把發(fā)射區(qū)注入基區(qū)，并擴散到集電結邊緣的載流子拉入集電區(qū)，使集電區(qū)起到收集載流子的作用。

各電極電流關系及電流放大作用設UCC=6V，改變可變電阻RB,則基極電流IB、集電極電流IC和發(fā)射極電流IE都發(fā)生變化，測量結果如下表所示。(1)IE=IB+IC，符合基爾霍夫定律(2)IC>>IB，IC

IE

(3)IC>>IB把基極電流IB的微小變化能夠引起集電極電流IC較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。晶體管內部載流子的運動規(guī)律(常用公式)14.5.3特性曲線測量晶體管特性的實驗線路UBE:BE節(jié)的電壓UBC:BC節(jié)的電壓UCE:晶體管的管壓降ECBiBuBE+-UCE輸入特性：發(fā)射結電壓UBE與基極電流IB的關系。輸出特性：管壓降UCE與集電極電流IC的關系。晶體管的共射特性曲線一、輸入特性曲線≥1V③UCE≥1V，曲線基本重合原因：UCE增大到一定程度，集電區(qū)收集載流子能力足夠強，再增加UCE，IC亦不再增加，曲線基本不變。iBuBEOECBiBuBE+-UCE=0①UCE=0，與二極管的正向特性曲線類似原因：相當于兩個二極管并聯(lián)。0.5V②UCE增大，曲線右移原因：UCE增大，集電區(qū)收集載流子能力增強，IC增加，相應地，基區(qū)復合掉的載流子數(shù)量減少，IB減少，曲線右移。開啟電壓與導通電壓的概念同二極管uBEiB返回輸出特性曲線①取IB=IB2，起始部分很陡，UCE≥1V后，較平坦。原因：UCE較小時，UCE增加，集電區(qū)收集能力增強，使IC增強；UCE≥1V后，集電區(qū)收集能力足夠大，IC不再增強。②IB取不同的值，可得到一組曲線。原因：

相同UCE下，IB增加，IC增加，曲線上移。iCuCEECB+-uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5返回返回返回晶體管的三個工作區(qū)域②放大區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏特點：iC=βIB；

uCE增加，iC基本不變①截止區(qū)：發(fā)射結電壓小于開啟電壓Uon發(fā)射結反偏。特點：IB=0，iC≦ICEO③飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結正偏特點：uCE<uBE，iC≦βIB飽和壓降：UCE(sat)≈0.1V，iC取決于外電路。

uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)IBiCiC=0uCEECBiCuCE=0ECB晶體管的開關特性：T截止，開關斷開；T飽和，開關閉合特性歸納輸入特性同二極管的正向特性UBEIB輸出特性一組曲線（一個IB對應一條曲線）放大區(qū)：UBE>0UCE>UBE

發(fā)射結正偏，集電結反偏IC=?IB電流放大作用截止區(qū)：UBE<0IB<=0IC

0發(fā)射結反偏，集電結反偏飽和區(qū)：UBE>0UCE<UBE

發(fā)射結正偏，集電結正偏IC與?IB無關無電流放大作用晶體管的離散性測試工具：晶體管圖示儀返回是否β越大越好呢？2.集-基極反向截止電流ICBOICBO就是發(fā)射極開路時集電結的反向電流，與單個p-n結的反向飽和電流基本上相同，理想情況下都是少子的擴散電流；只是晶體管中的ICBO一般要比單個p-n結的反向飽和電流稍大一些（因為基區(qū)寬度很窄，基區(qū)中少子的濃度梯度較大一些）。ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運動所形成的電流，受溫度的影響大。溫度上升，ICBO增大。3.集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEO發(fā)射極接地、基極開路時器件的反向電流，又稱為穿透電流。

ICEO=(1+β)ICBO由于集電結反偏，通過的電流即是很小的ICBO；又由于發(fā)射結正偏，晶體管處于放大狀態(tài)，有一定的放大作用，因此通過器件的電流就成為β×ICBO＋ICBO，這就是ICEO。所以，ICEO>>ICBO。

ICE