ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17865—1999idtSEMIP25:1994焦深與最佳聚焦的測量規范Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus1999-09-13發布2000-06-01實施國家質量技術監督局發布

GB/T17865-1999目次前言oooooo范圍引引用標準術語方法報告

GB/T17865--1999本標準等同采用1994年SEMI標準版本“微型構圖”部分中的SEMIP25:1994《焦深與最佳聚焦的測量規范》（Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus)。SEMI標準是國際上公認的一套半導體設備和材料國際標準.SEMIP25：1994《焦深與最佳聚焦的測量規范》是其中的一項.它將與已經轉化的八項國家標準：GB/T15870—1995《硬面光掩模用鉻薄膜》(eqvSEMIP2:1986)：GB/T15871一1995《硬面光掩模基板》(neqSEMIP1:1992)GB/T16527—1996《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規范》eqvSEMIP3:1990)；GB/T16523—1996《圓形石英玻璃光掩模基板規范》(eqvSEMIP4:1992）；GB/T16524—1996《光掩模對準標記規范》(eqvSEMIP6:1988)；GB/T16878—1997《用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規范》idtSEMIP19:1992)；GB/T16879-1997《掩模噪光系統精密度和準確度的表示準則》idtSEMIP21:1992):GB/T16880—1997《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》(idtSEMIP22:1993），以及與本標準同時轉化的GB/T17866—1999《掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則》（idtSEMIP23:1993)和GB/T17864一1999《關鍵尺寸（CD）計量方法》idtSEMIP24:1994)兩項SEMI標準形成一個國家標準微型構圖系列本標準是根據SEMI標準P25:1994《焦深與最佳聚焦的測量規范》制定的。在技術內容上等同地采用了該國際標準。本標準從2000年6月1日起實施。本標準由中國科學院提出。本標準由SEMI中國標準化技術委員會歸口本標準起草單位：中國科學院微電子中心本標準主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初、劉明。

中華人民共和國國家標準焦深與最佳聚焦的測量規范GBT17865-1999idtSEMIP25：1994Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus范圍1.1IC行業中的光刻及光掩模制造工藝需要對IC光刻設備如光學圖形發生器、分步重復精縮機、分步重復投影光刻機、掃描瞬光系統等(以下簡稱為設備)的聚焦深度、像散和場畸變進行測量并提出報告·本標準解釋他們常用的術語的含義和所用的基本技術。1.2本標準只涉及集成電路生產中所用的光刻技術及其關系密切的技術的聚焦與焦深測量問題。由于設備技術多種多樣.因而不可能提出這些參數的明確測量方法。本標準只提供基本準則。注：在確定適合某項應用的最佳焦點時.這個方法是顏有價值的。但它的主要目的是通過測定焦深、像散和場畸變來比較不同的設備和工藝。1.3對于某一個具體設備來說，焦深、像散和場畸變數值的測定離不開圖像幾何尺寸和圖像轉印工藝的影響。這些數值必須在適應該設備的某個實際使用過程的各種限制條件下進行測定，包括照明、工藝、目標圖形和環境。因此·為了公正測定設備的性能.所用的工藝必須適合相應設備和使用條件，而且應針對相應設備和應用過程進行優化。兩個不同設備的性能比較實質上是綜合應用的比較,其中包括該設備專用的工藝。在焦深、像散或場畸變的測量報告中.工藝描述是必不可少的部分。如果借鑒的數據是從與相應設備所需應用條件偏離太大的情況下取得的，則這樣的數據將引入誤差·還可能引起意想不到的工藝失敗。引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性GGB/T16878—1997用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規范SJ/T10584-1994微電子學光掩蔽技術術語3術語3.1圖像image下列情況出現的任何一種幾何形狀：“）繪制的圖形：原圖的一部分;b）光學像：投影在屏幕上的或看到的.通常經過某種程度的放大或縮小：C）氧化層上的圖形：在硅片上二氧化硅層中刻蝕出來的；d）照相的圖形：在光刻掩模中.或者在照相膠片或超微粒干板的乳膠里；e）光致抗蝕劑的圖形：在硅片襯底上或鉻版上經過瞬光和顯影的