ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T26069—2022

代替GB/T26069—2010

硅單晶退火片

Annealedmonocrystallinesiliconwafers

2022-03-09發布2022-10-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T26069—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅退火片規范與相比除結構調整和編輯

GB/T26069—2010《》,GB/T26069—2010,

性改動外主要技術變化如下

,:

范圍一章增加了包裝標志運輸貯存隨行文件及訂貨單等內容更改了硅單晶退火片的

a)“”、、、、,

適用范圍見第章年版的第章

(1,20101);

增加了術語退火片技術代及其定義見第章

b)“”“”(3);

增加了和集成電路線寬所需的硅單晶退火片的技術規格見第

c)65nm、45nm、32nm22nm(4

章

);

增加了退火片的基本要求應符合的要

d)GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508

求見

(5.1);

更改了硅片標識徑向氧含量厚度及允許偏差局部光散射體等要求刪除了直徑邊緣表面

e)、、、,、

條件平整度滑移體微缺陷刻蝕帶深度等要求增加了主參考面或切口晶向邊緣輪

、、、(BMD),、

廓背表面狀態潔凈區寬度等要求見第章年版的

、、(DZ)(5,20104.2);

刪除了徑向電阻率變化晶向參考面長度主參考面晶向晶體完整性直徑間隙氧含量間

f)、、、、、、、

隙氧含量徑向變化邊緣輪廓的測量方法見年版的和

、(20105.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10

5.15)

更改了厚度總厚度變化局部平整度的測量方法見年版的和

g)、、(6.3,20105.115.13);

更改了翹曲度的測量方法見年版的

h)(6.4,20105.12);

增加了背表面光澤度的測量方法見

i)(6.6);

更改了表面金屬含量的測試方法見年版的

j)(6.8,20105.17);

增加了體金屬鐵含量的測試方法見

k)()(6.10);

增加了潔凈區寬度及體微缺陷密度的檢驗方法見

l)(6.11);

更改了組批方式見年版的

m)(7.2,20106.2);

全檢項目中增加了導電類型幾何參數表面金屬含量和氧化誘生缺陷見

n)、、(7.3.1);

增加了檢驗結果的判定見

o)(7.5);

更改了包裝見年版的

p)(8.1,20107.2);

增加了隨行文件見

q)(8.5)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司山東有研半導體材料有限公司浙江眾晶電子有限

:、、

公司洛陽鴻泰半導體有限公司開化縣檢驗檢測研究院浙江中晶科技股份有限公司浙江金瑞泓科技

、、、、

股份有限公司浙江海納半導體有限公司中環領先半導體材料有限公司

、、。

本文件主要起草人孫燕寧永鐸樓春蘭陳鋒黃笑容王振國張海英潘金平由佰玲

:、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發布情況為

:

年首次發布為

———2010GB/T26069—2010;

本次為第一次修訂

———。

Ⅰ

GB/T26069—2022

硅單晶退火片

1范圍

本文件規定了硅單晶退火片以下簡稱退火片的分類技術要求試驗方法檢驗規則包裝標志

()、、、、、、

運輸貯存隨行文件及訂貨單內容

、、。

本文件適用于通過退火工藝在硅單晶拋光片表面形成一定寬度潔凈區的硅片產品用于技術代

,

的集成電路

180nm~22nm。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶

GB/T12962

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

半導體材料術語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片翹曲度和彎曲度的測試